Юрмашева

Номер патента: 1627826

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Ворожбитов, Зиновьев, Песков, Юрмашева

МПК: G01B 7/18

Метки: интегральных, мостов, настройки, тензометрических

...тензорезпсторов до величины отрицательных зцлченцй и практически полного сохранения ТКС у за 1 щеных тецзорезисторов на прежнем уровне от окисления в кислородной плазме тензомоста заключается в следующем.При большой мощности окислительных процессов образование оксидных пленок происходит как ца поверхности тензорезисторл, так и внутри по границам зерен, из которых состоит тело тенэорезисторл. В результате в незащищенных тензорезисторах после окисления перенос зарядов всуеествляется наряду с обычным характерным для металлов переносом внутри зерен, еще ц через узкие окцсные (диэлектрические) зазоры между зернами, Механизмами, ответственньми за перенос заряда, являются термоэлектроцнля эмиссия и туннелировлние. Переход электронов...