Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 1800511

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газаров, Подковырин

МПК: H01P 1/20

Метки: волноводов, двух, диэлектрических, пересечение

...волны оказываются связанными. Однако, если участок связи выполнен достаточно плавным и протяженным, а фазовые скорости собственных волн различнь 1, связь между собственными волнами 1 и 2 близка к нулю. Это объясняется компенсацией парциальных волн, возбужденных в различных . частях участка распределенной связи. Это обстоятельство, с учетом описанного распределения мощностей собственных волн и объясняет работу пересечения. Например, если сигнал идет на диэлектрический волновод, возбуждается только противофазная волна, которая в конце участка распределенной связи возбуждает диэлектрический волновод 1,Выбор угла 0 согласно (1) обеспечивает необходимую для получения развязки геометрию участка распределенной связи, Дальнейшее...

Номер патента: 1803828

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Макарова, Шаронова

МПК: G01N 21/43

Метки: дисперсии, диэлектрических, пленок, показателя, преломления

...угле падения р излучения на образец,Г 3 р и м е р, Образец энодно окисленного арсенида галлия с толщиной окисла б= 760-ф.20 Д устанавливэется нэ предметный1803828 3столик эллипсометра, дополненного арго- новым лазером, излучающим на длинах волн 4765, 4880, 4965, 5017 и 5145 А. Спектральные линии лазера пространственно разделены с помощью дифракционной решетки,Полагая и = 1,8 . 0,2, получим нижележащих слоев определяет преимущества способа при исследовании пленок на малоизученных веществах, Способ отличается простотой матемаческой обработки ре зультатов. При вычислении по приведеннойформуле определяется также дисперсия йокаэателя преломления.Апп = 4765 А/2 1,8 = 645 А,Лщах = 5145 А/2(1,8 - 1) = 826 А.Лазерное излучение с длиной волны...

Номер патента: 1803984

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Водотовка, Кашлев, Скрипник

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрических, протяженных, термообработки

...диэлектрического трубопровода 8, 1803984Устройство работает следующим образом.СВЧ-генератор 1 генерирует необходимый уровень СВЧ-мощности в присоединенном к нему стандартном волноводном канале на волне основного типа Н 1 о, Преобразователь типа волны 2 представляет собой плавные волноводные переходы узкой стенки стандартного волновода в широкую стенку волновода нагревательных секций 3 - 5 и широкой стенки стандартного волновода в узкую стенку волновода нагревательных секций 3 - 5. Возможность возбуждения волны типа Ню в волноводах нагревательныхх секций осуществляется выбором размера их широкой стенки относительно длины волны СВЧ-колебаний в свободном пространстве А о. Известно, например, что при соотношении размеров узкой и широкой...

Номер патента: 1158021

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Аньшаков, Волокитин, Дедюхин, Соловьев, Чибирков

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазменной

...токе разояда 40 А,ет, в свою очередь, эрозию содежурной дуги. Угол 45 обеспеменьшее межэлектродное прост а под угломловлен наи -з1ван ми зажигай дугой при что снижала-анода 2 чивает наи ранство ос ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Рыкалин Н,Н. Примененратурной плазмы в технолоных материалов, - Сматериалы, 1972, Ф 1,Авторское свидетельствойг 733231, кл, Н 05 Н 1/00, 1 Изобретение относится к пла технике и используется для термич работки строительных диэлектриче териалов, например для по защитно-декоративных покрытий. Цель изобретения - увеличение ре оты устройства за счет снижения эрНа чертеж ое устройство,Устройство из катодного узла, включающего катод 1 и сопло-анод 2 дежурной дуги, анодного узла, содержащего анод 3, привод 4 анода,...

Номер патента: 1824579

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Лукашенко, Мельничук, Романовский

МПК: G01N 33/02

Метки: диэлектрических, лежкоспособности, плодоовощной, прогнозировании, продукции, свойств

...интегральной микросхемы, генерирует импульгы частотой90-100 кГц по форме близкие к прямоугольным, Эти импульсы не только обеспечиваютнормальное функционирование непосредственно АЦП (8), но и служат доля раскачкиформирователя синусоидяльного напряжения (1), обслуживающего изГлерительный РС-полумост (3,4), Ьлагодзрн повышенной рабочей частоте(190 к 1 ц) формирователя (1) удаетсн примерно в 3 раза снизить (по сравнению с прототипом) требования к фазовой (угловой) избирательной ФЧД, Теперь все, встречающиеся на практике случаи, включая и самый неблагоприятный (С2 ис 1 Я, = 50 ом), соответствуют значениям т 9 д3. Дальнейшее увеличение частоты (выше 110 кГц) хотя, в ринципе, и позволяет ул(уцИть качественные показатели усг 1(ойства, однако,...

Номер патента: 1498371

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Волокитин, Трофимов, Чибирков, Шишковский

МПК: H05B 7/22

Метки: генератор, диэлектрических, плазменный, поверхностей

...3. Через дугу протекает постоянный ток величиной 200-400 А. Магнитное поле тока, протекающего по электролам, 3 1498371 взаимодействуя с током дуги, вызывает ее перемещение по электродам, Направление перемещения дуги задается местом подключения токоподводов к элек" тродам анода, Для устойчивой работы плазменного генератора токоподводы осуществлены в точках А и С. При до" стижении дугой концов электродов, на+ пример в точках,В и К, под действием 1 О магнитного поля дуга вытягивается, принимая форму подковы, тем самым иониэирует промежуток КА между элек" тродами. Вследствие уменьшенного меж, электродного расстояния КА возрастает 1 напряженность электрического поля в этом промежутке, что улучшает условия самовозбуждения дуги между...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 1830491

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Воронин, Поспелов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, объекта, параметров

...напряжения на линии я, модуль коэффициента отраженияГили КСВ - коэффициента отоянеи волны и ло этим данным - реактивную проводимость а 1/Х.,;,),;: й 4,г 4 ОГГ, ,Г 1101 Х ХЕ,Г, Которио ОбуСГОВ)3 гВао 8 МКОСтный ) аг)ак 80 г,; акгив 3 й 100 водимссги,ПСЛВ ЭТОГО РЗССЧИТЬ)ЗЮТ ОПРЕЙ 8 ЛГ 8- мы38 и Сины , и 1 д, Для твердых 14 сследу 1 ьх Обьектов пр 4 меЯОт формулы и Волноводы соответственно;+-, - дгя31,г) ч 1,ВОГ НОВО)3 НОй ЛИНИИ ПЕРЕТ) 7) = 3 Т" (-Г)1.ое " 31 о ,1г.,-,., ,/ - для обоих сгу 3 иев,причем для жидк)го образца во всех формуЛа 11Эамгня На(Г 3) 1 аещи 1 В ОдНОМОВОВОМ г)8;11 г 8 На Водна Н 17) либо - 4 етаг)ически 4 коаксиаг 1 ьныи ВолО;од также оаботао 33 Й в Ог,омогО- вом режи)48 на Волне ТЕМ,-;сл 1 необходимо Определить...

Номер патента: 2001052

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Быкадоров, Каргин, Кондратьев, Миронова, Радченко, Рева, Тихомиров, Шемякин

МПК: C08J 5/02

Метки: диэлектрических, перчаток

...ги роп ьОГО 1,111.100 г дивинилстирольного ТЗП маркиДС 1-30-58 1 ГУ 38103267-80) растворяю в900 г толуола, Полученныи раствор выдерживают одни суткиИз перча-ок после садни вупканиэациивырезают образцы размером 70 х 70 мм, 20010525 10 20 25 30 35 40 45 50 55 П р и м е р 5. В этом примере приводятся результаты по промышленному изготовлению и промышленным испытаниям диэлектрических перчаток. изготовленных по изобретению.Перчатки на формах из камеры вулканизации охлаждают до 20-25 С и погружают в ванну с раствором, содержащим 15 мас, дивинилстирольного ТЭП марки ДСТ-58, на 45 с. погружают в полученный раствор и выдерживают в течение 5-60 с, Образец покрывается пленкой из ТЭП, Полученные образцы сушат 15 мин при 20-25 С а затем 5 мин при...

Номер патента: 2001053

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Быкадоров, Каргин, Кондратьев, Миронова, Радченко, Рева, Тихомиров, Шемякин

МПК: C08J 5/02

Метки: диэлектрических, перчаток

...обосновы;вается применение 1 О мас, раствора изо 2001053прецстирольцого каучука, 100 г каучука марки ИСТ(ТУ 38.103392-83) растворгцот в 900 г толуола, Полученный раствор выдерживают одни сутки,Из перчаток после стадии вулканизации вырезают образцы размером 70 х 70 мм, погружают в полученный раствор и выдерживают в течение 60 с. Образец покрывается пленкой из каучука, Полученные образцы сушат 15 - 20 мин при 20-25 С, а затем 5 мин при 100 С и обрабатывают в антиадгезионной эмульсии в течение 10 мин,В табл. 2 приведены результаты по испытанию образов в парах воды по ГОСТ 10315-75 и электрические испытания по точечному пробою током на частоте 50 Гц на приборе АИМс измерительным электродом в форме шара с радиусом 2,5 мм с нагрузкой на...

Номер патента: 2001411

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Подгорный

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, характеристик

...е 1 кости измерительног- конлд саторп нгрь 1 але ин2001411 10 45 50 55 тегрировдния, симглетричном относительно резонансного положения подвижного электрода. 1=ч т, где ч - скорость изменения емкости измерительного конденсатора- ячейки, пФ/с, а 1 - половина времени интегрирования,с:О, - напряжение на выходе интегратора после окончания интегрирования при помещении образца в межэлектродное пространство ячейки;ОоО ) - напряжение на выходе интегратора при отсутствующем образце в ячейке после окончания интегрирования,Интервал интегрирования устанавливают равнь.м времени прохождения ширины резонансной характеристики контура при отсутствующем образце на уровне 0,7. Цель достигается также тем, что в устройство для измерения диэлектри ,еских...

Номер патента: 2003802

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Жученко, Ростовский, Сурков

МПК: E21C 37/18

Метки: диэлектрических, полупроводящих, разрушения, твердых

...токопроводящими вставками, которые введены между электродами для размещения в разрушаемом материале, при этом число токопроводящих вставок рассчитывается из соотношенияи+1 ц В Г 1,д и+1б" где и - число токопроводящих вставок;0 - напряжение пробоя между рабочимиэлектродами;Оо - расчетное напряжение пробоя между рабочими электродами без вставок;б - расстояние между рабочими электродами;б - расстояние между двумя рабочимиконцами ближайших вставок;а - безразмерный эмпирический коэффициент, учитывающий свойства разрушаемого материала и форму электродов.2. Устройство по п,1, отличающееся тем, что токопроводящие вставки выполнены в виде металлических штырей,П р и м е р 2. Для 0=94 кВ для того жематериала, бетон(исходные данныепрототипа) после...

Номер патента: 2005112

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Костомаров, Матвиевский, Самойлов, Скачкова, Харламова

МПК: C04B 35/00

Метки: диэлектрических, керамических, конденсаторов, преимущественно, слоев, формирования, шликер

...и перемешивают смесь до однородного состояния, Керамический порошок известным образом, например в2005112 Состав 1 Состав 3 Состав 2 53,853,751,4 559 3,31,1 Керамический порошок на основе титанатов 51,8Этилцеллюлоза 4,2Дибутилфталат или олигоэфиракрилат 1,7Моноэтиловый эфир диэтиленгликоля илимонобутиловый эфир. этиленгликоля 10,1Сосновое масло или терпинеол 19,9Бензиловый спирт 10,1Триэтаноламин 2,2 9,8219,669,821,7 9,619,49,61,2 вибромельницах, диспергируют в водной среде при влажности 36-40% до достижения размера частиц не более 1,5 мкм и удаляют(например, сушкой в распылительной сушилке при 350 С) влагу до остаточной влажности0,05, Затем полученный предварительно измельченный керамический порошок смешивают с заявляемым количеством...

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 430763

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/14, H05K 3/00

Метки: диэлектрических, отверстиями

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ, преимущественно для электронных приборов, включающий электрохимическое анодирование полированной стороны заготовки, выполненной в виде пластины, например алюминиевой, с предварительной защитой противоположной стороны пластины изоляционным материалом, формирование отверстий и контуров деталей, снятие защитного изоляционного материала, травление слоя алюминия и разделение заготовки на отдельные детали механическим путем, например ультразвуком, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества деталей, анодирование производят на глубину порядка 1 мкм, после чего на места будущих отверстий и контуров анодированной поверхности алюминиевой пластины наносят...

Номер патента: 688022

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Сурмач, Шохина

МПК: H01J 9/14

Метки: анодной, диэлектрических, металла, окиси, отверстиями

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ МЕТАЛЛА преимущественно для электродных приборов, включающий операции толстослойного анодирования одной из поверхностей металлической пластины, избирательное вытравливание неокисленного металла, фотолитографическое нанесение рисунка и травление анодной окиси металла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отверстий и устранения разнотолщинности перемычек, после вытравливания неокисленного металла на поверхность пластины, контактирующей в процессе анодирования с электролитом, наносят защитный слой металла, а фотолитографическое нанесение рисунка осуществляют на другой поверхности пластины.

Номер патента: 580767

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Григоришин, Котова, Кухновец

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, отверстиями, углублениях

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ В УГЛУБЛЕНИЯХ, содержащий операции предварительного покрытия алюминиевой пластины мягким слоем анодной окиси алюминия, нанесения в местах будущих углублений слоя фоторезиста, анодирования в слаборастворяющем анодную окись алюминия электролите, удаления фоторезиста, повторного анодирования и вытравливания оставшегося алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности изготовления отверстий и их расположения, после операции покрытия пластины мягким слоем анодной окиси алюминия всю пластину, за исключением мест будущих отверстий, покрывают фоторезистом, в незащищенных местах получают твердый слой окиси алюминия анодированием в электролите, не растворяющем анодную окись...

Номер патента: 1508937

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Кайзер, Лейсле, Машарский, Черняев, Шверцер

МПК: H05B 6/64

Метки: алтай, диэлектрических, обжига, свч-устройство, сушки

СВЧ-УСТРОЙСТВО "АЛТАЙ" ДЛЯ СУШКИ И ОБЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ.СВЧ-устройство для сушки и обжига диэлектрических изделий, содержащее СВЧ-генератор, связанный с камерой нагрева, контейнер для транспортировки обрабатываемых изделий в камере нагрева, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности при высокотемпературной сушке и обжиге, введен металлический короб, гальванически связанный с камерой нагрева, в котором расположен вне камеры нагрева конвейер, который выполнен в виде пластинчатого металлического транспортера, в камере нагрева выполнена продольная щель для расположения обрабатываемого изделия в камере нагрева.

Номер патента: 1329486

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Ерофеев, Зотов, Неганов, Поздняков, Цветков, Шалаев, Шаткин

МПК: H01J 23/30

Метки: высокочастотного, диэлектрических, опорных, отбраковки, пакета, прибора, свч, стержней

СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ОПОРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТЕРЖНЕЙ ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПАКЕТА ПРИБОРА СВЧ, содержащего замедляющую систему и N опорных диэлектрических стержней, включающий измерение характеристик поглощения СВЧ-мощности опорным диэлектрическим стержнем и определение его годности, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда и увеличения выхода годных, в макете, содержащем замедляющую систему с N-1 опорными диэлектрическими стержнями, помещенную в цилиндрической обойме со сквозным продольным пазом, определяют затухание G1 СВЧ-мощности, в макет через продольный паз устанавливают один стержень, закрепляют его прижимом ножевого типа, повторно измеряют затухание G2 СВЧ-мощности, а о годности стержня...

Номер патента: 1580852

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Зыков, Качанов, Марущенко, Фареник, Юнаков

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, диэлектрических, мишеней, поверхностей

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ В ВАКУУМЕ, включающий бомбардировку мишеней ускоренным пучком положительных ионов и компенсацию заряда электронами катода-нейтрализатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет улучшения однородности обработки и снижения вносимой дефектности, на поверхность катода-нейтрализатора подают положительный потенциал (B), выбираемый из выражения5 kТ e < E; < U,где k постоянная...

Номер патента: 1817555

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Астайкин, Бикмухаметов, Помазков

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, параметров

...повышена достоверностьопределения параметров материала,Эта цель достигнута тем, что в способеопределения диэлектрических параметров20 материалов, включающем разделение электромагнитной.волны на две когерентные,одновременную передачу этих волн по двумканалам - .опорному и зондирующему с исследуемым образцом, измерение затухания25 электромагнитной волны в образце и определение диэлектрических параметров материала исследуемого образца расчетнымпутем, электромагнитную волну до разделения модулируют последовательностью ви 30 деоимпульсов с длительностью импульса иг, периодом повторения Т, преобразуют вплоскую волну, измеряют время задержкиЬ 1 видеоимпульсов зондирующего каналаотносительно видеоимпульсов опорного канала, а...

Номер патента: 1322701

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Левченко, Недыбалюк

МПК: C23C 14/42

Метки: вакууме, диэлектрических, катодным, нанесения, покрытий, распылением

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ В ВАКУУМЕ, содержащее катод-мишень, подложкодержатель и кольцевой анод, расположенный между катодом-мишенью и подложкодержателем соосно геометрической оси катод-мишень подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и повышения его экономичности, на кольцевом аноде, равномерно по его периметру, выполнено не менее трех выступов игольчатой формы.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что длина выступов не менее 4 мм.

Номер патента: 1156376

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Лапко, Макатун, Мацепуро, Новикова, Носов, Тикавый, Шульман

МПК: C09K 3/00

Метки: действие, диэлектрических, композиция, крепления, поля, реагирующая, текучая, электрического

1. ТЕКУЧАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ, РЕАГИРУЮЩАЯ НА ДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ, состоящая из наполнителя, в который входит основа и мелкодисперсный кремнезем, активатора-полиэтиленполиамина, неполярного маслянистого связующего в виде масла вакуумного и разжижителя в виде моноолеата глицерина, отличающаяся тем, что, с целью увеличения удельного сопротивления сдвигающему усилию в электрическом поле при креплении диэлектрических деталей, в качестве основы наполнитель содержит дигидротриполифосфат хрома при следующем соотношении компонентов, мас.%:Мелкодисперсный кремнезем - 7,5 - 8,8Дигидротриполифосфат хрома - 66,5 - 68,1Полиэтиленполиамин - 1,5 - 2,5Моноолеат глицерина - 5,2 - 6,3Масло...

Номер патента: 647984

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ преимущественно для вакуумных интегральных схем, включающий селективное электрохимическое оксидирование алюминиевой заготовки, химическое травление неокисленных участков, нагревание в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств деталей за счет уменьшения их пористости, после нагревания в окислительной атмосфере диэлектрические детали обрабатывают жидким тетраэтоксисиланом, нагревают до 750 - 800oС и выдерживают 10 - 15 мин, после чего упомянутые операции повторяют многократно.

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Номер патента: 1610939

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Гроссман, Зайдман, Караваева

МПК: C25D 13/02

Метки: диэлектрических, осаждения, покрытий, суспензия, электрофоретического

СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОФОРЕТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ на металлические изделия, содержащая ситаллоцемент системы BaO MgO - B2O3 SiO2, азотнокислый алюминий и изобутиловый спирт, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения разнотолщинности покрытий, улучшения их электроизоляционных свойств и расширения технологических возможностей, она содержит компоненты при следующем соотношении, мас.Ситаллоцемент системы BaO MgO B2O3 SiO2 2,5 - 3,5Алюминий азотнокислый (девятиводный) 0,003 0,009Изобутиловый спирт Остальное

Номер патента: 940601

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Емельянов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: диэлектрических, покрытий

1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Клименков, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: газовая, диэлектрических, селективного, слоев, смесь, сухого, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Номер патента: 1378767

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Мараховка, Парм, Ронжин, Соловьев

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазмохимического, синтеза, слоев

Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжатия потока реакционной смеси к центру реактора и снижения радиационного влияния плазмы на образцы, камера активации выполнена в виде тора, охватывающего камеру синтеза газа, в боковых стенках которой выполнены отверстия для напуска газов, а ВЧ-электрод имеет форму кольца и расположен в центре камеры активации...

Номер патента: 1706235

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Барвинок, Богданович, Журавлев, Козлов, Малкин, Плотников, Хомов

МПК: C23C 14/34

Метки: диэлектрических, подложек, разряде, тлеющем

Устройство для обработки диэлектрических подложек в тлеющем разряде, содержащее рабочую камеру, подложкодержатель, нагреватель-катод и источник питания нагревателя-катода, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и расширения функциональных возможностей, катод выполнен в виде гирлянды из нескольких подвижных трубок, электрически соединенных между собой с возможностью изменения конфигурации по форме обрабатываемой подложки.