Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 1638663

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Константинов, Осотов

МПК: G01R 27/20

Метки: высоковольтного, диэлектрических, изоляции, напряжении, потерь, присоединения, рабочем, электрооборудования

...6. В процессе сборки схемы измерительные кабели от мостовой схемы с образцовым объектом подключатся к клеммам 9 и 10, смонтированным, как минимум, на двух одноименных фазах электрооборудования, одна из которых является образцовой, а другая контролируемой. После отключения на время измерения рубильников 6, 13 резисторы 1, 11 контролируемого и образцовых объектов оказываются заземленными в одной точке, а именно в месте установки моста. Это достигается тем, что напряжение между местом установки и заземления моста и заземления контролируемого и образцового оборудования во много раз (в большинстве случаев на порядок) ниже величины напряжения, необходимой для замыкания цепи через стабилитроны 2 и 3. Отключение (пе" реключение) измерительных...

Номер патента: 1638665

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Бернавс, Калпиньш, Ломановскис, Матис, Штраус

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, неразрушающего, характеристик, электроемкостный

...на исследуемый материал 16. На входные клеммы 12 и 13 электроемкостного преобразователя подается тестовое напряжение, которое создает электрическое поле между высокопотенциальным 1 и низкопотенциальным 3 электродами, а также посредством конвертора 4 отрицательного сопротивления создает дополнительное электрическое поле между высокопотенциальным 1 и дополнительным 2 электродами противоположного знака по отношению к электрическому полю между высокопотенциальным 1 и низкопотенциальным 3 электродами. Кроме того, тестовое напряжение посредством буферного усилителя 6 подается также на второй дополнительный электрод 5, таким образом поддерживая при этом равными по времени напряжения на высокопотенциальном 1 и втором дополнительном 5...

Номер патента: 1642339

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Конев, Любецкий, Швайко

МПК: G01N 22/00

Метки: анизотропии, диэлектрических, листовых, частотно-поляризационный

...Ю , Яр ) и кон- Ъу измерений А, Г, ) . МаксимумЙ Иопределяет разность Фаз волн.Ло 35 распространяющихся вдоль ортогональных осей анизотропии с соответствующими диэлектрическими проницаемостями глох ф Ее где 62(с) - сдвиг частоты сигнала впроизвольный момент времени 9ч(ь) - скорость распространения5сигнала в среде;Ь - размеры участка, на котором происходит изменение(л)выражение (1) справедливо при10чф)уф).При прохождении СВЧ-сигнала с изменяющейся во времени поляризацией через анизотропную пластину толщиной Ь со ско остью распространения= с/ Я (б) выражение (1) можно записать следующим образом6 К(.)= -- , -- Я( ) - -. - т -- =л 1 йоЬ, л с ,)с 1 Я(б)2 са ( --Способ реализуют следующим образом.СВЧ-сигнала с выхода СВЧ-генератора 1...

Номер патента: 1642348

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Легуша, Пасынков, Финагин

МПК: G01N 25/72

Метки: диэлектрических, неразрушающего

...ых четн ых собствен н ых мод продольных колебаний, а затем регистрируют температурное распределение ЬТп(х,у) на поверхности 2 изделия, параллельной направлению 3 колебаний. Вид распределения Ь Тп(х,у) зависит от степени однородности внутренней структуры материала изделия и номера моды колебаний и, возбуждаемой в нем,Так, например, в изделиях в виде пластин, изготовленных из однородного неполяризованнЬго диэлектрика, четные моды собственньх продольных колебаний вообще не возбуждаются и какое-либо температурное распределение на поверхности пластины не возникает. Такие изделия должны быть подвергнуты дальнейшим испытаниям посредством одного из известных способов неразрушающего контроля изделий из диэлектрических материалов на...

Номер патента: 1642411

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бывалый, Машкин, Шевченко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, параметров

...напряжения и тока полной утечки О и 1- и активную мощность Р, рэссеиваемую в диэлектрике, Определяют реактивную мощность О, активную сквозную мощность Рскв, активную абсорбционнуюмощность Рабс и тангенсы углов диэлектрических и сквозных потерь 19 д, 19 д, а затем определяют диэлектрическиепараметры изоляции коаксиэльного кабеля(Е 1,Е, 1 Е 1,уабс)Справедливость расчетных выраженийдля диэлектрика, схема замещения которого приведена на фиг. 6, следует из анализавекторных диаграмм (фиг. 2 - 5) для этой схемы замещения. На диаграммах принятыследующие обозначения: Ькв- комплекс эквивалентной диэлектрической проницаемости; Б Е 1 - соответственно его мнимая идействительная части; Й- комплексная диэлектрическая проницаемость; г; - ее мниг.....

Номер патента: 1651238

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Крылов, Скоробогат, Скрипников

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, измеритель, параметров

...напряжения с управляемого генератора сицхронизирующихимпульсов, который, в свою очередь,управляется цифровым кодом, пропорциональным изменению С; ва времени15 55 и прихсдящим с второго выхоца блока измерения.С первого выхода блока 3 измерения на блок управления поступает цифр роной код., пропорциональный сд и определяющий пороговый уровень для сравнения с сигналом на выходе измерительного резонатора 2, определяя амплитуду изменения напряжения на выходе генератора изменяющегося напряжения,Цифровой код, поступающий с первого выхода блока 3 измерения, в цифроаналоговом преобразователе 5 преобразуется в напряжение, которое устаан.",.:вает опорный уровень срабатывания комп:р:;:-ора 6, сравнивающего ега с напряж;.вием на выходе...

Номер патента: 1659826

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Лещенко, Мишева, Шеремет

МПК: G01N 27/24

Метки: диэлектрических, металлическом, основании, оценки, пленок, пор, размерам, распределения, толстых

...данной вязкости.Процедуру измерения начинают с заполнения ячейки электролитом максимальной вязкости. Далее последовательно измеряют емкость, заполняя ячейку электролитом меньшей вязкости. Таким образом получают зависимость с = 1 (ф где ю - вяз 1659826кость электролита. Ячейку заполняли электролитом на основе глицерина, последовательно уменьшая его вязкостьпутемразбаВления ВОДОЙ От Рмас = 6,05 10 Пас до ммин= 1 005 10 Па с. Зависимость 5-3С = 1(ю) можно перестроить в зависимостьчисла пор определенного диаметра, заполняемых электролитом выбранной вязкости, й = 1(О), учитывая удельную емкость двойного электрического слоя С, = 0,2 Ф/м . 102Указанное преобразование выполняетсячерез ряд функциональных зависимостей:ЛС 1 = ( и), М = 1( Р ), б...

Номер патента: 1659834

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Елисеев, Зимин, Панов, Ротенберг, Целуйкин

МПК: G01N 27/60, G01R 27/00

Метки: диэлектрических, свойств

...30 35 4010 минимальны. Согласно результатам экспериментальных исследований электростати 20 25 30 35 50 55 их измерительных электродов 2, Выходные характеристики электростатических датчиков в зависимости от приближения к ним поверхностей диэлектриков имеют экстремальные значения (минимумы) потенциала, поэтому электроды 2 на определенных расстояниях от поверхности диэлектрика принимают эти значения. Вычитание сигналов электродов 2 и 3 и последующее усиление раэностного сигнала с помощью усилителей 7 и 8 позволяет получить на их выходах максимальные значения потенциалов в тот.момент, когда выходные сигналы датчиков ческих датчиков сигнал от каждого из них на некотором интервале расстояний принимает минимальное значение, которое по мере...

Номер патента: 1659910

Опубликовано: 30.06.1991

Автор: Подгорный

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, характеристик

...переключателей 3 и 5 к вспомогательному конденсатору 2 и входу детектора 6 подключены катушка 7 индуктивности и двухполюсник 11 связи, обеспечивающие требуемую точность измерения диэлектрической проницаемости при максимальных диэлектрических потерях в исследуемом веществе.Блок 13 управления(прямой выход Т-триггера 30) попеременно подключает вС- контур, образуемый катушками 7 и 8 индуктивнасти и вспомогательным конденсатором 2, ячейку 9 и градуированный конденсатор 10, при этом контур настраивается в резонанс, соответственно, или вспомогательным конденсатором 2, или градуированным конденсатором 10.В результате настройки емкость градуированного конденсатора 10 устанавливается равной емкости ячейки 9, и по шкале конденсатора 10 определяют...

Номер патента: 1662021

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Безруков, Иванов, Спиридонов, Суходолов

МПК: H05K 3/12

Метки: диэлектрических, микросхем, проводящих, рисунка, слоев

...отклоняющегоэлектрического поля меньше 5 кВ/см прак тически не происходит отклонения полетакапель, а при превышении напряженности свыше 30 кВ/см полет капель сопровождается помехами из-за спонтанных коронных или покровных разрядов в зоне межэлект родного промежутка.Конкретные примеры реализации способа сведены в таблицу,15 Формула изобретенияСпособ изготовления рисунка проводящих и диэлектрических слоев микросхем, включающий формирование струи рабочей жидкости под давлением и ее подачу на под ложку при относительном перемещенииподложки и струи и термообработку полученных слоев, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения производительности, экономичности и разрешающей способно сти процесса, давление при формированииструи рабочей...

Номер патента: 1666976

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Алексейчик, Дроздов, Морозов

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, диэлектрических, параметров

...датчик 25. измеритель добротности 26, направленный ответвитель 27 и соласованную на рузку 28 Вторые выходы направленных ответвителей 24 и 27 соединены с входами измерителя добротности 26, а второй выход генератора 21 соединен с частотомером 22,В качестве измерителя добротности 26 можно использовать два измерителя мощности или измерителя отношений,Схема работает следующим образом.Через элемент 16 связи возбуждают в резонаторе 1 датчика 25 резонанс с типом колебаний Ро 1 а СВЧ-сигналов, поступающих от генератора 21 СВЧ через ферритовый вентиль 23 и направленный ответвитель 24. Производят настройку резонатора 1 почастотомеру 22 и и измерителю добротности 26 путем произвольного перемещения поршней 4 и 5 и диэлектрических подложек 18 с...

Номер патента: 1669087

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Бородин, Вендин, Кузнецов, Михайлов

МПК: H05B 6/06

Метки: диэлектрических, свч-обработки

...где Л - длина волны излучения в воздушной среде, м;И - действительная часть диэлектрической проницаемости материала ленты.1".ссгояние (з между конвейерной лен-, 3 и экраном 1 устдндвливается цо соотцшанию Я 1= -- дгсЯ ( 2,.г - , )Ю 19( " 1 ) Б процессе работы датчик 9 контролируе суммарный отраженный сигнал и с помощью привода 7 путем перемещения экрана поддерживается минимум суммарного коэффициента отражения,Б кдчес Гве примера конкретной редли здции способа предлагается случай СБЧ- обработки тепличного грунта на СВ(-усздновка с длиной электромагнитной волны излучения Я= 0,126 м. Проводимость тепличного грунта и=. 1 10 см, действиельндя часть диэлектрической проницаемости грунта О= 2,0, Материал конвейерной ленты фтороплдст (ег=...

Номер патента: 1670559

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Зырянов, Меньшиков, Павин

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, сыпучих, характеристик, ячейка

...обоих основаниях электроды являются сменными. 1 ил. внешний электрод 6 диэлектрический борт Полная емкость и ячейки при длине эле С 1+ Ср 1+ См+ где Ср, См, Ск - соо монтажная и краевая Ом - проводимост Полная емкость и ненной пробой ячей электродов:Полная емкость и проводимость заполненной пробой ячейки при новой длинеэлектродовС 2 Срг См 2 + Ск 29 5б 2 = Ебм 2 + - Ср 2.ЕоТак как в процессе измерения разъем,основания внешнего и центрального электродов остаются неподвижными, тоСм 1 = См 1 = Смг = Смг, 10бм 1 о = бм 1 = бм 2 = бмгКраевые емкости пустой и заполненнойячейки при разной длине электродов соответственно равны благодаря равенству диаметров соответствующих электродов и 15одинаковости изменения их длины,Ск 1 = Ск 2, Ск 1 =...

Номер патента: 1670562

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Братанов, Овчинников

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, датчик, диэлектрических, емкостный, объемных

...из расстояни одами;- диэлект ителя поло где 1 -б -электрость элекрическая прони ти измерительн напо трод В качестве наполни электродов может быт и ример, оргстекло. Датчик работает сл Конфигурация изме дов в датчике обеспечи поля в измерительной э дами и создает низкий геля измерительны использовано, на дующим образом.рительных электроает концентрациюоне между электроадиент поля по оси ОСУДАРСТВЕ 1.НЫЙ КОМИТЕТ О ИЭОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ерительного электрода; между измерительными1670562 Составитель В, Немцеведактор Н, Горват Зехред М.Моргентал орректор Н, Ко Заказ 2746 Тираж 378 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский...

Номер патента: 1672210

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Амельянец, Дымшиц, Пчельников, Синютина

МПК: G01B 15/02

Метки: диаметра, диэлектрических, формы, цилиндрической

...замедля ющую систему 2 цилиндрической формы, фазометр 3, конт 2(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДИАМЕТРА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ФОРМЫ(57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - увеличение точности измерений за счет обеспечения высокой стабильности зависимости фаэовой скорости поверхностной волны от диаметра контролируемой детали и несущественности влияния изменений диэлектрической проницаемости материала детали на фазовую скорость вышеуказанной поверхности волны. Деталь цилиндрической формы устанавливают по оси замедляющей системы, возбуждают в замедляющей системе аксиально-симметричную поверхностную волну и измеряют фазовое время запаздывания, по величине которого судят о диаметре контролируемой...

Номер патента: 1672338

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Невлева

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, листовых, прочности

...в частотозадающую цепь генератора. Измеряют текущее значение частоты и межэлектродное расстояние (толщину листа), по которым определяют прочность. используя предварительно найденную аналитическую зависимость, 1 ил. Устроиство, реализу держит измерительный сатор 1 с цилиндрически 3, подпружиненными и с рителем межэлектродно нератор 4, в частота которого включен конде ющее способ, сороликовый конденми электродами 2 инабженными измего расстояния, гезадающую цепь нсатор 1, частото1672338 Формула изобретения Составитель Ю,Коршунов Редактор С.Патрушева Техред М,Моргентал Корректор А.ОсауленкоЗаказ 2835 Тираж 377 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...

Номер патента: 1673329

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Смоленцев, Трофимов

МПК: B23H 3/00, B23H 9/14

Метки: диэлектрических, отверстиями

...ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.гагарина, 101 Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при обработке диэлектрических материалов.Цель изобретения - расширение технологических возможностей за счет обработки глухих отверстий.На чертеже представлена схема обработки и устройство для реализации предлагаемого способа.Устройство содержит электрод-инструмент 1, токоподводящий участок 2, покрытый изоляцией 3 и расположенный внутри трубчатой вставки 4, электрическую связь 5 и диэлектрическую заготовку б.Способ осуществляется следующим образом.Участок 2 помещают в вставку 4...

Номер патента: 1675756

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Кожаринов, Крылович, Крюков

МПК: G01N 29/04

Метки: диэлектрических, неразрушающего

...синусоидальное напряжение до 5кВ и частотой до 20 кГц, На поверхностиизделия 5 располагают акустический преобразователь 3, например пьезоэлектрический. С блока 2 питания на конденсаторы 1подают напряжение, достаточное для формирования в изделии 5 однородного переценного электрического поля смаксимальной напряженностью, равной 0,9напряженности пробоя материала изделия,"о есть порядка 10 В/см, При наличии визделии 5 газовых пор 6 в последних возникает ионизация, проводящая благодаря разогреву газовой полости к резкомуувеличению давления газа в ней и, соответственно, к колебаниям стенок поры 6, распространяющихся в изделии 5 в виде 15 20 25 30 35 40 45 50 55 упругих колебаний. Инициируемые газоразрядным процессом акустические...

Номер патента: 1679410

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Белов

МПК: G01R 27/02

Метки: диэлектрических, измерений, кондуктометрических

...этой операции емкости измерительного конденсатора и эталонного элемента будут равны, и емкость измерительного конденсатора мОжно определить по шкале переменного конденсатора в эталонном элементе. Затем с помощью веременного резистора в эталонном элементе необходимо сделать нулевыми показания регистратора 15, Это тоже можно сделать с первой попытки, так как при равенстве емкостей измерительного и эталонного элементов изменение амплитуды колебаний при переключении коммутаторов 2 и 3 вызвано только различием сопротивлений измерительного конденсатора и эталонного элемента. После выполнения этой операции активное сопротивление измерительного конденсатора равно активному сопротивлению резистора в эталонном элементе и может быть определено по...

Номер патента: 1681280

Опубликовано: 30.09.1991

Автор: Трепов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, характеристик, электрических

...следующим образом.Наносекундные импульсы через коакси-, альный разьем 5 и через симметрирующее устройство 4, 6 подаются в четырехпроводную линию, образованную токопроводящими пластинами 1, распространяются по ней, 1681280отражаются от конца с коэффициентом отражения, равным 1, распространяются по линии в обратном направлении и поступают через коаксиальный разъем 5 на индикатор, На экране индикатора наблюдается импульс от генератора и импульс, отраженный от конца линии, при этом фиксируются временное положение и амплитуда импульса, отраженного от конца линии, После чего датчик вводится частично, например на половинудлины, в исследуемый материал, при этом отраженный ранее от конца линии импульс раздваивается. Первый из отраженных...

Номер патента: 1684591

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Борячок, Катков, Копылов, Сальников

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, измеритель, покрытий, толщины

...2, причем импульсы Отц 1 сдвинуты по фазе на 90 фазовращателем 10. Реверсивные счетчики 6 и 7 срабатывают в каждом периоде в моменты прихода запускающего фронта импульса на счетные входы счетчиков 6 и 7. При этом направление изменения их состояний определяется тем, каков в этот момент логический уровень напряжения Онс, что зависит от направления отклонения измерительной цепи от равновесия. Реверсивный счетчик 7 реагирует на активную составляющую, а реверсивный счетчик 6 - на реактивную составляющую сигнала неравновесия.Выходные сигналы реверсивных счетчиков (коды йецх,1 и Маых.2), являющиеся носителями информации о значении измеряемой емкости и проводимости соответственно, управляют цифроаналоговыми преобразователями 9 и 10. На их...

Номер патента: 1686030

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Балицкий, Брынский, Данилевич, Макаренко, Панов, Похмурский, Тыхан

МПК: C23C 4/00

Метки: диэлектрических, покрытий, состав

...содержания оксидов титана и иттрия сверх 16,8 мас. приводит к понижению сопротивления хрупкому разрушению и ухудшению диэлектрических свойств, Добавление в1686030 Состав, мас,3 Свойства ппнрытия Злентоичесняя прочность Е,н 8/мч Старение - ереме наступления Прочность Г 1 точностьна раэсье54, Па Т 10 С нот А 14 От Ятот КятОэ прпопя ппи наполнении, нБ/мч орпления 6,2 4,8 6,5 3,6 3, 4,0 2,55 2,6 0,5 пин27 с1 мин;4 ч20 с10,с 21,8 ч11,5 чч6 ч5 чт0,7 ч0,5 ч 132 13,0 12,3 12,5 12,8 12,7 1 З 82,1 80,7 79;7 85,0 8611 85 8 ф100 23 25 23 18 17 20 15 10 1,2 2,3 40 мин 10 мин 50 мин э мин 5 мин 5 мин 5 1 О с 30 32 24 21 23 20 13 2,4 2,8 3,6 г,5 1,1 1;г 1,5 1,2 г,з Иэвестны 1 состав. Составитель Л.Нестеренко Редактор И,Шмакова Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1688197

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Власов, Контарь, Сыромятников

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, характеристик

...отрезка волноводного тракта, толщина держателя б определяется толщиной исследуемого диэлектрика. Держатели 6 с образцами помещают в кассету 4 и устанавливают на направляющие 7 так, чтобы первый держатель б был расположен напротив зазора между Фланцем части 1 и флан-неподвижной частей 1 и 2 путем отсжимаемого волновода для обеспенеобходимого зазора между Флан ил. цем части 2 сжимаемого волновода. После этого включают привод 8, перемещающий рамку 3 с толкателями, один из которых перемещает держатель 6 в зазор между Фланцами по направ)ляющим 9, причем полки 10 отжимают сжимаемый волновод, обеспечивая необходимый зазор между фланцами.После установки держателя 6 между фланцами два штыря 11 сходят по наклонным отжимающим полкам 1 О, и...

Номер патента: 1688465

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Ильин

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрических, сыпучих, термообработки

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к техникеСВЧ-нагрева и может использоватьсяв химической, металлургической ифармацевтической отраслях.5Цель изобретения - улучшение качества нагрева.На фиг.1 приведена конструкцияустройства для термообработки сыпучихдиэлектрических материалов; на фиг,2 -10разрез А-А на фиг.1,Устройство для термообработки сыпучих диэлектрических материалов содержит цилиндрическую камеру 1, загрузочное и разгрузочное окна 2 и 3, 15СВЧ-генератор 4, шнек 5.Устройство для термообработкисыпучих диэлектрических материаловработает следующим образом.Через волновод 6 от СВЧ-генератора 204 осуществляется подача в...

Номер патента: 1688466

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Петрунина, Сатаров, Соколов

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрических, пленочных, свч-сушки

...обрабатываемым диэлектрическим материалом, 9. Непоглощенная СВЧ-энергия рассеивается согласованной нагрузкой ч, подключенной к концу отрезка 2 волновода, т.е. к его секции 8. Таким образом, имеется место чередования зон, отличающихся количеством электромагнитной энергии, подводимой к секциям отрезков 1 и 2 волновода так, что по иере транспортировки обрабатываемого диэлектрического материала 9 поочередО 5 20 25 30 35 45 50 55 но по секциям отрезков 1 и 2 волновода, начиная с первой секции б отрезка 2 волновода, разность в количестве подаваемой на вход в каждые двеочередные соседние секции энергииувеличивается, причем от незначительной величины на входе в устройствоСВЧ-сушки до весьма существенной навыходе диэлектрического материала...

Номер патента: 1689815

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Максимович, Тиханович

МПК: G01N 22/00

Метки: анизотропии, диэлектрических, механической, неразрушающего

...азимуту отраженной волны, поступает в блок 12. Блох 9 в соответствии с управляющим сигналом с модулятора 3 работает в двух режимах. В 35 первом, при облучении материала 4 линейно г(оляризованной электоомагнитной волной, плоскость поляризации котовой составляет 450 с плоскостью падения, с помощью блока 9 определяют отношение ми нимального значения сигнала к максимальному, которое дает значение коэффициента эллиптичности отраженной электромагнитной волны, поскольку анализатор 6 при вращении эллипса поляризации вращателем 5 в минимуме сигнала выделяет малую ось эллипса, а в максимуме - большую. Во втором режиме, при облучении материала 4 линейно поляризованной электромагнитной волной, плоскость поляризации которой составляет...

Номер патента: 1689996

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Артамонов, Брагин, Дяконенко, Косова, Ляшенко, Могила, Пивен

МПК: H01B 3/42

Метки: диэлектрических, органическое, паст, проводниковых, связующее

...в виде мелкодисперсных порошков,1689996 Таблица 1 При испытании органического связующего используют следующие порошковые композиции, мас,ф 4:Серебро с размером 0,5-3,0 мкм 72.Палладий с размером частиц 0,2-2,0 мкм 20. 5Висмут (И) (окись) с размером частиц 1-7 мкм 3,0.Стекло с удельной поверхностью 8500+500 см /г 5,0.Медь с размером частиц 0,1-3,0 мкм 85,5, 10Стекло с удельной поверхностью 8000+500 см/г 15Кристаллизирующееся стекло или ситаллоцемент с размером частиц 0,1-20 мкм,Корундовый порошок с размером час тиц 0,1-15 мкмСоставы и результаты испытания органического связующего в электропроводящих и диэлектрических пастах представлены в табл. 2. 20Органическое связующее. содержащееменьше 3 мас.ацетилцеллюлозы и боль-ше 11 мас,ьне...

Номер патента: 1693566

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Березкин, Булатов, Пиганов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, емкости, конденсаторов, потерь, тангенса, угла

...напряжения на генератсфе, Вычисленны 8 таким Образом значениЯМГновенных напряжений на конденсатореОс 1, Ос 2 ИСПОЛЬЗУЮТ ДЛЯ ВЫЧИСЛВНИР ВМкости С и тангенса угла диэлектрическихпотерь конденсатора т 9 д по формулам2591 П -йУй 237Гд 8 С емкость изм 81)яемОГО конденсатора по параллельной схеме замещения, МКФ;Дт - интервал Времени между моментами парвОГО и Второго изм 8 рений напряжений, с;- период частоты Генерагора переменнОГО наГ)ряжения, сВ - сопротивление активной нагрузки,МОм;О ) Оа - напряжение ча:, чератореГ)ри первом и Втором измерениях, В;Ос, Ос 2 - НЗПрЯЖВНИЕ На КОНДВНСЭТорапри первом и ловторном изме)ениях, В,9 д - тангенс угла диэлектрических потеь конденсатора,Устройс-, Во раво ).ае.) следчю)ци)ОбратиЗОМ.В мОмент появления...

Номер патента: 1695987

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Кальковец, Мозговой

МПК: B03C 5/00

Метки: диэлектрических, жидкостей, очиститель, электрический

...а пространства между двумя соседними электродами 3 и замкнутыми ячейками диэлектрических прокладок 4 образуют индивидуальные ячейки-накопители 8 загрязнений. Собранный пакет осадительных электродов 3 с диэлектрическими про 1695987к ладками 4 с двух сторон ограничен пластинами 2. Эти ограничительные пластины 2, выполненные из диэлектрического материала, центрируют пакет осадительных электрОдов в корпусе 1, Прорези 9 в ограничительных пластинах служат для прахда жидкости. Осадительные электроды 3 и дключены к источнику высокого напряжения. Чередование знака потенциала на осадительных электродах достигается при сорке,Электроочистителк работает следую.им.образом,При подключении пакета електродое 3 к источнику высокого напряжения между...

Номер патента: 1698725

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Кожаринов, Крутов, Швайко

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектометрии, диэлектрических, плоских

...35 40 45 50 55 импульсного напряжения, Выход детектора 6 электромагнитного излучения соединен с измерительным входом частотного детектора 7, на опорный вход .которого подается сигнал с второго выхода блока 10 перестройки частоты. Входы регистратора 9 соединены с выходом частотного детектора 7 и третьим выходом блока 10 перестройки частоты, Возбуждающий элемент 1.1 расположен на поверхности образца и подключен к выходу генератора 12 акустических сигналов, к управляющему входу которого подключен блок 13 перестройки частоты, К второму выходу детектора 6 электромагнитного излучения подключен блок 14 сравнения.Устройство работает следующим образом.Плоский диэлектрический материал помещают между электродами 3 и 4 с излучателем 2 и приемником...