Патенты с меткой «полупроводящих»

Номер патента: 188430

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Доб, Мигунов, Протасов, Ржевский, Ткин

МПК: E21C 37/18

Метки: диэлектрических, полупроводящих, разрушения, электротермического

...по раме, Это увеличивает эффективность разрушения по. роды путем создания разности температуры по глубине массива.На чертеже изображена схема устройства.Устройство содержит раму 1, ца которой крепятся генератор 2 электромагнитных волн и охлаждающая камера 3 с холодильником 4, вьполненная в виде сосуда Дьюара с внутренними перегородками (на чертеже не показаны), расположенными по спирали.Охлаждающая камера 3 и генератор 2 с волноводом 5 плотно прижимаются к массиву породы силовыми цилиндрами 6 и 7 и перемещаются по раме силовыми цилиндрами 8 и 9. Силовые цилиндры могут быть з цы и механической подачей с помощью вого винта и гайки.В качестве хладагента возможно исп ванне различных газов, например ж азота, углекислого газа и др., причем...

Номер патента: 237972

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Александров, Асланова, Кулаков, Яковлева

МПК: H01B 5/16, H02K 15/04

Метки: медбсодержащих, полупроводящих, стекломатериалоб

...медьсодержащей ленты на основе стеклянного волокна с содержанием окиси мели 18-36% с последующей термообрабаткой ее 33 атмосфере водорода позволяет получить сопротивление заданной величины с разбросом в пределах половины порядка, в то время как применяемые ранее лаковые покрытия имели разброс сопротивления в пределах двух порядков.Тепловая стабильность медьсодержащей стеклоленты позволяет применять ее для рабочих температур не выше 105 С. Для сохранения стабильности сопротивления медьсодержащей стеклоленты при более высоких температурах необхолцмо защищать ее от доступа воздуха слоем изоляции.Предлагаемый спосоо отличается тем, что,с целью пс.,ьк.3 с 33 П 5 р,очцх тсм 33 ерятур ло 130 С; Оолсе: увел ения те,"з 3 пчес,Оп стцЙ...

Номер патента: 617685

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Казарян, Цатурян

МПК: G01F 13/00

Метки: дозирования, полупроводящих, проводящих, сыпучих, электричество

...4, подключенные к источнику 5 высокого переменного напряжения. При подаче на электроды 4 в объеме канала вблизи повер дела насыпь - воздух возбуждае поле, которое отрывает частиц слоя (из границы насыпи - по ственного откоса). Эти частицы ским полем удаляются от непод сыпи по направлению выпуски стия. На место частиц, оторван сыпи, из бункера свободным поступают новые частицы так, 617685естественного откоса остается без изменения.По принципиальной схеме (фиг. 1) отбор и транспортировка частиц в направлении выпускного отверстия осуществляется в области межэлектродного пространства, изолированной . от обоих возбуждающих поле электродов. По принципиальной схеме, показанной на фиг. 2, эта область изолирована от одного электрода и через...

Номер патента: 978389

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Коробской, Мартыненко, Москалев, Потураев, Прудкий, Явтушенко

МПК: H05B 6/64

Метки: мелкодисперсных, полупроводящих, сверхвысокочастотной, сушки

...воздуха, чтоприводит к увеличению электрическойпрочности из-за отсутствия в нем 5 пара, который уходит через зазорымежду козырьком 6 и конвейером 4 собрабатываемым материалом,,Использование предлагаемого устройства по сравнению с известным 10 позволяет увеличить КПД при сушкемелкодиспврсных полупроводяцих материалов. вдоль облучателя 3 размещена метаю= лическая пластина 5, кЬторая совместно с боковыми стенками облучателя 3 выполняет функции направлякцей системы, вдоль облучателя 3 распространяется бегущая электромагнитная волна. При этом вследствие поглощения сверхвысокочастотной энергии полу- проводящим материалом амплитуда бегуцей волны, по мере распространения вдоль облучателя 3, экспоненциально уменьшается. Таким образом,...

Номер патента: 1655924

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Зуева, Кулаков, Рувинов, Хазанов

МПК: C03C 13/00, C03C 3/091, H01B 5/16 ...

Метки: полупроводящих, стекло

...Краевой угол смачивания стеклом платины при 1160 С 20-25, при 1200 С 14-20, логарифм вязкости в интервале 1160 в 1200 С 2,5 - 2,8 и электрическое сопротивление 10 - 10 Ом см. 1 табл,Как показано в таблице, предлагаемые составы стекол, обладают улучшенными технологическими характеристиками - стабильной вязкостью в рабочем интервале температур 1160 - 1200 С и краевым углом смачивания в пределах 25 - 20 при 1160 С и 20 - 18 при 1200 С. Указанные значения краевого угла смачивания выше, чем у известного стекла, и приближаются по значению к распространенному бесщелочному стеклу марки Е (30 и 20 соответственно), отличающемуся малой смачиваемостью, Кроме того, более стабильные вязкостные свойства в рабочем интервале температур...

Номер патента: 2003802

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Жученко, Ростовский, Сурков

МПК: E21C 37/18

Метки: диэлектрических, полупроводящих, разрушения, твердых

...токопроводящими вставками, которые введены между электродами для размещения в разрушаемом материале, при этом число токопроводящих вставок рассчитывается из соотношенияи+1 ц В Г 1,д и+1б" где и - число токопроводящих вставок;0 - напряжение пробоя между рабочимиэлектродами;Оо - расчетное напряжение пробоя между рабочими электродами без вставок;б - расстояние между рабочими электродами;б - расстояние между двумя рабочимиконцами ближайших вставок;а - безразмерный эмпирический коэффициент, учитывающий свойства разрушаемого материала и форму электродов.2. Устройство по п,1, отличающееся тем, что токопроводящие вставки выполнены в виде металлических штырей,П р и м е р 2. Для 0=94 кВ для того жематериала, бетон(исходные данныепрототипа) после...