Патенты с меткой «диэлектрических»
Измерительная ячейка для исследования диэлектрических параметров образца
Номер патента: 1698831
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Зуев, Полыгалов, Фельдман
МПК: G01N 22/00, G01R 27/26
Метки: диэлектрических, измерительная, исследования, образца, параметров, ячейка
...образцов во временной области, содержащая предлагаемую ячейку, основывается на принципах метода сосредоточенной емкости, Он прост в реализации, перекрывает широкий диапазон частот, позволяет измерять комплексную диэлектрическую прони цаемость я(а) с достаточно высокойточностью. Метод сосредоточенной емкости является однойиз немногих модификаций метода временной диэлектрической спектроскопии (ВДС), которая позволяет 10 получать информацию непосредственно вовременной области в виде функции диэлектрического отклика р(с), однозначно свяэаннойс еФ(в) соотношением)(т)=3 1( е(Я)/Я) (1) 15 где . - символ оператора обратного преобразования Лапласа;а(5) - предельное значение я(в)при в -+ со, Я= у + в;Я - обобщенная комплексная...
Способ контроля качества резистивных пленок на диэлектрических подложках
Номер патента: 1702270
Опубликовано: 30.12.1991
Автор: Ряхин
МПК: G01N 24/00, H01C 17/00
Метки: диэлектрических, качества, пленок, подложках, резистивных
...равной разности ТКС, измеренных после и до термооб работки,чала проводят измерение сопротивления заготовок йь армированных контактными узлами, при комнатной те.пературе+25 С, а затем нагревают их до температуры на 100 С выше комнатной, т.е, до +125 С, и, проводят второй замер сопротивления Й 2, а затем по формуле определяют ТКС:2 1ТКС = Т = (Тнагр - Ткомнат) Эту же или другую выборку образцов из изготовленной партии термообрабатывают при температуре 150-350 С.Проводить термообработку и редпочти-. :тельно при температурах 150-350 С, так как при увеличении температуры до 400"С и выше разница между значениями ТКС пленок с хорошей адгезией и с неудовлетворительной будет уменьшаться, т,е, чувствительность способа будет снижаться.После...
Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов
Номер патента: 1705766
Опубликовано: 15.01.1992
Авторы: Авдеев, Коротин, Тупикин, Усанов
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, параметров
...выполнена в виде отрезка прямоугольного волновода, коаксиальной или микрополосковсй линий, диэлектрического резонатора, в которой установлен активный элемент 2, нзпример в виде диода Ганна, СВЧ-транзистора, лавинно-пролетного диода, туннельного диода и др.В цепь питания активного элемента включен резистор 3 и через разделительный конденсатор 4 колебательный контур, состоящий из катушки 5 и конденсатора 6, между которым и усилителем 7 включен ВЧ-детектор 6. Выход усилителя соединен со входом операционного усилителя 9, соединенного через ключ 1 О с усилителем 11, на входе которого включен элемент 12 па."ляти. например в виде конденсатора, а выход подключен ко второму входу операционного усилителя 9. выход которого подсоединен к...
Способ контроля сплошности диэлектрических покрытий металлических объектов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1709253
Опубликовано: 30.01.1992
Автор: Андрианов
МПК: G01R 31/12
Метки: диэлектрических, металлических, объектов, покрытий, сплошности
...для контроля сплошности диэлектрических покрытий по предлагаемому способу рассчитано на контроль сплошности покрытий на внутренней поверхности полых цилиндрических изделий, преимущественно труб, и также содержит электроискровой дефектоскоп с источником электрического напряжения и подключенным к нему кольцевым щупом, контактирующим с поверхностью покрытия, детектором и индикатором электрического пробоя. Устройство отличается тем, что щуп размещен на дополнительно введенном поршне, устанавливаемом в начале контроля внутри изделия на одном его конце, в то время как другой конец изделия герметически закрыт дополнительно введенной крышкой так, что сам контролируемый объект образует камеру, внутри которой одним из известных способов...
Способ защиты диэлектрических трубопроводов от повреждений статическим электричеством
Номер патента: 1709558
Опубликовано: 30.01.1992
Автор: Мальцев
Метки: диэлектрических, защиты, повреждений, статическим, трубопроводов, электричеством
...через высокоомный резистор 7.Предлагаемый способ реализуется следующим образом.При пневмотранспортировке сыпучего диэлектрического материала по диэлектрическому трубопроводу 1 происходили статическая электризация транспортируемого материала и внутренней поверхности трубопровода. Электрически заряженные частицы материала уносятся потоком сжатого воздуха, образуя объемно заряженную среду 2 (см.фиг.1), в результате чего на внутренней поверхности 9 трубопровода 1 накапливаются свободные, т.е, не связанные электрическим зарядом уносимых частиц электрические заряды (заряд электризации цзл). Заряженные частицы материала создают внутри трубопроводов и технологических агрегатов (циклонов; смесителей и др.) сильные электростатические...
Измеритель толщины диэлектрических пленок
Номер патента: 1716310
Опубликовано: 28.02.1992
МПК: G01B 7/06
Метки: диэлектрических, измеритель, пленок, толщины
...магнитных головок 39. К кассете 36 с помощью Г-Образных кронштейнов 40, объединенных перемычкой 41, прикреплена планка 42 из изоляционного материала, несущая ленточно-рессорные пружины 43,Измеритель работает следующим образом,Излучатель 2 электромагнитного поля запитывается генератором 1 переменного тока, Одновременно сигнал с генератора 1 переменного тока через фазовращатель 3 и аттенюатор 4 поступает на индуктивный приемник 5 электромагнитного поля. В отсутствии контролируемого изделия 11 осуществляется калибровка измерителя путем изменения параметров фазовращателя 3 и аттенюатора 4 до достижения нулевых показаний индикатора 8.Затем осуществляется контроль изделия 11, которое протягивается в зазоре между излучателем 2 и индуктивным...
Способ определения величины рн поверхности тонких диэлектрических пленок
Номер патента: 1718100
Опубликовано: 07.03.1992
Автор: Фоменко
МПК: G01N 27/417
Метки: величины, диэлектрических, пленок, поверхности, тонких
...кремниевой пластины на кристаллы проводится присоединение внешних выводов и герметизация чувствительного элемента 1 эпоксидным компаундом 17.В качестве полупроводникового чувствительного элемента может быть использована система электролит-диэлектрик-полупроводник (ЭДП).В этом случае информативным сигналом является сдвиг напряжения плоских, определяемый по сдвигу вольт-фарадных характеристик вдоль оси напряжений.Источником 3 (фиг.1) задают напряжение на стоке полевоготранзистора (200 мВ - 2 В), а источником 4 - ток стока (100-500 мкА), При погружении чувствительности элемента 1 вместе с электродом 2 сравнения в раствор с определенным значением рН замыкается отрицательная обратная связь через операционный усилитель 7 и...
Измеритель расхода диэлектрических материалов
Номер патента: 1719906
Опубликовано: 15.03.1992
МПК: G01F 1/74
Метки: диэлектрических, измеритель, расхода
...при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-ЗБРаушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к технике измерения расхода сыпучих материалов,Цель изобретения - повышение точности измерения,На чертеже схематически показано 5предлагаемое устройство.Измеритель расхода содержит корпус 1,металлическую раму 2, охранный электрод3, пластину 4 емкостного датчика и упругиерастяжки 5. Охранный электрод 3 охватывает с зазором по периметру пластину 4, обаони установлены внутри рамы 2 в одной сней плоскости, Б качестве второй пластиныемкостного датчика использован корпус 1.Пластины емкостного датчика включены в 15схему вторичного преобразователя (не показан), выполненного в виде измерительного...
Аппарат для смешивания диэлектрических жидких сред
Номер патента: 1724339
Опубликовано: 07.04.1992
Авторы: Гарифуллин, Нестеров, Фатхуллин
МПК: B01F 3/08
Метки: аппарат, диэлектрических, жидких, смешивания, сред
...низкая эффективность перемешивания смешивающих сред реагирующихкомпонентов из-за малого времени их контакта, так как второй компонент по опускупоступает почти к выходному штуцеру аппарата.Целью изобр ение эффективнос ет етения является повыш ти перемешивания за сч1724339 40 50 55 увеличения времени пребывания контактируемой среды в аппарате с сохранением безопасности при образовании статического электричества,Указанная цель достигается тем, что опускная труба аппарата снабжена размещенным внутри поплавком-буйком и предохранительной металлической сеткой, закрепленной на нижнем конце трубы, и выполнена с прорезями по всей длине. Поплавок-буек имеет объем, позволяющий ему держаться на плаву под действием напора жидкости, находящейся...
Устройство для измерения влажности диэлектрических материалов
Номер патента: 1728766
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Кузьмин, Мефед, Францессон
МПК: G01N 27/22
Метки: влажности, диэлектрических
...отношение не зависит от массы помещенного в ячейку материала, но сильно зависит от его влажности, что и используют для измерения ее величины. При этом существенно упрощается конструкция устройства в целом без снижения точности измерений. На чертеже показана блок-схема устройства.Устройство содеожит генератор 1 синусоидального напряения, соединенный с его выходом емкостный измерительный мост 2 с измерительной ячейкой 3, усилитель 4 переменного напряжения, вход которого подключен к выходу емкостного измерительного моста 2, два синхронных детектора 5 и 6, подключенные своими сигнальными входами к выходу усилителя 4 переменного напряжения, фазовращатель 7, вход которого подключен к выходу генератора 1, фазорасщепитель 8, вход которого...
Свч-установка для термообработки диэлектрических изделий
Номер патента: 1728987
Опубликовано: 23.04.1992
Автор: Тюрин
МПК: H05B 6/64
Метки: диэлектрических, свч-установка, термообработки
...повышение температуры нагрева, что и происходит при приближении к вводу СВЧ-энергии. К моменту перехода изделий на роликовый транспортер несвязанная влага полностью удаляется, а связанная. влага удаляется при температуре, значительно превышающей 100 С, т.е. в процессе обжига;С сетчатого транспортера изделия переходят на роликовый транспортер. Все ролики, как и приводной вал сетчатого транспортера, приводят в движение от общего цепного (можно иного) привода 10 при помощи валиков 9, линейная скорость движения изделий может регулироваться.Для повышения напряженности поля с целью повышения температуры в иэделиях и доведения ее до значений, обеспечивающих прокаливание их и обжиг (спекание), в установке применена гребенчатая структура...
Осадительный электрод электроочистителя диэлектрических жидкостей
Номер патента: 1736614
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Молотков, Сиротина, Цыганов
Метки: диэлектрических, жидкостей, осадительный, электрод, электроочистителя
...качестве материала электрода использовать алюминиевые сплавы, Шероховатая поверхность на таких электродах. может 25 быть, например, изготовлена химическим способом м последующим выполнением известной операции твердого анодирования,Проведенные эксперименальные работы по изучению электрофизических явле ний, происходящих при электроочистке жидкости, а также теоретические расчеты и обоснования, позволяет сделать вывод о том, что основной силой, действующей на осевшую частицу и. обеспечивающей ее 35 удержание на электроде, является сила Гдгаа, Эта сила действует на поляризованную частицу.в неоднородном электрическом поле (условия в межэлектродном пространстве электроочистителя) и вычис ляется по формулеРцгаб=Кф - )=К хС 1 г дгбсф бсф451 2 +...
Устройство для контроля диэлектрических изделий
Номер патента: 1737326
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Боровиков, Вайнберг, Козлов, Приходько
МПК: G01N 22/00
Метки: диэлектрических
...и 29 нечетное, то первая от входа и далее нечетные щели будут находиться в пучностях стоячей . волны, а вторая и далее все четные - в ее узлах, Если число излучателей (щелей) четное, то блок управления 41 подает управляющий сигнал на коммутатор 42, который подает положительное напряжение на электрически управляемые переключатели 23, 30, которые вследствие этого закорачивают поперечное сечение прямоугольных волноводов на расстоянии, равном (2 К+1) /4 от центров ближайших щелей, тем самым смещая картину стоячей волны на расстояние А/4 вдоль волновода. Таким образом, первые от входа открытые противоположные каналы многоканальных блоков 20 и 29 опять будут находиться в пучностях поля, тем самым обеспечивая максимум излучаемой энергии в...
Устройство для измерения диэлектрических параметров веществ
Номер патента: 1737367
Опубликовано: 30.05.1992
Автор: Подгорный
МПК: G01R 27/26
Метки: веществ, диэлектрических, параметров
...выражение, связывающее отклонение Ьс емкости контура от резонансного значения снапряжением на выходах демодулятора 7 -Ом и амплитудных детекторов 8 и 9 - О и Есоответственно, т. е.:30Ьс= Сг - С = Р.О ЕОз(5)где р - коэффициент пропорциональности1аРсвгДифференциальный усилитель 13 в петле обратной связи обеспечивает стабилизацию напряжения на измерительномконтуре, Напряжение на измерительномконтуре поддерживается равным опорному4 О О"Если положить опорное напряжениеравным единице, то уравнение (5) можетбыть записано в видеЛс = рОмЕ (7)45 С выхода демодулятора 7 напряжениеОм поступает на первый вход перемножителя 11, на второй вход которого с выходаамплитудного детектора 9 через квадратор10 поступает напряжение Е, равное амплиО туде...
Способ обнаружения неоднородностей и дефектов в диэлектрических материалах
Номер патента: 1739265
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Дзугаев, Иванова, Пчельников, Суслов
МПК: G01N 22/02
Метки: дефектов, диэлектрических, материалах, неоднородностей, обнаружения
...в непосредственной близости от диэлектрика, с той же стороны измеряют отраженный сигнал, который резко возрастает над участком с инородным включением.Недостатком известных способов является сильное затухание электромагнитных волн СВЧ-диапазона в материалах с большим тангенсом угла потерь, в частности в грунте, Применение относительно длинных волн затруднено из-за больших размеров антенн, Кроме того, иэ-за большой разницыантенн. Кроме того, из-за большой разницы диэлектрической проницаемости материала контролируемых изделий и воздуха, большая часть энергии электромагнитных колебаний отражается от границы воздух - 5 диэлектрик, что снижает чувствительность известных способов.Цель изобретения - повышение чувствительности за счет...
Органическое связующее для диэлектрических паст
Номер патента: 1749911
Опубликовано: 23.07.1992
Авторы: Андронов, Журавов, Молотков, Чернов, Шумовский
МПК: H01B 3/18
Метки: диэлектрических, органическое, паст, связующее
...При введении в состав связующего оксипропилцеллюлозы в количестве менее 2 маф и синтанола в количестве более 4 мас.0 вязкость связующего снижается, при этом не обеспечивается требуемая разрешающая способность в процессе трафаретной печати. Введение синтанола менее 03 мас. приводит к появлению большого количества дефектов типа отслоений уже в процессесушки отпечатка; в дальнейшем при вжигании слоя образуются незаполненные диэлектриком участки и кратеры. Кроме того,вследствие высоког, псвархнсстнсгс натяжения связующего в процессе трафаретнойпечати происходит несбратимсе забивание ячеек трафарета, что приводит к появлениюнепропечатанных участков в диэлектрическом слое,20 Органическое связующее готовят следующим образом.Взвешивают в...
Способ определения структурной электрической прочности пленочных диэлектрических материалов
Номер патента: 1751701
Опубликовано: 30.07.1992
Авторы: Беспалова, Дауэнгауэр, Шалимов
МПК: G01R 31/12
Метки: диэлектрических, пленочных, прочности, структурной, электрической
...формы, подают на испытательные электроды испытательное напряжение Опр до наступления пробоя и определяют значения кратковременной структурной электрической прочности ЕпрОппо формуле Е,р щ - а,тде и - толщина испытуемого образца, при этом испытательные электроды размещают между керамическими втулками, а отношение диаметра б испытательного электрода к наружному диаметру О керамической втулки определяют по ф-ле б/О0,2. рой вывод блока 6 соединен с первым выводом источника 7, второй вывод которого заземлен. Образец 1 помещают в диэлектрике 4, между электродами 2, расположенными внутри керамических втулок 3, диаметр которых выбирают из соотношенияб/О 0.2,где б - диаметр электродов 2;О - наружный диаметр втулок 3.Устройство работает...
Способ измерения толщины диэлектрических покрытий металлов и устройство для его осуществления
Номер патента: 1753379
Опубликовано: 07.08.1992
МПК: G01N 22/00
Метки: диэлектрических, металлов, покрытий, толщины
...измерения позволяет учитывать влияние металлической подложки, исключить влияние непостоянства зазора и при этом повысить чувствительность за счет использования всей амплитуды поверхностной волны. При этом обеспечивается высокая локальность контроля,В устройстве для осуществления измерения поляризационного параметра - эллиптичности выходной волны используется только один канал, что позволяет исключить нелинейность второго СВЧ- детектора, а также значительно уменьшить габариты первичного преобразователя и упростить приемный СВЧ-канал, который состоит из второго согласующего перехода, оканчивающегося прямоугольным волноводом и СВЧ-детектором. Конец ДВ имеет плавный переход, как и в начале, с квадратного сечения на двугранный клин,...
Устройство для очистки диэлектрических жидкостей
Номер патента: 1755934
Опубликовано: 23.08.1992
Авторы: Берил, Болога, Циуляну, Цуляну
МПК: B03C 5/00
Метки: диэлектрических, жидкостей
...электроды 9 с диэлектрическими экранами 10 подают высокое напряжение и обрабатывают жидкость в электрическом поле. Э ран 10 ограничивает рассеяние потека ионов от инжектирующих электродов, что увеличивает плотность заряда в жидкости и тем самым эффективность очистки. После обработки очищенная СЛ жидкость сливается по патрубку 3, а высоко,Я концентрированная суспензияпо патрубку сО 4 ( )П р и м е р. Для определения оптималь- д ных значений отношения ширины диэлектрического экрана к межэлектродному расстоянию - б 1/б 2 проводились опыты по эффективности очистки на суспензии восков- д в подсолнечном масле, которую готовили на основе рафинированного и дезодорированного масла добавлением растворенных восков с последующей их кристаллизацией,...
Устройство для масс-спектрометрического анализа диэлектрических кристаллов
Номер патента: 1756972
Опубликовано: 23.08.1992
Авторы: Гамаюнова, Коппе, Физгеер
МПК: H01J 49/26
Метки: анализа, диэлектрических, кристаллов, масс-спектрометрического
...пучка первичных ионов и площади входной диафрагмы системы сбора вторичных ионов позволяет сохранить условия выбивания и сбора вторичных ионов, исключая влияние 30 35 40 45 50 55 ионов меди, ее поверхностных и обьемных загрязнений и их соединений с медью, компаундов, образующих вследствие взаимного перезапыления образца и сетки, а также ионов, выбиваемых с поверхности держателя, что приводит к повышению достоверности результатов анализа.При несоблюдении соотношения указанных параметров 3231 45 э происходит снижение достоверности результатов анализа эа счет влияния ионов, выбираемых изматериалов держателя,На фиг,1 схематически изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг,2 - в большем масштабе часть устрайствэ, включающая...
Способ получения диэлектрических деталей для высокотемпературных вакуумных интегральных схем
Номер патента: 1762334
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Лысенко, Мардилович, Мухуров, Сидоренко
МПК: H01J 9/02
Метки: вакуумных, высокотемпературных, диэлектрических, интегральных, схем
...способные удерживать молекулярный СО 2,При добавках в З -ный раствор Н 2 С 20 менее 0,2 Н 2304 после отжига при Т1100 К диэлектрические детали содержат включения как щавелевой, так и серной кислот, При увеличении концентрации Н 2304 от 0,4% и вплоть до 4 о , можно добиться, что в решетку будут внедряться только ионы серной кислоты, Однако при таком содержании Н 2304 в электролите формируется оксид обладающий, особенно после отжига, очень низкими прочностными характеристиками (в связи с этим такой оксид совершенно не пригоден для изготовления диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС) и содержащий большое количество сорбированной воды. Только добавки Н 2304 в количестве 0,2 - 0,4% позволяют формировать диэлектрические...
Способ определения дефектов в диэлектрических материалах
Номер патента: 1763957
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: G01N 22/02
Метки: дефектов, диэлектрических, материалах
...что искажает полезную информацию о характере дефекта, снижаяэтим точность и чувствительность определения дефекта.Целью изобретения является повышение точности определения дефектов в образцах с малыми размерами,Положительный эффект заключаетсякак в повышении точности и чувствительности способа при контроле дефектов в зерне,что повышает достоверность контроля, таки в значительном улучшении производительности контроля, что обеспечивает экономическую эффективность разработанного способа,Для этого в способе определения дефектов в диэлектрических материалах, заключающемся в облучении электромагнитными волнами исследуемого и эталонного образца, измерении разности прошедшего сигнала через исследуемый и эталонныйобразцы, по которой судят о...
Парогазовая смесь для получения диэлектрических оксидохромовых покрытий черного цвета
Номер патента: 1765254
Опубликовано: 30.09.1992
Авторы: Пухин, Слушков, Смирнов
МПК: C23C 16/40
Метки: диэлектрических, оксидохромовых, парогазовая, покрытий, смесь, цвета, черного
...компонентов, три из которых показали оптимальные результаты.1, На вращающийся столик рабочей камеры устанавливают изделие - алюминиевый цилиндр. Из камеры с помощью вакуумнасоса откачивают воздух, термостатируют, нагревая изделие до 400 С, затем на внутреннюю поверхность изделия подают со скоростью 2-3 мл/мин парогазовую смесь, состоящую из следующих компонентов, мас. :Хромоорганическаяжидкость "Бархос" 44Этиленгликоль 50Барная кислота 6После тридцатиминутной подачи парогазовой смеси на внутренней поверхности изделия нанесено оксикарбидо-хромовое покрытие толщиной 15 мкм с 97-98 коэффициентом диффузного светопоглощения, микротвердостью до 1700 кГ/мм электросопротивлением до 1109 Ом/см, выдерживающим напряжение 300 В и не...
Устройство для контроля сплошности диэлектрических покрытий на внутренней поверхности металлических цилиндрических изделий
Номер патента: 1774294
Опубликовано: 07.11.1992
Автор: Андрианов
МПК: G01N 27/92, G01R 31/12
Метки: внутренней, диэлектрических, металлических, поверхности, покрытий, сплошности, цилиндрических
...с дефектоскопом 7 и перемещаемым штангой 8 вдоль изделия 1. В торцовой части крышки 3 установлен клапан-регулятор 9 давления,Работает устройство следующим образом,На контролируемое изделие 1 закрепляется с одной стороны крышка 3 с клапаном- регулятором 9 давления, а с другой стороны патрубок 4 с расположенным в нем поршнем 5 и кольцевым щупом 6. Затем производится подготовительная операция перемещения поршня 6 иэ исходного положения в патрубке 4 до начального рабочего положения в крышке 3, Это перемещение производится при помощи штанги 8, причем при этом перемещении воздух из контролируемого изделия 1 вытесняется поршнем 5 через обратный клапан (не показан на чертеже), встроенный в торцовую часть крышки 3 либо в сам поршень 5. Далее...
Устройство для контроля качества диэлектрических покрытий на металлической подложке
Номер патента: 1780060
Опубликовано: 07.12.1992
Авторы: Кожаринов, Крюков, Сафронова, Сушенцов
МПК: G01R 27/00, G01R 31/12
Метки: диэлектрических, качества, металлической, подложке, покрытий
...преда:ьеиае устройство,Устройство содержит электрод 1 игольчатой формы, расположенный с зазорам нормально к контролируемому диэлектрическому покрытию 2 с дефектом 3 на металлической подложке 4, выполненной на массивном диэлектрическом основании 5. Электрод 1 подключен к выходу высоковольтного источника б питания и закреплен в коническом диэлектрическом держателс 7, основание которого выполнено в виде металлической шайбы 8, Металлическая шайба 8 через сопротивление 9 заземлена, а частота тока утечки регистрируется с помощью измеритель.1 ага блока 10.Предлагаемое устройство работает следу 1 оьцим Образам,Электрод 1 игольчатой формы, закрепленный в центре конического диэлектрического держателя 7 располагается с зазором нормальна Г Ове 1...
Способ обнаружения дефектов в поверхности диэлектрических и полупроводниковых материалов
Номер патента: 1784878
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Сидорюк, Скворцов, Таргонский
МПК: G01N 21/35, H01L 21/66
Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, поверхности, полупроводниковых
...поглощения материала;ол - сечение перехода с основного состояния дефекта в зону проводимости материала;40п п+ и,ФРПри значениях Амин = 10, ) = 1, арф =,10 10 см ст 10 10 см для и н 45 получается величина п,и. =1010 смВ свою очередь плотность мощности коротковолнового, ультрафиолетового (Уф) излучения, необходимую для заселения электронных ловушек через зону проводи мости, можно оценить из выражения:м 1 Ю,31 мин = - - Пмин 1Х55 где Е ихц-энергия идлительность импульсалазерного излучения соответственно;Я - облучаемая коротковолновым излучением площадь образца;- длина диффузии носителя заряда;50 55 и и - энергия кванта коротковолнового излучения,В тонкопленочных покрытиях, как правило,- б, где б - толщина покрытия. Это...
Устройство для контроля объемной плотности диэлектрических материалов
Номер патента: 1784904
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Ахонченко, Дыков, Скрипник
МПК: G01N 27/22
Метки: диэлектрических, объемной, плотности
...равным половине ширины резонансной кривой Ьв на уровне, соответствующим точкам максимальной крутизны резонансной кривой колебательного контура, т.е. частотаВ результате перемножения сигналов от генератора 6 и делителя 8 в блоке 18 формируется двухчастотный сигнал с подавленной резонансной частотой вь и бо-ковыми частотами вида аЪ .+ О1Э=К 1 п 1 а(со(О, - И)+1 -аз)++ сов ( (всг + й)+ р 1 + рэ, (5) где 1 и - масштабный коэффициент преобразования блока 18.Составляющая разностной частот в =аь - Й представляет собой сигна нижней боковой частоты резонансной кривой, а составляющая суммарной частоты вс = во + И - сигнал верхней боковой частоты Относительно резонансной.5 Издвухчастотного сигнала (5) выделяютраздельно фильтрами 10 и 21...
Устройство для измерения расхода диэлектрических жидкостей
Номер патента: 1789863
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Виштак, Власов, Денисов
МПК: G01F 1/56
Метки: диэлектрических, жидкостей, расхода
...оси канала.На фиг, 1 изображено предлагаемое устройство, разрез; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - сечение Б - Б на фиг. 1.Она содержит диэлектрическую ячейку 1 с крышкой 2, входной 3 и выходной 4 патрубки, проточную часть 5, два рабочих электрода 6, 7, измерительный электрод 8, микроамперметр 9, Вывод 10 соединен с электродом 6 и источником 11 высокого напряжения. Вывод 12 соединен с электродом 7 и заземлен, вывод 13 соединен с измерительным электродом 8 и микроамперметром 9.Работа устройства осуществляется следующим образом.Поток жидкости подавпатрубку 3, от источника 11жения подается напряженэлектроды для создания элго поля в проточной части1789863 трическая жидкость, находящаяся в проточной части,...
Установка для регенерации диэлектрических жидкостей
Номер патента: 1791860
Опубликовано: 30.01.1993
МПК: H01F 27/14
Метки: диэлектрических, жидкостей, регенерации
...нагрева масла, Все указанное выше ведет к уменьшению трудоемкости обслуживания установки.Установка после центрифуги электро- фильтра позволяет получить очистку жидкостей от асфальто-смолистых загрязнений, имеющих размеры до 0,05 мкм, так как существующие отечественные и зарубежные центрифуги позволяют очищать жидкость только от механических загрязнений размером до 1 мкм.Датчик загрязненности жидкости, установленный на выходе установки,позволяет контролировать качество регенерации масла, Если масло не соответствует необходимому качеству, то благодаря соединению датчика с гидроциклоном, жидкость возвращается в гидроциклон для повторной очистки. Таким образом, исключается использование потребителем жидкости ниже требуемого качества...
Способ получения висмутового покрытия на диэлектрических подложках
Номер патента: 1798379
Опубликовано: 28.02.1993
Авторы: Винкявичюс, Желене, Янкаускас
МПК: C23C 18/31
Метки: висмутового, диэлектрических, подложках, покрытия
...рН 12,0-13,3, плотностью загрузки 2-3 дм 2/л,Покрытия наносили на диэлектриках: АБС, ударопрочный полистирол, поли1798379 Продолжительность обработки 30 - 60 с,Продолжительность обработки покрытия 1 ч. амид-б, лавсан, полиэтилен, полиимид, фенолформальдегидный стеклопластик маркиАГ, стеклотекстолит, стекло,Количество осажденного висмута определяли фотометрическим методом с помощью йодида калия,Концентрацию железа (П) определялититрованием с бихроматом калия, в качестве индикатора использовали дифениламинсульфонат натрия,Сопротивление висмутового покрытияизмеряли прибором. Ц 4340, расстояниемежду контактами - 10 мм.Для измерения сцепления покрытия сполимерной основой-.на висмут осаждалигальваническую медь толщиной "50 мкм.3 атем...