Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 478610

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Есипов, Мгебришвили, Титова, Эфендиев

МПК: B03C 5/00

Метки: взвешенных, диэлектрических, жидкостей, неполярных, частиц

...си ния эффективности очист вого назначения, например тализатора из саломаса выбирают из числа пище ер ледяную уксусную. ломас пни кислотомас вво- обрабатыСодержание никелмг/кг Кислота, активизиру. ющая осаждение катализатора в электростатическом поле Количество вводимой кислоты, о/ емперату саломас мечание ослеистки ло очистки 0 Без добав Очистки не происходит 7,6 5,2 297 260 297 297 0,230,060,5 Лимонная Лимонная Олеиновая Щавелевая Щавелевая Ледяная уксусная Яблочная 9,7 9,9 12,1 10,8 02 160 150 160,15 Изобретение отн от взвешенных част костей и предназна использования в м ности.Известен способ электрических жид стиц путем ввода п дения взвеси под д ческого поля.С целью повыш ки жидкостей пище удаления частиц к полярную жидкость вых...

Номер патента: 486211

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Быховский, Меледин

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, покрытий, толщиномер

...задающий генератор 5 высокой частоты. Обмотка 3 питается периодически импульсами тока от генератора 6.Во время прохождения тока по обмотке 3 происходит подмагничивапие сердечника 1, нри этом деформируется высокочастотное поле, образованное обмоткой 2, что эквивалентно увеличению зазора до контролируемого объекта 7.При отсутствии тока в управляющей обмотке 3 поле обмотки 2 изменяется эквивалентно приближению сс к объекту измерения. Переменный конденсатор 4 служит для подстройки частоты генератора 5 при установке прсобразователя на объекте контроля без покрытия. Частотный дискриминатор 8 преобразует изменения частоты генератора 5 в изменения напряжения, Изменения частоты генератора 5 происходят из-за изменения зазора до проводящей...

Номер патента: 489960

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Викторов, Кияшев, Лунькин, Полетаев, Радугин, Ульянов

МПК: G01F 23/284

Метки: диэлектрических, сред, уровня

...1 ннОЙ линии, Олин пз кот 01)ь 1: короткозаа 1 с 5 нутый на конце, другой нагружен на индукгивпос сопротивлеи,С) сцность 1)рсллаг;)са(ого сиосос);1 зсзкл)011 СГС 5 В СГЕдуицс).1 сзонсВсяэи Лл Гч и к со(.то 1 из Лгс Отр(.,О К,):) 511 Й, НОМСПСЯС) Ь.ф, В НЛМ(ри 1(.,ПНЬП ссцс -Гок. 1 и:1 ы Г 1 иннй мОГЛГ Оь 1 ь и)Оиз 051 ьньми1,Ыбир;Ю(.я Из Трс 00 ЛНИЙ К ЬНЛ) Вы:ОдОНр я К 1 ге р Н С 1 И К И . 1) Ь 1 . 0 Л Н 0 П .К С р С К т С р Н С Г Н К 0 И;1 Г 111111 л 11111 51 В,51(т(.51 3 с 1 1 с 1)к 10 С 11 1) с -15 1 ЯС 1011 )с 1 СТОТ 11 01 ВСГ 111 Ч 1111 Ы РОВ 51. ОТ;11 Ч 1 С51 ГСО.СНЬК (ЧЛС Г 01 Ь 1.,) ЛР 1 КТСРПСТ 1( ЛЛИ- НПК Г 1 П Ни й р ЛЗ 11.; 1(Л Нс 1 ЛОВ ся,1 я(ГС.51 ИСОбходи.) Ь ) СГ 10 НС)1 ИО(ТРОС Н И 51 Лсз 1 НК 1., 1,1 Г 1 Обон произол 1...

Номер патента: 491824

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Буйко, Калошкин, Колешко, Лашицкий

МПК: G01B 11/06

Метки: двухслойных, диэлектрических, пленок, толщин

...к исследуемому образцу как под углом Брюстера, так и нормально к поверхности. По измеренному регистриру ю щим устройством значению коэффициента отражения р-компоненты при падении света под углом Брюстера к верхней поверхности можно рассчитать толщину нижнего слоя двухслойной диэлектрической структуры, Из теорети ческой оценки следует, что коэффициент отра491824 р - 1 Фг) фиг, 1 жения от двухслойной структуры, выращеннойна отражающей подложке, равен Г 24 кГ -1 г -1- 2 Гр )г) сои д,У(1)1+ Г 1 г 1 + 2 Г,р 1 г 1 р соз- и, а - ," где Гр - амплитудный коэффициент отражения р-компоненты от границы раздела воздУх - веРхний слой; 1 г 1 р - сУммаРный амплитудный коэффициент отражения р-компоненты от остальной структуры; Х - длина волны...

Номер патента: 492486

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Груодис, Жебраускас, Шляжас

МПК: G01R 27/24

Метки: волокнистых, диэлектрических, поперечного, сопротивления, удельного, электрического

...веса 13. Винт 14 предназначен для фиксации подвижного электрода 2 в верхнем положении, 10На фиг. 2 показана система измерительных электродов 5, выполненная в виде прямоугольного бруса, две противоположные плоскости которого образуют измерительный 15 и установленный концентрично охран ный 16 электроды. Измерительный электрод 15 прикреплен к охранному электро-.ду 16 с помощью металлических болтов 17, входящих в изоляторы 18, изготовленные из высококачественного электроизоля ционного материала и установленные в углублениях всех нерабочих граней измерительного электрода 15.Образец непрерывной нити 12, электрическое сопротивление которой должно быть 25 измерено с помощью специального намоточного станка, оснащенного электроприводом,...

Номер патента: 492752

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Викторов, Совлуков

МПК: G01F 23/284

Метки: датчик, двухканальный, диэлектрических, резонансный, сред, уровня

...поверхность,среднего цилиндрического проводника 2.Протекающие по проводникам отрезковдлинной линии, высокочастотные токи занимают вследствйе скйн эффекта лишь малыйповерхостный слой поверхности проводникас той стороны, где имеется электромагнитное поле. В области рабочих частот (десятки мегагерц) резонансных датчиков ровня, построенных на отрезках длинной линии,толщина скин слоя очень мала, Поэтому высокочастотные токи, протекающие по внешней и внутренней поверхностям среднего цн49 752 Составитель А., афонин Редактор 1.Иванова Техред ИЛар ндашова Корректор Н Аукзд, М 1 ЙОА Тираж 78 Вака писн ИПИ Росудврственного ком тетаСовета Министров ССС по делам изобретен:й и открытий Москва, 113035, Р: ушская наб., 4 лин 1 рическогО...

Номер патента: 494439

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Башкиров, Матюшин, Остратенко, Пряшникова, Ток

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектрических, нанесением, подготовки, покрытий

...никеля с подложкой после активации проводят анодное травление в 5 - 10%-ном растворе хлористого натрия с наложением ультразвука.Технология обработки по предложенному 1 способу следующая.Обезжиривают в ультразвуковом поле в водном слабощелочном растворе, травят в кислом растворе, сенсибилизируют в растворе двухлористого олова, активируют в растворе 2 хлористого палладия, производят анодное удаление переходного слоя с поверхности металлических включений в 5 - 10%-ном растворе 1 чаОН с наложением мощного ультразвукового поля с использованием в качестве катода мембраны магнитострпкционного преобразо. вателя и далее ведут химическое осаждение меди или никеля.По предложенному способу изготавливают би-и многослойные платы печатного монтажа....

Номер патента: 497511

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Подкин, Розенталь, Четин, Шихов

МПК: G01N 27/12

Метки: высыхания, дисперсных, диэлектрических, многофазных, степени

...напри эуфиллина, и може сти, в фармацевтиче релакюдается же при зволяет тически на частоте, соо сации исследуе большое измен малых значени надежно опред до момента пол Изобретение относитс еским методам контролямер спиртововлажногот использоваться, в частноской промышленности,Известны способы определения степени высыхания диэлектрических материалов, основанные на измерении полной проводимости в процессе высыхания материала. Нестабильность результатов измерения при этом обус ловлена зависимостью выходного параметра от дисперсности материала.С целью повышения точности определения по предлагаемому способу измерение полной проводимости проводят на частоте, соответ ствующей времени релаксации исследуемого материала, например для...

Номер патента: 498665

Опубликовано: 05.01.1976

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко

МПК: H01L 49/02

Метки: диэлектрических, слоев

...образцов начиняот с термического напыления в вакууме - 10 -торр поликристаллцческой плсцкц МЯС 1 толщиной 0,1 - 3 тк с размерами отдельных зерен-кристаллитов 0,05 - 0,07 к. (указаный размер крцсталлитов можно реализовать, варьируя параметрь 1 напыления цле 1 кц либо подсирая нужный материал подложки). Плен ки такого типа получают напылением .слорцстого цатрия цз кварцевого тигля, нагретого до 950 С, ца обезжиренную стеклянную подложку при температуре 200 С со скоростью 1 яращцвацця плеки - 0,02 к.1,лин, Далее пленку подвергают кятодцо-плазменной обработке при температуре 180 С в яргоцо-кцслорздной атмосфере (смесь в пропорции 12: 1/2, р= 10- торр) с использованием кадмиевого катода, расположенного на расстоянии 5 сх от пленки...

Номер патента: 503584

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Зауралов, Иодчик

МПК: B01D 35/06

Метки: диэлектрических, жидкостей, фильтр, электростатический

...развернутаостителя на 120 . Для удержалектродов 2 в рабочем положея фиксатор 4, Между кольцами- и расположены фильтруюшиевыполненные из пористого ого материала, Наружные пофильтруюших элементов 5 совля,Работа электрического очистителя жидкости заключается в спедуюшем.При подключении к кольцам-электродам высокого напряжения, напри мер порядка 10-15 кв, между каждой парой колец- электродов 2 создается электрическое попе. В результате того, что боковые поверхности колец-электродов скошены со двух сторон и образуют угол 15-30, количество зарядов увеличивается по мере приближения их к вершине угла, Нераство 503584рамые частицы и:лага, находящиеся в потоке рабочей жидкости, проходя через кольца-электроды 2, поляризуются и нап, р 1...

Номер патента: 506753

Опубликовано: 15.03.1976

Авторы: Будкин, Вяхорев, Трахтенберг, Фоменко

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, покрытий, толщины

...3, уси 15 лптель 4, каналы 5 - 7 выделения соответственно активной, реактивной составляющих ифазы вносимого напряжения, регулируемоесопротивление 8, сумматор 9, дополнительноерегулируемое сопротивление 10 и показываю 20 щпй прибор 11,Устройство работает следующим образом.От генератора 1 переменного тока питаетсяпреобразователь 2 и компенсатор 3, компенсирующий напряжение преобразователя, уста 25 новленного на немагнитную электропроводящую подложку с наибольшей удельной проводимостью, Вносимое контролируемым изделием напряжение усиливается усилителем 4 ипоступает на входы каналов 5, 6, 7, Напряже 30 пие с капала 5 выделения активной составля506753 Формула изобретения Составитель А. Покровский Тскред О. Кудинова Редактор С....

Номер патента: 515039

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Аксенов, Курносов, Солганик, Троегубов

МПК: G01F 23/26

Метки: диэлектрических, емкостной, сред, уровня

...изобретения - повышениеизмерения жидкостей с неоднороднвысоте свойствами.Для этого предлагаемый преобразователь снабжен второй пластиной с нанесенными нв нее печатными электродами, зазормежду которыми по высоте различен, например обеспечивающий квадратичный законизменения емкости от уровня, а между пластинами размещен металлический экран.На чертеже изображен предлагаемый емкостный преобразователь,. рносов, Г. 3. Солгвник и А, И, Троегу15039 3 азоры межц электродачи каждой из частей преобразователя различны. Зто связано с, выбором необходимых соотношений в приращениях емкостей каждой из частей преобразователя, чем обеспечивается воэможность компенсации непостоянства свойств среды вдоль диапазона измерения. Величины необходимых...

Номер патента: 520551

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Бугров, Козлов, Кулаков, Филатов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, свойств

...соединяется рабо чий вход звена, подключается конденсатор или резистор соответственно. Если измеря- ется У вход и выход звена меняются местами, а в плечо моста подключается конденсатор. 5Такое построение прибора обеспечивает развертывающее уравновешивание активного или реактивного тока через датчик и изме - рения остаточного напряжения на элементе, которое пропорционально Е илидатчи ка, соответственно, При обратном включении пропорционального звена нормируется величина реактивного напряжения на элементе моста, и измеряется величина активного напряжения, которое пропорционально д о 25На фиг, 1 показана схема возможного подключения звена 2 для измерения ЯУ,оПри повороте на 180 пропорционального звена 2 в измерительной,диагонали моста к...

Номер патента: 523284

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Денисов, Иванов, Строганова, Цитлик

МПК: G01F 1/64

Метки: диэлектрических, расхода, сред

...и др.). Ионизатор 2 смонтирован на диэлектрическом патрубке 3. Коллектором является металлический цилиндр 4, на выходе из которого установлена металлическа товина 5 со стержнем 6.,Поверх цил закреплена конфузорная втулка 7 из трика. К коллектору подсоединен изме ный прибор 8 с входным сопротивлени Диэлектрическая среда, проходя через область ионизатора, под воздействием поля высокой напряженности, приложенного к элект родам ионизатора, приобретает объемныйэлектрический униполярный заряд, который вместе со средой переносится к области коллектора. Часть объемного заряда собирается непосредственно металлическим цилиндром 4.15 Часть заряда осаждается за счет адсорбциина внутренней поверхности диэлектрической конфузорной втулки 7 и создает...

Номер патента: 525016

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Дранов, Кичигин, Чернина

МПК: G01N 27/78

Метки: диэлектрических, кристаллической, парамагнитными, примесями, совершенства, стержней, структуры

...слоев листового пермаллояэкран 6, Волновод припаян к крышке 7 резонатора 1. У места крепления к резонатору в экране просверлено окно 8, которое закрывается медными пробками. Стержень перемешается с помощью винта 9, который одним концом прикреплен к держателю стержня. Поступательное перемещение стержня обеспечивается гайкой с накаткой, закрепленной неподвижно. Резонатор 1 прикреплен к СВЧ-тракту спектрометра ЭПР с помощью фланца 10,Дезонатор помещается в магнитное поле так, чтобы окно 8 находилось в центре зазоПодписное Совета Министров ССС открытий аб д,4/5осударстве по дела Москва, Ж 3035,Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ра между полюсчыми наконечниками электромагнита.С помощью окна в полости волновода, огна иченной...

Номер патента: 526764

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Мясников

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, покрытий, толщины

...0 и О которого т 50 дк.5 ючены к ДВум кан 2 л 2 м / и Ь ООР 200 тки сигН 2.52, сосощим соответстВснно из у си.и 0;5 еи 55 и 10, олоков кох 55 енсации 11 и 1 В, сосд 5:ненны Одними Входахи с усилите.Ими, а друи.55 и через фазовращатели 13 5 4 с гепсратораъ 1 и, а Выходами с 020 ком де 055 Н 5 10, соедине 5 ны:5 с измерителем 1 о.;у строиство раоотаст следу 5 ощих Ооразоь.15 из 5 еритс,5 ьпых Оомотках датчика Возника 50 т н 255 р 55 жс 55 пя Оосих частот, котОрыми запитыВает.я Возоужд 250 ща 5 ООх 50 тка. 1 сн 25 итсли выоирают только ту частоту, которая, будучи умноженная на квадрат диаметра подключенной к нему измерительной обмотки, Ооеспечит постоянство такОГО произведени 5 для обоих напряжений, получаемых на выхоах усплитслсй. Когда...

Номер патента: 531284

Опубликовано: 05.10.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: диэлектрических, металло, полупроводниковых, транзисторах, усилитель-формирователь

...равный Е О,питгде О о - пороговое напряжение МДП-транзисторов.С приходом отрицательного перепада на вход усилителя-формирователя в точке 22 устанавливается потенциал, равный О вх+ + Е - О о, который превышает уровеньпитЕ пит,Транзисторы 5, 10, 14 и 18 открываются, и в точке 21 и выходах всех двухтактных усилителейформирователей устанавливаются потенциалы, близкие к нулю, при этом верхние транзисторы двухтактных усилителей закрыты и ток не проводят.Накопительный конденсатор 8 и смещаюшие конденсаторы 11 и 15 заряжаются через открыте пары транзисторов 3 и 14, 12 и 10, 16 и 14, Так как напряжение в точке 22 превышает Е, то в точках 20,пит24 и 26 устанавливаются потенциалы, оавные Е , Конденсатор 2 также зарядитсяпитчерез...

Номер патента: 536424

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Чурилин, Шляжас

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, нитей, параметров

...того,в процессе поворота датчика происходит изменение контакта между электродами и нитями, смещение прилегающих,к электродам нитей и нарушение их,параллельности, что приводит к снижению точности контроля.Цель изобретения - ,повышение точности и воспроизводимости результатов измерения.Для этого диэлектрические свойства измеряют вдоль и поперек нитей одновременно без изменения ориентации датчика и по результатам данных измерений определяют искомые параметры исследуемых нитей.На чертеже, изображено устройство, реализующее предлагаемый способ.Исследуемую нять 1 с намоткой при постоянном натяжении помещают параллельными витками,между емкостными датчиками 2 и 3 с ленточными электродами 4, ориентированными вдоль (датчик 2),и поперек (датчик...

Номер патента: 539098

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Медведев, Ткачев, Шихов

МПК: D01D 3/00

Метки: диэлектрических, профильных, фильер

...элементы образуют отверстие с профилем, соответствующим форме калибровочного отверстия.На фиг, 1 показанана фиг, 2 -Питание обмотки осуществляется от источника 6 питания посредством последовательного соединения с генератором 7 мощности.жидкая масса полимера продавлнвается че рез калибровочное отверстие 2 н в результатеперехода ее из жидкого состояния в твердое образуется волокно.Прн движении жидкой массы на ее частицах н на стенках фнльера за счет трения воз никают заряды статического электричества.Таким образом, истечение жидкой массы через калибровочное отверстие происходит в сильном электрическом поле. В связи с этим в диэлектрике возникает объемный разряд ста тнческого электричества, обусловленный электронной, ионной и...

Номер патента: 551969

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Бочканс, Григале, Фелтынь

МПК: H01L 21/306

Метки: диэлектрических, покрытий

...дыхания, получаемой из ЭКГ, где происходит их обработка.Сначала выделяют ритмограмму Я-Я итервалов, 552969после чего выделяют частоту дыхания по следующему алгоритмудйй = ЯЯ -ЯйПо кривой а Ц Ц определяют Я - число пересечений нулевой линии, тем самым определяют частоту дыханияЙотьи = -ГТаким образом полученное значение частоо ты спонтанного" дыхания, выделяемое из ритмограммы ЭКГ, определяет управляющий сигнал на изменение минутной вентиляции легкик, вырабатываемый в блоке 4 выработки управляющего воздействия, как разность между вычисленной таким образом частотой дыхания и навязанной частотой дыхания, эпределенной в предыдущем цикле измерений:У уп р = (Гды х - Еых пред. ц.) КЭта разность (сигнал рассогласования) подается как...

Номер патента: 552176

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Бычкова, Егоров, Матвеев, Павельев, Тучнин

МПК: B23Q 15/04

Метки: активного, диэлектрических, толщины

...содержит также подключенный квыходу детекторной секции 4 усилитель низкой частоты 10, один выход которого соединен с индикатором 11, а другой - с блоком сравнения 12, блок опорного напряжения 13, подключенный к второму входу блока сравнения 12, и усилитель мощности 14, вход которого связан с выходом блока сравнения, а выход - с реверсивным двигателем 15, кинематически связанным с основанием интерферометра 1.Работает устройство следующим образом.Энергия колебаний от генератора 2 делится с помощью двойного тройника 3 интерферометра между его опорным и рабочим плечами. Отраженные от концов этих плеч волны сравниваются на СВЧ детекторе в детекторной секции 4. Перед началом работы для увеличения чувствительности интерферометра...

Номер патента: 557066

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Журавлева, Курятов

МПК: C03C 15/02

Метки: диэлектрических, защиты, поверхности

...блока прогревается термоизлуательной лампой до 80-150 С, затем на прогретую поверхность кладется слой полиэтиленовой пленки и прижимается к поверхности без воздушных пузырьков с помощью металлического катка. Затем этот слой пленки прогревается термоиэлучательной лампой до оплавления ("100 С) и далее деталь остывает вместе с пленкой до комнатной температуры, Защитный слой плотно охватывает края защищаемой поверхности и хорошо сцепляется с нею. После остьтвания деталь травят в смеси кон. центрированных кислот - фтористоводородной и серной, промывают в проточной горячей воде, затем, подцепив с краю защитную пленку острым инструментом, например скальпелем, ее снимают, Затем деталь ополаскивают дистиллированной водои.Исследование обработанных...

Номер патента: 558160

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Захарян, Цатурян

МПК: G01F 11/00

Метки: диэлектрических, дозатор

...3 и металлического вала 4 с заострениями 5 в зоне цилиндра 2. Вал 4 заземлен, а цилиндр 2 подключен к высоковольт:лму полюсу источника высокого напряжения б, низковольтный полюс которого заземлен. Цилиндр 2 изолирован от вала 4 передней 7 и задней 8 изоляционными крышками. На передней крышке имеется выходное отверстие 9.3 Дозатор работает следующим образом.При вращении шнека матерал из бункера 1подается в электродную камеру, где между валом 4 и цилиндром 2 существует сильное электрическое поле. Под действием электриче ского поля частицы ориентируются и изменяют расход материала, При напряжениях выше определенного между валом 4 и цилиндром 2 горит коронный разряд. Частицы сыпучего материала заряжаются в поле коронного разр да и,...

Номер патента: 558167

Опубликовано: 15.05.1977

Автор: Минаев

МПК: G01F 23/284

Метки: датчик, диэлектрических, резонансный, сред, уровня

...является невысокая чувствительность при таких диапазонах измерения, обусловленная повышенным диапазоном рабочих частот.Для повышения чувствительности датчика и понижения диапазона рабочих частот в предлагаемом датч е металлического сер з изоляционные про йпроводник.5 На чертеже представлен описываемый датчик, содержащий фигурные проводники 1, 2, образующие наружный полый проводник, сердечник 3 в форме пластины, внутренний проводник 4, навитый на сердечник и укреплен 0 цый на нем, проходные изоляторы 5,Сердечник образует с внутренней поверхностью наружного полого проводника экранированные друг от друга полости, сообщающиеся по заполнению.5 Для измерения уровня датчик заполняютсредой и по резонансной частоте датчика определяют текущее...

Номер патента: 560129

Опубликовано: 30.05.1977

Авторы: Будкин, Денискин, Трахтенберг

МПК: G01B 7/06

Метки: вихретоковое, диэлектрических, покрытий, толщины

...9, нуль-орган 10, сигнализа тор нуля, содержащий, например, 560129электронный ключ 11, реле 12 и лампу 13 накаливания,Устройство работает следующим образом.С генератора 1 переменное напряжение поступает на преобразователь 3 и компенсатор 2, которым выходное напряжение преобразователя компенсируется при отсутствии около него проводящего изделия. Вносимое контролируемым изделием в преобразователь 3 напряжение через усилитель 4 подается на входы фазочувствнтельных детекторов 5 и 6, один из которых настроен в квадратуре с реактивной составляющей, а другой - в квадратуре с активной. От усилия, приложенного к корпусу преобразователя (рука контролера), сначала начинает сжиматься пружина 14, с помощью которой ось катушек устанавливается...

Номер патента: 561151

Опубликовано: 05.06.1977

Автор: Кравченко

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, измеритель, характеристик

...представп 5 цоцую собой ципиндрический конденсатор, запопненый исспедуемым образцом; шунтируюший эпектровакуумный диод 6, вспомогательный генератор 7,блок сравнения частот 8 запоминаюцееустройство 9, гппппо задержки импупьсов10, формирователь синхроимпупьсов 11 идвигатель 12. Линия задержки 10 состоитиз управляемого ждуцего мупьтивибратора13 дифференцируюшей цепи 14 и ждушегомупьтивибратора 15. Йвигатепь 12 служитдпя врашения конденсатора переменной емкости контура 4 и запуска блока формироВания синхроимпупьсов 11.Устройство работает спедуюшим образом. З 5Импупьс запуска от, дифференцируюшейцепи 14, сицхронизированпй с периодомобрашеция дниамического конденсатора СКпоступает на управляемый ждуший мупьтивибратор 13, От заднего...

Номер патента: 567086

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Будкин, Вяхорев, Трахтенберг, Фоменко

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, немагнитном, основании, покрытий, проводящем, токовихревое, толщины

...преобразователя, а фазочувствительный детектор 8 - в фазе, причем его выходное напряжение имеет противоположную полярность относительно выходного напряжения фазочувствительного детектора 7. Напряжение с выходов детекторов суммируется сумматором 11. Кроме того, выходное напряжение детектора 7 активной составляющей напряжения преобразователя преобразуется ключом 9 и блоком 13 нелинейной функции у=хе- и суммируется дополнительным сумматором 12 с выходным напряжением сумматора 11. Выходное напряжение дополнительного сумматора 12 регистрируется индикатором 10 толщины диэлектрических покрытий. Увеличение точности измерения толщины покрытия при малых значениях удельной проводимости основания доспигается путем дополнительного...

Номер патента: 572698

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Демиденко, Носов, Шульман

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, дисперсных, диэлектрических

...тивлением (порядка 10" Ом см), например,светлые масла (трансформаторное, вазелиновое, веретенное), нафтеновые и ароматические углеводороды, парафиновые углеводороды, диэфиры, керосин и т. д.Способ реализуют следующим образом, 5 Смешивают определенные объемные или весовые количества анализируемого диэлектрического дисперсного материала и неэлектропроводной жидкости. Используют смесь, например, со следующим соотношением ингре диентов, вес, Ъ: анализируемый материал 1 - б; неэлектропроводная жидкость 95 - 99.Полученную смесь 4 заливают в цилиндр 1, между электродами 2 помещают диэлектрический цилиндр 3, После подачи постоянного 15 напряжения от источника 9 на электроды 2 возникает электрическое поле. С этого момента диэлектрический...

Номер патента: 572712

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Сви, Сорин

МПК: G01R 17/00

Метки: диэлектрических, изоляции, характеристик, эксплуатации

...изменять, что нарушает первона чальную компенсацию помех от тока влияний. Внутреннее сопротивление источника компенсирующего сигнала или последовательно с ним включенное добавочное сопротивление 0 изменяют величину сопротивления цепи объекта моста Шерицга, создавая тем самым погрешность измерения.Полная:компенсация помех от потока влияний в этом устройстве возможна лишь путем 5 измерений методом последовательных приближений, что усложняет процесс контроля оборудования и снижает точность измерений.Погрсшцость измерения, связанная с изменением сопротивления цепи объекта моста Шеринга, при этом цс исключается.едактор Т. Янов Тираж 1109та Совета Министроспий и открытийРаулская наб., д. 4 Изд.НПО Государсгвспчс по дела 113035, Москва717о...

Номер патента: 573714

Опубликовано: 25.09.1977

Автор: Цатурян

МПК: G01F 11/00

Метки: диэлектрических, дозирования, сыпучих

...Реализация способа позволит создать доэаторы, работающие в импульсном режиме с требуемой частотой следования импульсов без примец- ния движущихся органов. При этом предлагаемый способ доэирования используют преимущественно для материалов с зирова спосо ихИзобю мат ретение относится к до и ериалов, в частности к ам дозирования диэлектрическ х материалов. Известен способ доэирования рических материалов путем ис о ия электрических сил )2) Наиболее близким к предлага вляется способ дозирования сы атериалов путем возбуждения в ме коронного разряда 1 Недостатком этого способа я ая точность дозированиячи диэлектьзоваемомуучих его объ- ) ляется матери невысоклов. овани ый ра ности доз собу коро онно нара Для повышения то по предлагаемому сп...