Патенты с меткой «диэлектрических»
Устройство для измерения диэлектрических параметров жидкостей
Номер патента: 1330586
Опубликовано: 15.08.1987
Авторы: Вертий, Деркач, Иванченко, Шестопалов
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, жидкостей, параметров
...и эти моды присутствуют в спектре открытого резонатора раздельно. Таким образом при механическом или электрическом сканировании с по 5 мощью узла 10 перемещения сферического зеркала 5 относительно плоского зеркала 4 в выбранном участке спектра открытого резонатора в последнем будут поочередно или одновременно возбуждаться моды ТЕМО и ТЕМнаого го отличающихся поляризациях. Вывод энергии из открытого резонатора осуществляется посредством отверстия связи в виде круглой диафрагмы диаметром 0,2 1 и толщиной 0,03 в центре сферического зеркала. 5. Разделитель 9 поляризации, расположенный на выходе открытого резонатора и обеспечивающий развязку между двумя выходными плеча ми 25-30 дБ, позволяет выделить возбуждаемые в открытом резонаторе моды...
Способ определения энергетического положения уровней дефектных и примесных центров в полупроводниковых и диэлектрических материалах
Номер патента: 1330676
Опубликовано: 15.08.1987
Авторы: Горбань, Одулов, Олейник, Соскин
МПК: G01N 21/00, H01L 21/66
Метки: дефектных, диэлектрических, материалах, положения, полупроводниковых, примесных, уровней, центров, энергетического
...угол из этого диапазона. В данном случае =2.Экспонирование светом производят до тех пор, пока дифракционная эффективность 1 решетки, записываемой в кристалле, измеряемая при помощи дополнител.ного тестирующего лазера с неактивным излучением, не достигнет заметной величины, не превышающей 0,01-0,02. В этом случае дифракционная эффективностьоказывается прямо пропорциональной квадрату изменения показателя преломления п, что облегчает пересчет полученных температурных зависимостей.После экспонирования, как и во всех способах определения энергетической структуры по термостимулированным процессам, образец подвергают нагреву; наиболее удобным с точки зрения последующей расшифровкй температурных зависимостей является линейный по времени...
Способ очистки металлических изделий от диэлектрических покрытий
Номер патента: 1335341
Опубликовано: 07.09.1987
Авторы: Дубина, Кожаринов, Кожаринова
МПК: B08B 7/04
Метки: диэлектрических, металлических, покрытий
...повышение качества очистки и снижение энергозатрат на осуществление способа.На чертеже представлена схема устройства для осуществления предлагаемого способа.Внутри корпуса 1 располагаются ро"лик 2 с электродами 3 и ролик 4 сшипами 5. Ролики 2 и 4 имеют междусобой жесткую кинематическую связь 6,От источника 7 высокого напряженияпотенциал через устройство 8 защитыпо току поступает на ролик 2. 1 Пипы 5имеют каналы для подачи электролитав углубления, образованные шипами впокрытии, при этом длина шипов менее толщины покрытия,При прокатывани роликов по поверхности детали шипы 5 образуют в покрытии углубления, которые через каналы в шипах 5 заполняются электролитом, В электролит могут быть добавлены поверхностно-активные вещества,...
Устройство для измерения диэлектрических параметров жидкостей
Номер патента: 1337824
Опубликовано: 15.09.1987
Авторы: Клейман, Кучин, Черенков, Черепнев
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, жидкостей, параметров
...М. Ходаннч Корректор Л. Тяско Заказ 4127/44 Тираж 730 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,1133782Изобретение относится к техникеизмерений на СВЧ.Цель изобретения - повышение разрешающей способности и точности из)мерений.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения диэлектрических параметровжидкостей.10Устройство для изме ре ния диэле ктрических параметров жидкостей содержит атомно-лучевую трубку 1, включающую источник 2 пучка атомов,(С), отклоняющие магниты 3, СВЧ,резонатор 4, являющийся измерительным резонатором, ионизатор 5, коллектор , магнитный...
Устройство для измерения диэлектрических характеристик веществ
Номер патента: 1337826
Опубликовано: 15.09.1987
Авторы: Подгорный, Тертычный, Шахматов
МПК: G01R 27/26
Метки: веществ, диэлектрических, характеристик
...амплитудць 1 м детектором 7 и поступает в блок 8, управляющий настройкой 1.С- контура в резонанс вспомогательным конденсатором 3 по разности фаз модулирующего сигнала и низкочастотной огибающей на выходе амплитудного детектора 7.Пока ячейка 5 подключена к контуру, измерительный конденсатор 6 через замыкающие контакты переключателя 12окдзывается подключенным к входуФункционального преобразователя 11емкость - частота,После окончания настройки в блоке10 измерения потерь запоминается напряжение 0, , а в индикаторном устройстве 13 - частота 1, соответствующая емкости измерительного конденсатора. Затем в 1,С-контур вместоя Гейки 5 подключается измерительныйконденсатор 6, Емкость вспомогательного конденсатора 3 запоминается,т.е. механическая...
Устройство для управления процессом термообработки диэлектрических материалов
Номер патента: 1341624
Опубликовано: 30.09.1987
МПК: G05D 23/19
Метки: диэлектрических, процессом, термообработки
...от диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, т.е. от фактора потерь К. Чем вьше диэлектрические потери, тем выше поглощаемая мощность. Но с увеличением температуры увеличивается величина фактора потерь К, т.е.=1(И), И=ЕС 8 РЕй 10 Ом/см где- температура материала;3 - поглощаемая мощность высокочастотного генератора;18 3 - фактор диэлектрических потерь;Е - напряженность поля;- частота тока.В процессе высокочастотного нагрева диэлектриков (в том числе и ПВХ-линолеума) меняются контурные показатели режима работы генератора ВНИИПИ Заказ 4436/52 5 10 15 20 25 30 и, в частности, величина тока потребления высокочастотного генератора,например, при выполнении генераторана электровакуумном триоде - величина анодного и...
Способ контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин
Номер патента: 928896
Опубликовано: 30.09.1987
МПК: G01N 21/00
Метки: высоковольтной, диэлектрических, пластин, площади, проводимости, распределения, составляющей
...распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанном на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластиныполяризованным светом и регистрацииоптического изображения, по которомусудят о наличии и расположении мест,обладающих высоковольтной проводимостью, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят воптический контаКт с поверхностьюкристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения элек трического пробоя использовайного кристалла, а облучение структуры производят монохроматическим светом.На чертеже приведена схема устройства для реализации...
Установка для высокочастотного нагрева диэлектрических материалов
Номер патента: 1344621
Опубликовано: 15.10.1987
МПК: B29C 71/04
Метки: высокочастотного, диэлектрических, нагрева
...при изготовлении изделий из термореактивных пластмасс на предприятиях электротехнической, химической, радиотехнической и других отраслей промышленности.Целью изобретения является упрощение конструкции высокочастотной нагревательной установки.На чертеже показана предложенная установка,Установка для высокочастотного нагрева диэлектрических материалов содержит нагревательную камеру 1, имеющую неподвижную высокопотенциальную пластину 2 и загрузочный стол 3 с приводом 4. Камера 1 имеет загрузочное окно 5, закрываемое подвижной боковой стенкой 6, снабженной со стороны окна 5 контактным элементом 7, Стенка 6 прикреплена к рычагу 8, имеющему горизонтальную ось 9, лежащую в плоскости окна 5. Стенка 6 соединена со столом 3 тягой 10....
Установка для очистки диэлектрических жидкостей от механических примесей
Номер патента: 1353507
Опубликовано: 23.11.1987
Авторы: Гаража, Голего, Казанец, Кривченко, Савельев, Трянов, Турчин, Чирков, Ярцева
МПК: B01D 35/06, B03C 5/00, B03C 5/02 ...
Метки: диэлектрических, жидкостей, механических, примесей
...этом высокое на пряжение подается на его электроды от высоковольтного источника 3 питания только в том случае, когда очиститель заполнится жидкостью полностью. Когда ЭОМП полностью заполнен жидкостью, то электромагнитный кран 9 закрыт, а открывается электромагнитный кран 8, соединяя гидравлическую систему установки с приемной емкостью. При этом высокое напряжение подано на электроды ЭОМП.Дроссельный кран 21 служит для регулирования расхода жидкости, который определяется по показаниям манометра 24, оттарированного по расходу жидкости. В случае сильной оводненности жидкость предварительно перекачивают по циркуляционной схеме через ЭДГ, присоединив штуцера 26 и 27 к емкости с очищаемой жидкостью, Высокое напряжение при этом подается на...
Свч-измеритель влажности диэлектрических материалов
Номер патента: 1363037
Опубликовано: 30.12.1987
Авторы: Гавриленко, Потапов, Скрипник
МПК: G01N 22/04
Метки: влажности, диэлектрических, свч-измеритель
...4 модулированный СВЧ-сигнал отражается от него и проходит через свободное плечо первого У-циркулятора 3, аттенюатор 9, линию 10 задержки на второй вход двойного волноводного тройника 11.В результате периодической работы автоматического прерывателя 4 отраженный от отражателя 7 и самого автоматического прерывателя 4 СВЧ-сигнал поочередно через плечи двойного волноводного тройника 11 поступает на детекторную секцию 12. Выделение огибающей продетектированного СВЧ- сигнала осуществляется первым избирательным усилителем 13, настроенным на частоту низкочастотного генератора 18. Сравнение этих напряжений по фазе с фазой модулирующего сигнала осуществляется в фазовом детекторе 14. Фаза огибающей СВЧ-сигнала, прошедшего контролируемый материал...
Устройство для обработки диэлектрических покрытий металлических изделий
Номер патента: 1371804
Опубликовано: 07.02.1988
Авторы: Марунич, Сарасек, Ситник, Фроликов, Яковлев
МПК: B23D 31/00
Метки: диэлектрических, металлических, покрытий
...состоит иэ режущей головки 1 с кольцевым датчиком 2 перемещения режущего инструмента 3, предназначенным для замера толщины покрытия 4 н зоне резания, Диаметр датчика выбирается в зависимости от толщины покрытия (чем больше толщины покрытия, тем больше диаметр датчика). Режущий инструмент 3 включает неметаллический корпус, на котором закреплены ножи таким образом, что они находятся в непосредственной зоне обзора датчика 2 перемещения.В результате такого расположения ножей достигается высокая точность обработки диэлектрических покрытий 4 металлических изделий 5, Устройство снабжено измерительным блоком 6, предназначенным для измерения расстояния от датчика 2 до металла иэделия 5, блоком 7 управления, который в зависимости от информации...
Способ контроля оптически прозрачных диэлектрических объектов
Номер патента: 1374119
Опубликовано: 15.02.1988
Авторы: Домород, Кожаринов, Храповицкий
МПК: G01N 27/62
Метки: диэлектрических, объектов, оптически, прозрачных
...размера дефекта 6 При прохождении через объект 1 с дефектом 6 (газовой полостью) излучения лазера 5 поглощается дефектом 6 (в зависимости от размеров по лости и начальной проводимости газа в ней), температура, давление и частота столкновений в полости повышаются, и в результате сложных и взаимосвязанных процессов передачи энер гии излучения слабоионизованному газу в полости степень ионизации и яркость свечения газа возрастают. После окончания лазерного импульса (или группы импульсов) светящийся РазРяд в полости дефекта 6 существует еще некоторое время, в течение которого его и можно зарегистрировать с помощьи ЭОП 7. Длительность времени лослесвечения зависит от параметров дефекта 6 и величины приложенного к электродам 2,3...
Способ обработки диэлектрических материалов
Номер патента: 1375328
Опубликовано: 23.02.1988
Авторы: Болдырев, Зырянов, Коростелева, Сысоев
МПК: B02C 17/08
Метки: диэлектрических
...взаимодействиям прилипают к металлическим поверхностям и друг к другу 45 (явления адгезии и аутогезии), образуя приударах плотный футеровочный слой на рабочих поверхностях из самого материала.Локальные импульсы температуры при ударах до 1000 С, а также фоновая температура увеличивают пластичность материа лов и способствуют припеканию частиц, чтов итоге приводит к более плотному и прочному защитному слою.В табл. 2 приведены результаты серийопытов на различных материалах (выявление ассортимента). Установлено, что при 55 обычной, обработке футеровочный слойнепрочный (содержание железа увеличивается со временем обработки), а при одноразовом и двухразовом футеровании с предва 1375328Формула изобретения рительной стадией...
Ячейка для измерения диэлектрических характеристик материалов
Номер патента: 1383171
Опубликовано: 23.03.1988
Авторы: Берлин, Гильбух, Комаровский, Линский
МПК: G01N 22/00, G01R 27/26
Метки: диэлектрических, характеристик, ячейка
...шириной направляющих канавок 10, большей толщины ленты из проводящего материала на величину допуска,обеспечивающего скользящую посадкуленты 8 из проводящего материала внаправляющих канавках 10, с глубинойнаправляющих канавок 10, исключающей выход ленты 8 из проводящего материала направляющих канавок 10 иобеспечивающей ее выпрямление принеплоском сечении. Сама лента из про.водящего материала выполнена, например, из пружинящего материала с поперечным сечением в виду дуги, длинакоторой меньше расстояния от днанижней направляющей канавки 10 додна верхней направляющей канавки 10на величину допуска, обеспечивающегоскольжение ленты 8 из проводящегоматериала по дну направляющих канавок 10,Кроме того, на ленту 8 из проводящего материала может...
Измеритель параметров диэлектрических сред и материалов
Номер патента: 1383226
Опубликовано: 23.03.1988
Автор: Иванов
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектрических, измеритель, параметров, сред
...5 за счет периодического изменения емкости варикапа 10, т.е. амплитудная модуляция в цепи питания генератора 5 порождает частотную девиацию того же генератора.Эта частотная.,девиация с частотой коммутации Я должна быть скомпенсирована за счет выравнивания импедансов конденсаторов 13 и 14. Причем индикация равенства этих импедансов контролируется по равенству частот генератора 5 на полупериодах Т/2 трактом преобразования измерительной информации, используемом ранее, на 1первом этапе в режиме; измерения Х, т.е. индикацияравенства импедансов происходит с помощью реверсивного счетчика 7. Выходной код счетчика, как и в первом режиме, является информацией для управления конденсатором 14 через блок 15. Процесс регулирования значения емкости...
Вихретоковый толщиномер диэлектрических покрытий на электропроводящем основании
Номер патента: 1384930
Опубликовано: 30.03.1988
Авторы: Маренкова, Маруняк, Мякинькова, Парфененко, Потапов, Торопцов, Щипцов
МПК: G01B 7/06
Метки: вихретоковый, диэлектрических, основании, покрытий, толщиномер, электропроводящем
...включен вихретоковый преобразователь 1, вычитатель 3 частот, катушку 4 индуктивности, опорный автогенератор 5, в колебательный контур которого включена катушка 4 индуктивности, измеритель 6 периода колебаний, последовательно соединенные частотомер 7, вычитатель 8 и индикатор 9, вычитатель 3 частот соединен входами с выходами автогенераторов 2 и 5 и выходом с входами частотомера 7 и измерителя 6 периода колебаний, подключенного выходом к второму входу вычитателя 8. Колебательные контуры автогенераторов 2 и 5 связаны один с другим через магнитную и/или электрическую связь, что позволяет дополнительно линеаризовать выходную характеристику толщиномера. Магнитная связь реализуется за счет соответствующего размещения катушки 4...
Способ измерения коэффициента преломления диэлектрических и полупроводниковых пленок
Номер патента: 1392466
Опубликовано: 30.04.1988
МПК: G01N 21/41
Метки: диэлектрических, коэффициента, пленок, полупроводниковых, преломления
...от верхней и нижней говерхцостей пленки45 Уменьшают (увеличивают) угол падения и сканированием прием)ика электромагнитного излучения по длине волны находят новое. положение выбранного интерференционного максимума. Процесс установки угла падения электромагнит 50 ного излучения со сканированием приемника электромагнитного излучения но длине волны прекращают по полученц минимального значения интенсивности интерференционного максимума. фиксируют величину угла падения ( и длину волны электромагнитного излучения 3, соответствующие минимальному значению интенсивности интерференционного максимума. Определяют коэффициент преломления вещества пленки для электромагнитного излучения с длиной волныпо формуле оББП р и м е р , На поверхность...
Устройство для измерения диэлектрических параметров твердых электроизоляционных материалов
Номер патента: 1396030
Опубликовано: 15.05.1988
Автор: Школьник
МПК: G01N 27/00
Метки: диэлектрических, параметров, твердых, электроизоляционных
...генератор 15 высокочастотного электрического поля. Включение и отключение генератора 15 осуществляется терморегулятором 16 (типовой), соединенным с термодатчиком 9. Устройство работает следующим образом.Для измерения диэлектрических параметров прн заданной температуре на терморегуляторе 16 выставляется уставка, коммутатор 13 устанавливается в положение на присоединение генератора 15 к электродами 1, 4 и 5 (при этом электроды 4 и 5 соединены между собой и заземлены), генератор 15 включается и осуществляется нагрев образца 8 под действием высокочастотного электрического поля, При достижении заданной температуры, что контролируется терморегулятором, выполняющим функции термоизмернтельного прибора (например, пирометрический милливольтметр с...
Устройство для регистрации дефектов в плоских диэлектрических материалах
Номер патента: 1396120
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Домород, Кожаринов, Храповицкий
МПК: G03G 17/00
Метки: дефектов, диэлектрических, материалах, плоских, регистрации
...замкнутой полости, и второй плоский конденсаторный электрод 6 на противоположной поверхности материала. Электроды 3 20 и б соединены с выходом источника вы сокого напряжения (не показан), а излучатель 1 соединен с выходом генератора 7 электромагнитного излучения с диапазоном длин волн, который определяют иэ условия прозрачности плоского диэлектрического материала 4, причем максимальная длина волны не должна превышать двух толщин материала 4. 30Устройство работает следующим образом.Плоский диэлектрический материал 4 помещают (без зазора) между элек" тродами 3 и 6, которые соединены с выходом источника высокого напряжения (не показан), устанавливают величину таким образом, ччЬ напряженность электрического поля в газовой полости дефекта...
Способ измерения дискретного спектра времен релаксации диэлектрических материалов и сред и устройство для его осуществления
Номер патента: 1402910
Опубликовано: 15.06.1988
Авторы: Водотовка, Кондратов, Скрипник, Скурихин
МПК: G01N 27/22
Метки: времен, дискретного, диэлектрических, релаксации, спектра, сред
...материала вносимый фазовый сдвиг у, также зависит от частоты сигналов, поступающих на емкостный датчик 5, Фа-, зовый сдвиг ,между сигналами П,(С) 4 О и П (С) измеряется и контролируетсл с помощью цифрового Фазометра 6.После установки автоматического переключателя 1 в положение указан" ное на Фиг 2, изменяют частоту Г вы.45 хсдн.,го сигнала перестряиваемого генератора 2 (допустим снизу вверх) до момента получения значения Фазового сдвига между сигналами Б и П(.) равного 4 например, 50 ", т.е. ,= БО50Затем переключатель 1 режимов работы переводят в среднее положение, при котором на оба входа второго логического эпемента И-НЕ 13 поступает положительный потенциал с первого вььхода источника 11 питания. В результате на вьгходе второго...
Устройство для обнаружения дефектов в диэлектрических пленках
Номер патента: 1408356
Опубликовано: 07.07.1988
МПК: G01N 29/04
Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, пленках
...усилитель 4 и динамик 5, источник6 питания, генератор 7 импульсов напряжения с токоотводами 8 и 9, Токоотвод 9 соединен с мембраной 2, а натокоотвод 8 нанесен слой 10 гигроскопичного материала. Контролируемаяпленка 11 размещается на мембране 2. 25Натяжение мембраны 2 регулируетсярезьбовой втулкой 12,Устройство работает следующим образом. 30Исследуемую пленку 11 укладывают на поверхность мембраны 2. Включают питание генератора 7 импульсов напря;жения и усилитель 4, Пленка 11 генерирует звуковые колебания. Токоотвод 8 равномерно перемещают по поверхности пленки с перекрытием всех ее участков. Пьезоэлектрическии приемник 3 преобразует звуковые колебания в электрический сигнал, который усиливается усилителем 4 и воспроизводится...
Электроочиститель диэлектрических жидкостей
Номер патента: 1409328
Опубликовано: 15.07.1988
Авторы: Гаража, Казанец, Кривченко, Турчин, Чирков
МПК: B03C 5/00
Метки: диэлектрических, жидкостей, электроочиститель
...1 изображен электроочиститель диэлктрических жилкостеи; на фиг..4 ц ячейка очистителя в разборе.Элктрццчисттель диэлектрцчских жидкостей имеет корпус 1, покрытый Внутри электрцизоляпионцыми материалами, )холнци Итх 3 р 2 и н)тмир 3 ыхцла Очин)ннци жидкости, отстойник 4 и кран 5 слива жилкости при регенерации,1) корпусе расположены плоские изолированные элктролы 6, электролы 7 с конусццбрдзнычи высту ндчи, ли элс ктр)(чс ски нроставки 8 с и рфцрирцваннычи нижними 9 и верхними 1 О нркрытиячи, лиэлктричский нднолнитель 11 из конденсаторной к- р;)чики 11, ц)орндя шайца 12 из э,)ектрои,)о,яционногц материала, име)цщдя отврсти лля нрохцлд жидкости, электричски )нины 1) и 14 с клеммами 15 и 16 нолвцлд вы- сокОГО нацр 51 ж(.ния от...
Способ контроля неоднородности толщины диэлектрических пленок
Номер патента: 1411575
Опубликовано: 23.07.1988
МПК: G01B 11/06
Метки: диэлектрических, неоднородности, пленок, толщины
...на границе пленка - окружающая среда. Составитель В.Бахтин Редактор И.Ыулла Техред Л,Олейник Корректор О,КравцоваЗаказ 3643/36 Тираж 630 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для контроля однородности толщины прозрачных пленок наноУ 5 имых на прозрачную подложку с коэф-ициентом преломления, близким к коффициенту преломления пленкч.Целью изобретения является повышее точности контроля за счет увели ения контраста интерференционной артины.Способ осуществляется следующим бразом.Перед нанесением...
Способ измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических материалов
Номер патента: 1411650
Опубликовано: 23.07.1988
Авторы: Водотовка, Григорьян, Скрипник
МПК: G01N 22/02
Метки: диэлектрических, полупроводниковых, толщины
...)2+ ЛО(х - 1) +СсояаЬ Г, .,), ( . - У,) 25 Ь (б) - - - +йо с)з с)1- Лс - ЛЕКгде 5 з, ( (: 1, чувствитс.)ьность и погрешности црсобразования разе)стц фаз х) кЗадержку опорных колебаний Л выбирают такой, чтобы приращение фазового сдвига г ее введения прсвь(шало бы пороговую чувствительность фазометра в 5 - 1 О раз.Аналогичным образом выбцракт отношение двух частот СВЧ излучения, т. е. чтобы увеличение частоты ) излучения на Л) вызывало бы соответствую(цсс црирасцецие разности фаз и в 5 - 10 раз превышало порог чувствительности фазометра. 1 ртаком выборе Л и Л) можно считать, что результаты трех измерений (С,), ) и (к) г)ог)учсц) в пределах линейного участка характеристики преобразования разности фаз в напрякение относительно...
Устройство для измерения диэлектрических характеристик твердых веществ
Номер патента: 1411686
Опубликовано: 23.07.1988
МПК: G01R 27/26
Метки: веществ, диэлектрических, твердых, характеристик
...емкости от перемещения его подвижного электрода. После прохождения максимума на выходенуль-органа появляется второй импульс, регистрируемый счетчиком 19,Состояние счетчика 19 дешифрируетсяблоком 20 управления. В результатепрекращается изменение емкости вспомогательного конденсатора 4,и по командам блока управления запускаетсяпреобразователь 14 частота - код, ивычислительным блоком регистрируютсязначения резонансных напряжений Би расстояния й между электродами 30ячейки 5.Затем образец извлекается из межэлектродного пространства ячейки,что приводит к уменьшению емкостиконтура. Кнопкой "Пуск" в блоке управления запускается электродвигатель 8. В результате электроды ячейки 5 сводятся, увеличивая емкостьконтура, После того как...
Устройство для контроля сплошности диэлектрических покрытий в металлических трубах
Номер патента: 1413507
Опубликовано: 30.07.1988
Автор: Никитин
МПК: G01N 27/02
Метки: диэлектрических, металлических, покрытий, сплошности, трубах
...регулируют перемещением подвижного кольца 9 с одновременным еговращением до требуемого диаметра. Приэтом каждая из проволок 4 оболочкивыгибается и скручивается в петлю,перпендикулярную оси устройства, причем величина петли, а вместе с нейи диаметр кольцевого контакта определяются углом перемещения подвижногокольца относительно корпуса. Полученный контакт принимает вид воронки сметаллическим ободком, а так как каждая проволока выполнена с диэлектрическим покрытием, то, прилегая другк другу, покрытия образуют герметичную поверхность. Отрегулировав такимобразом устройство, его помещают висследуемую трубу и подают питающеенапряжение. Одновременно в трубу подают сжатый воздух. Подача питающегонапряжения приводит в движение движитель и...
Электрический очиститель диэлектрических жидкостей
Номер патента: 1414464
Опубликовано: 07.08.1988
Авторы: Ашанин, Дрибин, Костин, Лысиков, Руднев, Шамрай
МПК: B03C 5/02
Метки: диэлектрических, жидкостей, очиститель, электрический
...загрязнений и может быть использовано в дорожно-строительном,горном и сельскохозяйственном машиностроении и других отраслях промьппленности. 10Целью изобретения является повышение эффективности очистки диэлектрических жидкостей за счет увеличениянапряженности электрического поля.На чертеже приведена схема предлагаемого очистителя,Электрический очиститель диэлектрических жидкостей содержит корпус1, патрубки 2 и 3 соответственно ввода очищаемой и вывода очищенной жидкости и фильтрующий элемент, выполненный в виде параллельных проводников 4, подключенных к раэноименнымполюсам источника 5 тока и навитыхв тороидальный моток. 25Очистнтель работает следующим образом.Очищаемая жидкость подается черезпатрубок 2 корпус 1 и последовательно...
Вихретоковый толщиномер диэлектрических покрытий
Номер патента: 1416859
Опубликовано: 15.08.1988
Авторы: Маренкова, Маруняк, Мякинькова, Потапов, Яценко
МПК: G01B 7/06
Метки: вихретоковый, диэлектрических, покрытий, толщиномер
...точности измерения путем измерения и преобразования периода колебаний разности частот измерительного и опорного генераторов.На чертеже представлена структурная 10 схема вихрегокового толщиномера диэлектрических покрытий.Вихретоковый толщиномер состоит из вих ретокового преобразователя 1, измерительного автогенератора 2, включенного в колебательный контур автогенератора 1, катушки 3 индуктивности, эквивалентной по своим электрическим параметрам вихретоковому преобразователю 1, опорного автогенератора , 4 с включенной в его колебательный контур катушкой 3 индуктивности, вычи тателя 5 частот, соединенного входами с выходами измерительного автогенератора 2 и опорного автогенератора 4, последовательно соединенных измерителя 6 периода...
Способ определения плотности зарядов двойного электрического слоя в контакте диэлектрических частиц с твердой поверхностью
Номер патента: 1420505
Опубликовано: 30.08.1988
Авторы: Дерягин, Корпусов, Михович, Муллер, Топоров
МПК: G01N 27/60
Метки: двойного, диэлектрических, зарядов, контакте, плотности, поверхностью, слоя, твердой, частиц, электрического
...максимальный радиус площади контакта;5 л 1-г (ка К( - ---Ч ) (5)4 Е 16 -.,А = - -ба Ф 3(6) где. б - средняя плотность заряда наобкладках, имеющих формукруга радиуса а.Когда скорость столкновения частицы с преградой Ч меньше критической скорости Ч (частица прилипает), Ек с А. Когда скорость столкновения частицы с преградой Ч ) Ч , Ек .ъ А,При критической скорости Ч откр вечающей началу отскока: Е = А. (7)Подставляя в выражение (7) значения Ек из (2) и А из (б) с учетом (3) и (5)имеем216 . - 2 3 4 3 Ч- "- л б а = - -К3 3 2В контакте частицы с поверхностью мишени образуется двойной электрический слой, который можно рассматривать как заряженный плоский конденсатор. В этом случае процесс нарушения контакта эквивалентен процессу разведения...
Способ контроля тонких диэлектрических материалов по толщине
Номер патента: 1430859
Опубликовано: 15.10.1988
Авторы: Джежора, Шушкевич, Щербаков
МПК: G01N 27/22
Метки: диэлектрических, толщине, тонких
...плавно смещаться в сторону элеКтрода с меньшим потенциалом, а отношение глубины контроля при этом будет определяться соотношением напряжений на электродах 1 и 2. Для определения рабочей области, т,е, пределов изменения напряжения на электродах 1 и 2, следует учесть, что при плавном уменьшении соотношения Ч/Ч наступит момент, когда граница раздела полей совпадет с плоскостью, в которой лежат верхние электроды, и часть силовых линий замкнется на верхнем электроде. В результате емкость нижней пары электродов Суменьшится и на графике зависимости емкостей С(Ч) появится точка поворота А (фиг.2), Таким же образом можно определить нижнюю точку поворота В, в которой произойдет совпадение границы раздела полей с плоскостью нижней пары...