Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 1562754

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Анисимов, Кислецов, Колокольчиков, Подкопаев

МПК: G01N 3/40

Метки: диэлектрических, пленок, прочности

...электрических свойств диэлек-. вании 7 твердомера 1, При включениитрической пленки. электродвигателя 3 индентор опускаетНа фиг,1 представлена схема уст- ся до касания с пленкой 8. Нагрузкаройства для определения прочности на него возрастает и измеряется с попленок; на фиг.2 - зависимость изме" ,.мощью датчика 4 регистратором 6, Однения тангенса угла диэлектрических новременно измерителем 9 фиксируетсяпотерь от нагрузки,изменение сд 3.Устройство состоит из твердомера Способ осуществляю следующим об 1 с индентором 2, соединенного с дви- разом,гателем 3 и датчиком 4 усилий. Элект- Помещают диэлектрическую пленку народвигатель 3 управляется от источни- электропроводную подложку, вдавка 5 тока, а сигнал с датчика 4 по- в пленку индентор и...

Номер патента: 1562785

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Грицай, Лещенко

МПК: G01N 15/08

Метки: диэлектрических, максимальных, оценки, пленок, полупроводниках, пор, проводимости, размеров, электронной

...диаметра,. Способ специфичен для полупроводников электронной проводимости, так какв отличие от полупроводников дырочной проводимости полупроводник награнице с окислом обогащается основными носителями и внешнее напряжениеоказывается приложенным к двойному35 слою,Формула 40 Заряд Дд связан с площадью 8:яВ+Я(Б)5 О где В - коэффициент пропорциональности,Период импульсов осцилляцвв при 55неизменной постоянной времени зарядаемкости С , 1= (К. + К) С опредепоры С " - емкость двойного слояф двэлектролита на дне поры; С 8 - емкость двойного слоя электролита на границе с беспористым диэлектриком; К - добавочное сопротивление диэлектРрика на дне поры, обусловленное хвос-. том плотности локализованных состояний; К - ключ, включающий...

Номер патента: 1562981

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дубинин, Жмаев, Лысов, Удалов, Шмейлин

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрических, протяженных

...волнойода 3 и излучающего штыря 4, герметизированного от круглого металлического волновода 1 диэлектрическим стаканом 5 из радиопрозрачного материала, например керамики, отрезок 6 металлической трубы, введенный внутрь 30 круглого металлического волновода через отверстие в короткозамыкающей стенке 2 и являющийся одновременно Продолжением входного транспортного Средства, с помощью которого обрабатываемое протяженное диэлектрическое изделие 7 перемещается. Выходной участок круглого металлического волновода 1 имеет сужение 8.Устройство для обработки протяжен Ных диэлектрических изделий работает следующим образом.Подводящий энергию волновод 3 преобразует основную волну Н прямо 45 угольного волновода с помощью штыря 4 в волне...

Номер патента: 1566305

Опубликовано: 23.05.1990

Автор: Овчинников

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, затухания

...В - А: 2 Ер; 2 ВА =одаб,При использовании терминов длялиний с распределенными параметрамипоследние уравнения принимают вид В-Аз= м 2 С (б)(7) 2 ВА = Ю 1 Е; лей хотя бы в двух сечениях линии.- Однако длина волны для каждого иссле-: дуемого образца материала будет различной, что приведет к изменению положения узлов стояцей воды, Для проведения измерения параметров волны в фиксированных точках линии необходимо, цтобы ее узлы приходились на одни и те же заранее выбранные сечения линии, а именно на х, и х, причем расстояние между короткозамкнутым концом линии (х, = О) и первым сечением х, равно расстоянию между сечениями; х - х,= х, - х (фиг. 2). Фиксацию узлов волны достигают такими изменениями частоты колебаний, погонными емкостью и...

Номер патента: 1569530

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Жижин, Хаммадов, Яковлев

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрических, пленок, толщины, тонких

...пленка. Сущность способа заключается в том, что измеряемую пленку, нанесенную на подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучения, которое направляют на призму под различными углами, в условиях нарушенного полного внутрепнего отражения регистрируют спектр поглощения поверхностных поляритонов подложки и определяют гэлщину пленки по формуле й = 2 А Мз,гдег з Й - толщина пленки; д - ширина щели в энергетическом спектре поляритонов; Л - длина волны электромагнитного избужцений пленки и поверхностных поляритонов подложки.Сущность способа заключается в следующем.Измеряемую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине...

Номер патента: 1571492

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Бессонова, Вениаминов, Попов

МПК: G01N 27/02

Метки: диэлектрических, отверждения, полимерных, степени

...и по соответствующемумаксимуму значения температурЫ определяется степень отвеождения .как результат совместных измерений,до комнатной температурыизмеряют ток термостимулированной деполяриза" ции (ТСД) в режиме нагрева с линей-. ным законом нарастания температуры, Определяют максимальное значение .ока 1и соответствующее ему значение температуры Т (: ,). По предварительно полученной двумерной градуировочной з: висимости определяют степень отверждения, причем в качест" 1Ве условной величины степени отверждения Сиспользуется оценка густоты вулканизационной сетки (моль/смз). Эта величина определяется по результатам совместных измерений 11 ат(1,)3П р и и е р , Исследовалась степень отверждения кремнийорганического компаунда...

Номер патента: 1573337

Опубликовано: 23.06.1990

Автор: Мелешин

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, покрытий, толщиномер

...4 и за счет этого повышается точностьконтроля толщины диэлектрических покрытий.Сущность изобретения, например при контроле изделий с ферромагнитной основой заключается в следующем.Возбуждающие обмотки двух вихретоковых преобразователей в отдельности питаются синусоидальными токами синхронно работающих генераторов частот Г и Гд, где Г - частота первого автогенератора, Г - частота второго автогенератора, при этом Е, )7 Й и Й нечетнократнаИзменение составляющих ьыходного напряжения первого преобразователя от толщины диэлектрических покрытий и основы изделия используется для получения инйормации о толщине где Б - напряжение на выходе суммайтора;ЬУ, - изменение напряжения первого преобразоватепяЬЦ, - изменение фазы напряженияпервого...

Номер патента: 1582364

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Гончаренко, Проценко

МПК: A23L 3/32, H05B 6/64, H05B 6/78 ...

Метки: высоким, диэлектрических, нагрева, свч-термообработки, темпом

...в режим поглощения энергии, частькоторой выделяется в нагреваемом материале, а часть поступает в согласованную нагрузку 2. При полном.введении нагреваемого материала в область9 иканал 11 последние переходят врежим объемного резонанса и вся СВЧэнергия выделяется в резонансном объеме, т,е. в нагреваемом материале.За счет такого режима работы устройства нагрузка на генератор изменяетсямало, а режим согласования сохраняется в широком диапазоне изменениядиэлектрической проницаемости нагреваемого материала при условии высокой.концентрации энергии в нем.П р и и е р. Основные размеры устройства, рассчитаниого на рабочуючастоту 2450 мГц и нагрев ампул садезинтрифосфорной кислотой (АТФ)диаметром 9-10,5 мм и емкостью 2 см,15823 должны быть...

Номер патента: 1589151

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Кулижников

МПК: G01N 19/08

Метки: дефектности, диэлектрических, твердых

...развитие начальныхсубмикроскопических дефектов, которые не оказывают заметного влиянияна механические свойства иэделия,Признак убывания зависимости характеризует развитие более серьезныхмикроскопических нарушений, связанных с разрывами элементов, образующих структуру.П р и м е р. Для наиболее полнойдемонстрации возможностей предлагаемого способа в качестве контролируемого материала использована древесина - природный композиционный материал, имеющий сложное строение и содержащий в своем составе более половины целлюлозы - аморфно-кристал- лического полимера,Кондиционированные образцы 12%-ной влажности представляли собой прямоугольные призмы с основанием 20 ЮОмм и длиной вдоль волокон 30 мм. Сжатие вдоль волокон проводили на нагрузочной...

Номер патента: 1589174

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Годовский, Никитин, Шибанов

МПК: G01N 25/18

Метки: активации, диэлектрических, энергии

...Прецезионное измерение г 8 3осуществляют колориметрическим способом при измерении температуры врабочей и сравнительной ячейке, причем начальную температуру сравнительной ячейки устанавливают каждыйраз равной температуре локальногоэкстремума. Воздействуют на рабочийобразец переменным электрическим полем, измеряют разность температуррабочей и сравнительной ячейки и определяют гд 6, по которому определяютэнергию активации. 1 ил,1589174 20 Рг 7 гп с 30 1-ОюГи Состав Техред ель Ю.Коршунов.Пожо ак оп оррек аказ 2536 ИИПИ Госу 97 Подписное омитета по изобретениям и открытия осква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Тира вениог 113035 и ГКНТ СС Производственно-издательский комбинатПатент жгород, ул. Гаг нительный, помещают соответственно в р бочую...

Номер патента: 1589180

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Ободов, Решетов, Туманянц

МПК: G01N 25/72

Метки: аппаратов, внутренних, дефектов, диэлектрических, локальных, металлических, обнаружения, покрытий

...а также высоким значением температуропроводности. Эти факторы оказывают влияние на величину дефектного температурного контраста, разности температур дефектного и бездефектного участков наружной поверхности аппарата. Увеличение термического сопротивления стенки аппарата и растекание локального пятна прогрева при увеличении толщины стенки аппарата при постоянном точечном источнике тепла уменьшает величину дефектного температурного контраста, необходимого для достоверного выявления дефектов.Экспериментально установлено,что для выявления дефектов эмалевого покрытия с раскрытием не менее 0,01 мм при толщине металлической стенки аппарата 20-40 мм необходимо подавать напряжение 6-12 В в виде импульсов длительностью 2-3 мин, Более...

Номер патента: 1589185

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Наливаев

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, параметров

...диапазоне, составляющем несколько десятков единиц Е,Критерием оценки параметра является отношение Бекго/1 о, где Лекго и Бо - экстремальное и начальное значения напряжения низкопотенциального электрода или вообще сигнала в его измерительной цепи, Выразим эти напряжения или сигналы через ко эФАициенты передачи К и Ко (экстремальный и начальный), напряжение на высокопотенциальном электроде имеет вид БВ (1 екФо) = Кех+,Пв/(Ко х х П Ь) Кекг/оЕсли К ехСг возрастет,например, при увеличении влажнос-. ти окружающей среды, то согласно предлагаемому способу возросший К ег делится на возросший же Ко, поскольку они имеют одинаковое направление55 изменения; в случае отсутствия материала изменение К о определяется только изменением свойств окружающей...

Номер патента: 1593968

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Березин

МПК: B29C 65/02

Метки: диэлектрических, разнородных, сварки

...между свариваемыми поверхностями, образование которого препятствует развитию ионизационных процессов в зазоре алюминий - :диэлектрик с меньшей величиной удельного электрического сопрОтивления, оказывающих отрицательное влияние в процессе последующей выдержки (второй этап), при которой происходит дальнейшее сближение указанных поверхностей и их активация. Создание токопроводящего канала в виде кратковременного поверхностного электрического разряда после выдержки (третий этап) обеспечивает передачу в зону образования соединения энергии, необходимой для образования неразъемного узлаПредлагаемый способ позволяет сваривать детали, в которых доступ к алюминиевому слою ограничен, и не требует дополнительных операций по созданию на время...

Номер патента: 1597777

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Кузьмин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, относительной, потерь, проницаемости, тангенса, угла

...пере менного резистора 5 и входом милли- вольтметра 6, второй вывод входа мил" . ливольтметра 6 и второй вывод образцового переменного резистора 5 соединены с .общей шиной. 45 1Устройство работает следующим образом.Напряжение Е частотой К с генератора 1 подается на цепочку, состоящую из последовательно включенныхизмерительного или измеряемого конденсатора 4 (С, подключенного кклеммам 7 и 8, и образцового резистора 5 (К), по которой протекает комплексный ток. Одновременно это женапряжение Е с генератора 1 подаетсяна делитель 2 напряжения, который делит величину исходного напряжения на два, и далее через фазоинвертор 3 - на компенсирующий резистор 5 (К ). На этом резисторе происходит компенсация активной составляющей тока, что...

Номер патента: 1597789

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гулий, Кихарев, Матвейчук, Прилипко, Сологуб, Шпоть

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектрических, исследования, листовых, электризации

...относительно плоскости вращения исследуемого образца. Оси вращения конусов 5 и 6 пересекаются в центре вращения исследуемого образца 4, а образующие поверхности конусов находятся в контакте с поверхностями образца. Первый электризующий конус 5 в центре масс связан с узлом нагружения, состоящим из коромысла 7, противовеса 8, набора калиброванных грузов 9 и опоры 10. Вблизи поверхности образца установлен датчик 11 электрического поля соединенный с регистрирующим прибором 12.Устройство работает следующим образом.Образец 4 из бумаги или другого листового диэлектрика с помощью зажима 3 закрепляют на валу 2 так что, он располагается между электризующими конусами 5 и 6, С помощью привода 1 вал 2 приводится во вращение. За счет сил трения,...

Номер патента: 1599747

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Кособоков, Мясникова, Мясоедов

МПК: G01N 27/20

Метки: диэлектрических, покрытий, сплошности

...контроля сплошностилирующих покрытий на металлах преимущественно толщиной до 30 мкм. Цель изобретения - повышение чувствительности способа и упрощение его, Способ основан на пропускании электрического тока через образец с покрытием и перемещаемьп 1 по нему заостренный графитовый электрод с твердостью 4-7 кг/мм, и усилием прижатия к поверхности образца 2-4 кг/мм, Сплошность покрытия определяют по величинетока. 1 ил. С окрашенным образцом 1 ктировал графитовый электрод 2 в виде заостренного стержня с твердостью 4-7 кг/мм 2 при усилии прижатия к образцу 2-4 кг/мм, который перемещалсч по его поверхности. На электрод подавалось напряжение от источника 3 постоянного тока. При наличии дефекта в покрытии стрелка регистрирующего прибора 4...

Номер патента: 1605289

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Беневоленский, Кубрин, Лисов, Тянгинский

МПК: H01L 23/34

Метки: диэлектрических, подложек, полупроводниковых, термической

...зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью...

Номер патента: 1611399

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Брусенский, Власенко, Кит, Лавриненко, Пивненко

МПК: B01D 35/18

Метки: диэлектрических, жидкостей, фильтр-нагреватель

...В диске 8 и днище 2 предусмотрены уплотнительные прокладки. Нагревательный элемент 5 имеет элект. рические выводы, На внешней поверхностифильтра 3 грубой очистки выполнена винтовая канавка 9, в которой размещен нагревательный элемент 5 с возможностью смывания потоком диэлектрической жидкости с обеихсторон. Выходной патрубок 7 установлен на днище 2 между корпусом и фильтром 4 тонкой очистки.Фильтр-нагреватель работает следую- щим образомДиэлектрическая жидкость под напором через входной патрубок 6 поступает вфильтр 3 грубой очистки (тонкость фильтрации 40 - 80 мкм), который, кроме своего ос. новного назначения - задержанияотносительно крупных частиц, выполняет роль распределителя потока жидкости. Благодаря этому диэлектрическая жидкость...

Номер патента: 1612246

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Ашурлы, Горностаева, Конюшкина, Чураева

МПК: G01N 21/55

Метки: влагосодержания, диэлектрических, покрытий, тонкослойных

...диаметр и степень коллимации светового пучка и толщина пленки должны быть такими, чтобы многократно отраженные и прошедшие волны могли интерферировать.Содержание воды с помощью предла гаемого способа может определяться в диапазоне от 3-5 до 30 об.7, что соответствует реальному влагосодержанию диэлектрических покрытий.Наличие воды в исследованных покрытиях качественно установлено с по мощью способа лазерной десорбции, Измерение параметров о и Д прово) 1 дится на стандартном эллипсометре ЛЭф"ЗМ. Расчет содержания воды проводится на ЭВМ ЕСпо специальной программе.Исследованные покрытия нанесены методом электронно-лучевого испарения на подложки из кварца или стекла К(для кварца Ю = 1,46, для стекла КИ я = 1; 52) . И,соя 4 о - Исов(0( И...

Номер патента: 1619008

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Беликов, Тимаков

МПК: G01B 7/10

Метки: вихретоковый, диэлектрических, основе, покрытий, толщины, электропроводящей

...ибуждающей обмоток и конструктивнызор Ьо ВТП выбирают, например, из услобеспечения необходимой локальносттроля. Затем ВТП устанавливают налие 2 с минимальными значенитолщины т диэлектрического покрытияпример 1 = О), удельной электрическойВодимости Омил и магнитной проницаемости,иг (например,р = 1) основы изделия. После этого по известным конструктивным параметрам В, п 1, пг и по(В = Л 1 В г; п 1, 1 г - расстояния от измерительной и возбуждающей обмоток до основы изделия 2; М -конструктивный зазор) определяют минимальное расстояние Наин = (Ь 1 + Йг)/В до поверхности электропроводящей основы изделия, затем из отношения1 ПКНд,н 29 определяют частоту в тока возбуждения ВТП и задают найденное значение частоты с помощью генератора...

Номер патента: 1624359

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Глазырин, Подгорный, Шахматов

МПК: G01R 27/26

Метки: веществ, диэлектрических, характеристик

...емкостью измерительного конделсатора. Блок 9 управления периодически подключает измерительный конденсатор к преобраэова;алю 13 емкосгь-частота, выход которого связан с информационным входом блока управления.Информация об измеряемых потерях в заполняющем емкостной датчик исследуемом веществе в виде коэффициента А передачи измерительного преобразователя, образованно;о двухполюсником связи и измерительным контуром, преобразуется блоком 10 измерения потерь в часто гу и поступает в блок управления для обработки.Диэлектрическая проницаемость ис".ледуемого вещества вычисляется по отношению измеренных емкостей датчлка до заполнения Со и после Сх. Проводимость 9 к, эквивалентная потерям, в исследуемом веществе определяется по...

Номер патента: 1626293

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Безбородов, Массалитин

МПК: H01Q 13/10

Метки: антенна, диэлектрических, резонаторах

...комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к радиотехнике, а именно к антеннам СВЧ, и может быть использовано в составе систем связи.Цель изобретения - обеспечение одновременной работы на частотах передачи и приема.На чертеже представлена структурная схема антенны на диэлектрических резонаторах.Антенна на диэлектрических резонаторах содержит отрезок прямоугольного волновода 1, в первом конце 2 которого расположен первый режекторный диэлектрический резонатор (ДР) 3, во втором его конце 4 расположен второй режекторный ДР 5, Посредине широкой стенки отрезка прямоугольного волновода 1 выполнены первые 6 и вторые 7 продольные щели,В первых 6 и вторых 7 продольных щелях установлены ДР 8, оси...

Номер патента: 1627926

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Грицай, Кузнецов

МПК: G01N 15/08

Метки: диэлектрических, основании, пленок, площади, пористости, проводящем, распределения

...электролиза, когда замкнконтакты 8 и 9,и после, когдаты контакты 8 и 10. Источник 7ния создает необходимое напряждля проведения электролиза. Ионошению этих емкостей судят оделении пористости по площадиролируемой пленкиПри проведении электролиза происходит выделение газа из пор контролируемой диэлектрической пленки, который вытесняет электролит, находящийся между контролируемой и беспористой диэлектрическими пленками, врезультате чего уменьшается площадьпленки электролита между ними, а следовательио,и емкости конденсаторов,образованных металлическими электродами, покрытыми беспористой диэлектрической пленкой и слоем электролитамежду контролируемой и беспористойдиэлектрическими пленками, Таким образом, существует прямая связь...

Номер патента: 1627931

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Баязитов, Холопов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезию, диэлектрических, испытания, пленок, подложках, токопроводящих

...обеспечивает усилие его отрыва в случае,когда сила прижатия превышает адгезию пленки 6 с подложкой 51 ил,", с 11)1 1 чЮТ р т(Г р и сРК У . ) 31ОН О Г Г Ь3 ) Менение наметитепя емкости в);Ч С Гпс- КОПтР с НО).О УС РОЙСТВа За ОГТ)Ы 13)М 1 ЕНК)1 т) 1 1)т)ц)г) И 10 ЭОТ" т по ТкЛе прибора впзуа,3) си ровать г омент отрыва пленки и сразу же проводить отбраковку негодных поп в и, наабо х д= галях, без присе:е (я гестовых образцов и приводит 10 К с КОРЕИЮ Л.,:ССО)Р(ДЕЛЕНИЯ, )(с О Нс ЛЬЛОжЕН 15 На ГР ." КИ ЕМКОСТЬэ)оденсатора "Зонд пленк" оста( тгяпо.тоянпой, ро прои ходит в случае,когда Р(1,. -. Рзс (Р,адгезия эек", к; с)5,н )т1 и)З, Р зГ : ондС П;)Л;К.П 1 И Нт р; Г.КИ ОГрмяартСяеФГ)ркСю) ис с) с,т13 Е Г ГОЧЦ ,ь к(нтроля,покры ия равныйсПрои...

Номер патента: 1631383

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Батяев, Каджая

МПК: G01N 24/10

Метки: воды, гидрофобных, диэлектрических, жидкостях, содержания

...ГКНТ СССР ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Авторское свидетельствоФ 834474 р кл. С 01 И 24/08,Авторское свидетельство СР 767630, кл. С 01 И 24/00,Изобретение относится к веществ методом электронно магнитного резонанса (ЭПР) использоваться для определ количеств воды в бензинах, ных органических растворит лах. Определение содержани таких системах важно, поск сти определения содерПорцию исследуемой жимешивают с навеской спорошка безводной сеПри этом необходимоска порошка быпа дост шком сернокислои меди.1 б 31383 Составитель Т.ТоропкинаРедактор И.Касарда Техред М.дидык Корректор С.Иекмар Заказ 539 Тираж 377 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5...

Номер патента: 1631391

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Осипова, Паршуков, Рунова, Тараскина

МПК: G01N 27/22

Метки: волокнистых, диэлектрических, свойств

...закрывают корпус крышкой 2. Относительным поворотом 25 держателя 3 и корпуса, например, поворотом корпуса 1 вручную относительно оси 0-0 и неподвижного держателя 3 изменяют положение электродов 4, ориентируя их необходимым образом от носительно направления волокон (нитей), например, располагая их параллельно направлению волокон (нитей). При этом 1 подавляющая часть силовых линийэлектрического поля ориентирована поперек волокон. С помощью из 35 мерительного прибора осуществляют необходимые измерения диэлектричес-ких свойств образца, например его емкость С или тангенс угла диэлектри ческих потерь Сф.После этого изменяют относительное положение держателя 3, корпуса 1 и образца на необходимый угол (например, 90 ) и повторяют измерения. По...

Номер патента: 1631609

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Артамонов, Брагин, Ляшенко, Мерченко, Могила, Пивен, Савенко

МПК: H01B 3/18

Метки: диэлектрических, органическое, паст, связующее, электропроводящих

...ситаллоцемент с размером частиц 0,1 - 20 мкмКорундовый порошок с размером частиц 0,1-20 мкм1631609 Свойства свлз ю его и паст на его основе Со е жанне компонентов мас Состав Поливы" Дибутилнилбути- фталат раль вензиловый спиртКачество печати проводниковых пастИзвесный Ланолин 60-70 100 Удовл. Удовл. вакуум.ное масло 10-25 1 О 5 Прадлагаеный 1 2 э 4 5 6 7 в 9 10 11 12 1 Э 25 20 го 22 21 20 21 20 22 2 О 2 О 22 20 1 О,О 50,0 зо.о 1 О,О В 1,О 5 Э.О 70,0 50,0 зо,о 100 25 вэбэ,оз,о 5.0 7,0 О,О О.о 11,0 з,о 5,0 Т.О 9,0 7,0 110 120 160 150 150 150 150 120 150 150 150 150 150 150 25 15 15 15 20 25 25 го 15 17 1 В 15 15 гу,о 45,0 вз,о 01,О зо.о эв.о 240 260 гбо 260 240 240 240 260 260 240 240240 260 Удоел. Хорошее Отличное Хорошее То же...

Номер патента: 1635064

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Анисимов, Колокольчиков

МПК: G01N 3/42

Метки: диэлектрических, испытания, пленок

...с зобрет ния - по ания под хност но поверхности пленк пленку, определяют с процессе которого изме емкости между индент пленкой и воздушного от перемещения инде сравнения их, определ ния индентора и с ее твердость, диэлектри мость, пористость, пл стные и вязкоупругие с осится к из нно к опр ких пленок ием известн св, М 12706 - повышен од поверхн ого напря мерительделению и являетго спосо, ие точностью инжен ного(Л О о Формула обре Способ испытания диэл пленок по авт. св. Гч. 1270638,щ и й с я тем, что, с целью точности, на поверхность плен контакта с индентором нанося сти с величиной диэлектрическктри ких отли пов ки в т слой ой иния лас идк иц Изобретение отн ной технике, а име свойств диэлектричес ся усовершенствован ба по основному...

Номер патента: 1636248

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Мазо, Мейель, Федорова

МПК: B29C 65/04

Метки: высокочастотной, диэлектрических, сварки

...по поверхности, 1 ил.1636248 низкопотенциальному электродам,соответственно;дср.в.э, асср,н,э - . углы диэлектрических потерь свариваемых материалов, прилегающих к высокопотенциальному и низкопотенциальному электродам, соответственно. Формула изобретения20 оставитель Н.Елисеевахред М.Моргентал Редактор Н.Тупица Те Корре и няк аказ 787 Тираж 387 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Устройство работает следующим образом.На высокопотенциальном электроде 1 размещают деталь 4 из материала с низким тангенсом угла диэлектрических потерь.В полость низкопотенциального электрода...

Номер патента: 1636796

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Трепов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, характеристик

...ИЛ, маскируется сильным сигналом, отраженным от ееначала,Третий режим идентичен работе известного устройства,Конструктивно симметрирующие элементы установлены на концах ИЛ, питающие кабели расположены снаружи измерительной линии, причем дополнительный кабель можно расположить либо на удалении от проводников ИЛ, либо внутри одного из проводников ИЛ, что не нарушает распределения электромагнитного поля, создаваемого линией в исследуемом материале.Работа устройства осуществляется слеЧетырехпроводная линия 5 с двумя симметрирующими элементами 4 и вводами питающих кабелей 8 внедряется в исследуемый материал 9, Сигнал с генератора 1 поступает на разветвитель 2 выхода генератора, который на двух своих, не соединен 4ных между собой выходах...