Игнашев

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Номер патента: 407406

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Александров, Больбасов, Григоришин, Игнашев, Калугин, Кузьмичев, Шохина

МПК: H01J 21/10, H01J 9/02

Метки: прибора, структуры, электровакуумного, электродной

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащий операции полировки алюминиевой заготовки, формирования на ней электродов с выводами и электрохимического анодирования алюминиевой заготовки, отличающийся тем, что, с целью изготовления многоэлектродной структуры, перед операцией полировки на поверхности алюминиевой заготовки выполняют микрорельеф для размещения электродов и контур многоэлектродной структуры, а формирование электродов с выводами выполняют после операции электрохимического анодирования вакуумным напылением.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью упрощениия технологии изготовления электродной структуры, микрорельеф выполняют многопуансонным инструментом, совершающим...

Номер патента: 1115503

Опубликовано: 27.03.1996

Автор: Игнашев

МПК: C25D 11/02, H01J 9/02

Метки: алюминиевых, анодирования, пластин

1. Способ анодирования алюминиевых пластин, включающий электрохимическое окисление алюминиевых пластин в электролите при проведении процесса в импульсном режиме, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, процесс проводят, сообщая пластинам непрерывное движение с выходом из электролита при частоте периодов 20 - 100 в минуту.2. Устройство для анодирования алюминиевых пластин, содержащее ванну с системой циркуляции электролита, катод, пластинодержатель и источник постоянного тока, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, оно снабжено приводом вращения пластинодержателя, выполненным в виде ступицы со спицами, по торцам которых выполнены прорези для крепления пластин, ось ступицы...

Номер патента: 647984

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ преимущественно для вакуумных интегральных схем, включающий селективное электрохимическое оксидирование алюминиевой заготовки, химическое травление неокисленных участков, нагревание в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств деталей за счет уменьшения их пористости, после нагревания в окислительной атмосфере диэлектрические детали обрабатывают жидким тетраэтоксисиланом, нагревают до 750 - 800oС и выдерживают 10 - 15 мин, после чего упомянутые операции повторяют многократно.

Номер патента: 532299

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Жилкина, Игнашев, Шохина

МПК: H01J 9/02

Метки: алюминия, анодной, окиси

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ АНОДНОЙ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ путем придания алюминиевой заготовке требуемой формы, электрохимического окисления заготовки и избирательного вытравливания неокисленного алюминия, отличающийся тем, что, с целью обеспечения прозрачности деталей и их формоустойчивости, после избирательного вытравливания детали из анодной окиси алюминия нагревают в окислительной атмосфере, например на воздухе, до 700 - 900oС между эквидистантными поверхностями.

Номер патента: 1614742

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H05K 3/36

Метки: алюминия, многослойных, печатных, плат, подложках

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ АЛЮМИНИЯ, включающий механическую и химическую обработку подложки, нанесение на обе стороны подложки масок из фоторезиста с рисунком схемы проводников на поверхности и в объеме подложки, двустороннее анодирование подложки, удаление маски с рисунком схемы проводников в объеме подложки, повторное двустороннее анодирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества плат за счет уменьшения рельефа поверхности подложек, первое двустороннее анодирование проводят на глубину "а", равную 0,25 толщины проводников в объеме подложки, после чего удаляют оксидный слой, а повторное анодирование выполняют на глубинуh =

Номер патента: 434861

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Александров, Больбасов, Григоришин, Игнашев, Калугин, Кузьмичев

МПК: H01J 1/88, H01J 21/10

Метки: прибор, электровакуумный

ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЙ ПРИБОР, содержащий две соединенные между собой диэлектрические подложки, на которые нанесены пленочные электроды, образующие на одной из подложек анодно-сеточные, а на другой катодно-подогревательные блоки, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий коммутации электровакуумного прибора, выводы катодов расположены на подложке с анодно-сеточными блоками, а подложка катодно-подогревательного блока короче подложки с анодно-сеточными блоками и выполнена из прозрачной пленки, например, окиси алюминия, толщина которой не превышает ширины пленочного подогревателя.

Номер патента: 430763

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Больбасов, Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/14, H05K 3/00

Метки: диэлектрических, отверстиями

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ С ОТВЕРСТИЯМИ, преимущественно для электронных приборов, включающий электрохимическое анодирование полированной стороны заготовки, выполненной в виде пластины, например алюминиевой, с предварительной защитой противоположной стороны пластины изоляционным материалом, формирование отверстий и контуров деталей, снятие защитного изоляционного материала, травление слоя алюминия и разделение заготовки на отдельные детали механическим путем, например ультразвуком, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества деталей, анодирование производят на глубину порядка 1 мкм, после чего на места будущих отверстий и контуров анодированной поверхности алюминиевой пластины наносят...

Номер патента: 470226

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Григоришин, Игнашев, Котова, Кравец, Шохина

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, микроприборов, структуры, электродной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ВАКУУМНЫХ МИКРОПРИБОРОВ, включающий операции электрохимического анодирования, защиты отдельных участков подложки, ее травления и формирования на ней электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности геометрии структур, алюминиевую подложку подвергают "мягкому" первичному анодированию, линии контуров и места углублений многоэлектродной структуры защищают фоторезистом, проводят дальнейшее анодирование алюминия на требуемую глубину, затем снимают фоторезист, стравливают первичный слой "мягкого" анодирования, вытравливают на необходимую глубину алюминий в местах будущих углублений и контуров и проводят окончательное анодирование.

Номер патента: 529687

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая две диэлектрические подложки, на которых выполнены анодно-сеточные и катодноподогревательные узлы активных элементов и пассивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью расширения топологических возможностей построения вакуумных интегральных схем и повышения степени их интеграции, по крайней мере, на одной из подложек внутри углублений имеются консольные навесы, на которых, в местах расположения активных элементов, выполнены пленочные щелевые сетки, а аноды активных элементов и пассивные элементы размещены в одной плоскости на дне углублений.

Номер патента: 1183337

Опубликовано: 07.10.1985

Авторы: Игнашев, Кривоусова

МПК: B23K 35/24, C04B 41/51

Метки: алюминия, анодной, металлизации, окиси, паста

...до 200-300 С, чему способствует и присутствие металлическоймеди, восстанавливаемой в процессенагрева нз окиси меди,Предлагаемое соотношение компонентов пасты обеспечивает полноеее смачивание при нагреве в средеводорода припоями с температуройплавления 230-550 С и получениевакуумцо-плотных соединений.Трехокись молибдена сама не смачивается расплавленным припоем, неспособствует быстрому протеканиюреакции в процессе металлизации,Присутствующие в пасте окислы Сци Бх начинают восстанавливаться ужепри 200-300 С и обеспечивают хоро. шее смачнвание металлиэации оловоми припоями, содержащими в своемсоставе серебро, медь и олово,Введение в состав пасты окисловмарганца способствует увеличениюэФФективности сцепления покрьпияс подложкой из...

Номер патента: 795617

Опубликовано: 15.01.1981

Автор: Игнашев

МПК: B21D 1/00

Метки: листовых, правки

...скольжение обрабатываемого изделия по поверхности оправки, неизбежно вознйкаюшего из-за разных коэффициентов теплового расширения оправки и иэделия, т.е. выполняет роль сухой смазки. Все это обеспечивает сохранение чистоты поверхности обрабатываемых иэделий. Предлагаемым способом правки можно править иэделия, укладывая их в пакет в следующем порядке: на поверхность оправки укладывают пленку фторопласта, затем обрабатываемое изделие, . опять пленку фторопласта, на них стальную пластину, пленку фтороплас та, обрабатываемое изделие, пленку фторопласта, стальную пластину и т.д, а3 79561 сверху - вторую часть оправки. Собранную оправку-сэндвич подвергают нагреву до температуры, обеспечивающей выравнивание изделий.П р и м е р . Из листа...

Номер патента: 668929

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Игнашев, Кривоусова

МПК: C04B 41/14

Метки: керамики, металлизации, паста

...О 12 май надевагот на ии:елевы 11 вводрасполагвви в месте спал.Л,пя Наш,Б могут быть использованы и доу 3 ие иизкотемпературиьте прииои;,1" пример сле. дующих составов, %;.17 0Я 8 Р 534 548 СьА 9 - 42 5 Сц - 100 Зп 47 5 (1 пл = 225-460 С)Ад - 4 О,О Со - 35,О Вп - 25 (Т 1 пт 561 - 579 С) 4 Б51 О С" 15 О В 3482 508 о.,длпав 1 сУ со сбОР 1 сои помег 1131 ст В НОДОРОДНУ 1:колпаковуго печь ца моли 1,;де:клзый иягрсг;атель.,ЯИ 1:У ССУЩ.СТ 1.;ЛЛ 1 СТ В ЕсьССТЯ 11 ОЯ 11 ТЕ 1 Ь 11 О 1 Я ЯТ 1 О.сфере К, при 500 С.В ЛРОИЕССЕ 11 СПЬ 1 ТЯИЮ Нд ОТРЬ 1 С,;ьс 1 ЯЛ 1 ИЗЯ 11 И"ОНИЫй СЛОИ ЕЕ 11 ЯП 1 П 1 ЛЕТЛ, ОТОЫВ ПООИСХОДИТпо керамкке, ТЯ 1 сим Образом, прочность соедн.НЕННИ МЕТ 1 ЛКЗИРОВЯН,ОГО СЛОИ " ГСЕРЯМ 1 КОИ ВЫ цге прочности кера 11 ики.11...

Номер патента: 343733

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Борисевич, Вареное, Всесоюз, Ежов, Игнашев

МПК: B21C 47/06

Метки: катушка, лентбивлиотна, металлических, намотки, рулон

...наружного диаметра рабочсго .ольца, причем фиксирующий элементвыполнен в виде расположенного в отверстиипальца, который имеет опорный и зажимнойучастки и диаметр которого несколько больше, чем диаметр отверстия корпуса. На корпусе 1 катушки установлено кольцо 2 с шириной венца, соответствующей ширине металлической ленты с некоторым запасом. Кольцо закреплено специальной шайбой 3 помощью винтств 4 и установочных штифтов 5. В сооранной катуш 1 ке произведена ступенчатая расточка отверстия с таким расчетом, чтобы ось отверстия касалась наружного диаметра кольца 2. В отверстие вставлен чалец 6, изготовленный пз фторопласта и имеющий посадочную и зажимную части. Зажимная часть пальца состоит из цилиндрического и конического участков,...

Номер патента: 313593

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Игнашев, Коновалов

МПК: B21F 21/00

Метки: ленты

...621,778,6(088.8) Авторыизобретения Е. Г, Коновалов и Е. П. Игнашев Лаборатория электроники АН Белорусской ССРЗаявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕНТЫ Известен способ получения лент приложением к заготовке из проволоки усилия плющения перпендикулярно к ее оси.Предложенный способ отличается от известного тем, что усилие плющения создают за счет энергии ультразвуковых колебаний, что позволяет снизить трудоемкость изготовления ленты и повысить ее качество.Круглую проволоку пропускают между двумя плашками, одна из которых неподвижна, а другая получает колебания ультрозвуковой частоты. Плющение осуществляется только за счет энергии ультразвуковых колебаний. Толщина плющенки получается в зависимости от характеристик ультразвуковых колебаний,...