C23C 14/42 — триодное распыление
247001
Номер патента: 247001
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Йото
МПК: C23C 14/32, C23C 14/42
Метки: 247001
...поле в ся симметричным, в среднем 10 поле анода не влияет на си не нарушает равномерноки. 5 Уст ан ния, со ку, мп ионизац что, с 0 щины о струкцг в виде то,дов, распыле- подложриала ияся тем, ости толения коныполнена -термокаовка для понно-плазменного держащая вакуумную камеру шень из распыляемого мат ионную систему, отличающ целью обеспечения равномерн саждаемой пленки и упрощ и, ионизационная сисгема двух одинаковых электродо Изобретение относится к области нанесения вакуумных покрытий,Известна установка для ионно-плазменного распыления, содержащая вакуумную камеру, подложку, мишень из распыляемого материала и ионизационную систему,Предложенная установка отличается тем, что ионизационная система выполнена в виде двух...
Устройство для нанесения диэлектрических покрытий катодным распылением в вакууме
Номер патента: 1322701
Опубликовано: 10.10.1995
МПК: C23C 14/42
Метки: вакууме, диэлектрических, катодным, нанесения, покрытий, распылением
1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ В ВАКУУМЕ, содержащее катод-мишень, подложкодержатель и кольцевой анод, расположенный между катодом-мишенью и подложкодержателем соосно геометрической оси катод-мишень подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и повышения его экономичности, на кольцевом аноде, равномерно по его периметру, выполнено не менее трех выступов игольчатой формы.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что длина выступов не менее 4 мм.
Источник магнетронного распыления ферромагнитных материалов
Номер патента: 1036075
Опубликовано: 27.07.2010
Авторы: Аксенов, Горяев, Симонов, Юрков
МПК: C23C 14/42
Метки: источник, магнетронного, распыления, ферромагнитных
1. Источник магнетронного распыления ферромагнитных материалов, содержащий катод, магнитную систему с полюсными наконечниками и мишень, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, в мишени выполнена канавка, расположенная между полюсными наконечниками магнитной системы.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что канавка расположена на поверхности мишени, прилегающей к магнитной системе.