Дубровенская

Способ получения диэлектрических подложек

Номер патента: 524440

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: диэлектрических, подложек

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК из алюминиевых пластин для вакуумных интегральных схем, включающий операции нанесения защитной пленки, электрохимического анодирования пластины, локального травления алюминия в местах углублений, отличающийся тем, что, с целью получения консольных навесов в углублениях подложки и обеспечения возможности регулирования местоположения консолей по высоте внутри углублений, пластину вначале анодируют в местах консольных навесов, затем покрывают эти места защитной пленкой и анодируют остальную часть пластины до тех пор, пока не будет достигнуто требуемое возвышение уровня поверхности окиси алюминия над уровнем навесов.

Паяный узел высокотемпературных вакуумных интегральных схем

Номер патента: 1478885

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Говядинов, Григоришин, Дубровенская, Полевская

МПК: H01J 5/00

Метки: вакуумных, высокотемпературных, интегральных, паяный, схем, узел

ПАЯНЫЙ УЗЕЛ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ВАКУУМНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащий диэлектрические подложки, расположенные параллельно одна другой с соосными отверстиями, тонкопленочные контактные площадки, выполненные вокруг отверстий с обеих сторон каждой подложки, ограничивающие покрытия, выполненные на контактных площадках, и металлический штыревой вывод, запаянный в отверстия подложек, отличающийся тем, что с целью повышения надежности, ограничивающее покрытие выполнено толщиной не менее 0,3 мкм из металлов элементов 5,6 периодов V, VI и VII групп с незаполненной d-оболочкой, на которые нанесено дополнительное покрытие из материала, образующего с материалом припоя твердый раствор, причем площадь дополнительного покрытия выбрана меньшей площади...

Вакуумная интегральная схема

Номер патента: 529687

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская, Игнашев, Котова, Кравец, Сурмач

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая две диэлектрические подложки, на которых выполнены анодно-сеточные и катодноподогревательные узлы активных элементов и пассивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью расширения топологических возможностей построения вакуумных интегральных схем и повышения степени их интеграции, по крайней мере, на одной из подложек внутри углублений имеются консольные навесы, на которых, в местах расположения активных элементов, выполнены пленочные щелевые сетки, а аноды активных элементов и пассивные элементы размещены в одной плоскости на дне углублений.

Вакуумная интегральная схема

Номер патента: 638169

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Дубровенская

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумная, интегральная, схема

1. ВАКУУМНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА по авт. св. N 529687, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, на подложке с катодно-подогревательными элементами, напротив консольных навесов по краям сквозных щелей, выполнены дополнительные пленочные щелевые сетки.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что на подложке с анодносеточными элементами под анодами выполнены дополнительные пленочные сетки.