Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 1435299

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Кальковец, Мозговой

МПК: B03C 5/00

Метки: диэлектрических, жидкостей, очиститель, электрический

...9 загрязнений. Собранный пакет садительных электродов 3 с закрепленми диэлектрическими перегородками с двух сторон ограничен пластинамиЭти ограничительные плас-ины 2,выполненные из диэлектрического материала, центрируют пакет осадительных ,электродов в корпусе 1. Осаднтельные электроды 3 подключены к источнику ,высокого напряжения. Чередование знака потенциала на осадительных электродах достигается при сборке.Электроочиститель работает следующим образом.При подключении пакета электродов 3 к источнику высокого напряжения между соседними электродами возника ет разность потенциалов.Ячейки-накопители 9 загрязнений создают неоднородность электрического поля в образованных прорезями 7 проточных каналах, обеспечивая под-. зарядку...

Номер патента: 1439478

Опубликовано: 23.11.1988

Автор: Братанов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, твердых, характеристик

...совокупных измерениях адаптируют средство измерения, подби" рая число витков секций вторичной обмотки измерительного трансформато,ра, исходя из условияГ2,сис и,сиси где= 1, 2,1 сс. - емкость х-й пары электродныхполосок симметрично расположенных относительно оси, ортогональной плоскости объекта измерения;и, - коэффициент трансформации впервичную обмотку обмоток секций между -й парой электродов.На фиг. 1 изображена схема емкостного преобразователя, реализующего предлагаемый способ; .на фиг.2 - функ.- ция распределения заряда.1 мкостный накладной преобразователь содержит четное число плоских параллельных электродных полосок 1, каждая из которых подсоединена к вторичной обмотке измерительного трансформатора 2. Первичная обмотка...

Номер патента: 1452463

Опубликовано: 15.01.1989

Автор: Рональд

МПК: B05D 1/04

Метки: диэлектрических, жидкостей, распыления, электростатическое

...1 и б становятся электрическизаряженными. Жидкость, подвергаемаяраспылению, проходит через распылитель 2 и выводится через отверстия5 в полость 7 и далее выводится изэтой полости в распыленном и электростатически заряженном состоянии.На фиг. 2-4 изображена головкараспыпительного устройства, представляющая собой прямоугольный элемент10, изготовленный из изоляционного55материала (пластмассы) и имеющий прямоугольную камеру 1. Вдоль нижнейповерхности элемент 10 имеет выступающую заостренную часть 12, внутрикоторой проходит щель 13, соединяющаяся с указанной камерой 11. В верхней части элемента 10 на его верхнейповерхности, имеется отверстие 14,предназначенное для приема жидкости,подвергаемой распылению (средстваподачи жидкости на чертеже не...

Номер патента: 1454507

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Лавров, Скачков, Тимонов

МПК: B03C 5/02

Метки: диэлектрических, жидкостей, электродинамический

...питания к электродам подводится через специальные токоподводы 26 и 27 в корпусе 13 и каркасах 16 и 17, Приготовленную эмульсию вода - топливо ТСс обводненностью 1.об.7. и размером капелек 0,5 - 35 мкм.насосом 2 перекачивают в емкость 3, где эмульсия термостатируется при21 С. Далее эмульсия самотеком поступает в устройство 12 (постоянный уровень жидкости в емкости 3 поддерживается регулятором 4 уровня). Расход жидкости для всех опытов постоянен и составляет 25 л/ч. Общий объем очищаемой эмульсии - 3 л. Испытания проводят в устройстве 12 (фиг.2) с гранулами ТПМ - титановыми сферами, размером 2 К " 0,6 - 1,2 мм. Объемная концентрация д в межэлектродном пространстве варьируется от 0 до 47., угол между электродами о устанавливают равным 2 ....

Номер патента: 1455231

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Беженарь, Косилов, Сидорин, Слухаевский, Чурсин

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, толщины

...в агаемого сп переменног особа содержито тока, выходитота) которогоГенератор 1к большим элек ние или ча иров ать Способ осуществляют сл щим об пар алл ельно 2 и 3 измери разом,Между тельног измеряе пенсиру лектропенсируюельного и к ров, Меньши го конденсат4 и 5 измерит ельного и ко щего к К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 21) 4053006724-28(56) Авторское свидетельство СССРВ 904420, кл. С 01 В 7/12, 1980. Изобретение относится ктельной технике и может бытзовано в машиностроительнойлургической, химической и эной промьппленности.Цель изобретения - повьппности измерения за счет поллинейной зависимости измеряка от толщины изделий,На чертеже изображено усдля осуществления предлагаес саторов соединены с вх измерительного и компен электродами 2...

Номер патента: 1456392

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Размустов, Удалова

МПК: C04B 41/88

Метки: диэлектрических, малогабаритных, металлизации, поверхностей, торцовых

...пинцетана расстоянии не менее 0,5 мм другот. друга помещают керамические втулкир 3 х ф 1,3 х 0,6 мм из массы Т.Далее сушат при комнатной температуре 20-25 С в течение 1-3 ч в зависимоэ 145639 сти от толщины нанесенного слоя. Обра" зовавшаяся пленка полистирола защищает цилиндрические поверхности втулок от подпыления при металлизации. Далее подложку с экранированными втулками подвергают химической очистке в парах иэопропилового спирта и помещают в вакуумную установку. Методом магнетронного распыления наносят слои МоСц (0,1+1) мкм или И-Сп (0,1+1) мкм, или Т-Сп (0,1+1) мкм. Затем осуществляют гальваническое наращивание эа щитного слоя Яп-В 1 или Ац на экранированные пленкой полистирола детали. По 15 : окончании металлиэации подложки с...

Номер патента: 1456859

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Дыков, Кипнис, Скрипник, Фролов, Черноморченко

МПК: G01N 27/22

Метки: веществ, диэлектрических, потерь

...потерь соответственно контролируемого материала 4 и диэлектрического основания 1;модуль коэффициента усиления регулируемого усилителя высокой часд и д",Постоянные составляющие выходногонапряжения множительной схемы 8,выделяемые фильтром 11 низкой частоты, для двух положений среднего контакта переключателя соответственноравны:Бг-К 02 ц -КК к,к Б соз(м+,+ы).(4)К 40 Пф К 1 К 2 К К 41 оз 1 п( Чл М) эгде К - коэффициент преобразованиямножительной схемы 8,При непрерывной работе переключа-теля 9., который управляется низкочастотным мультивибратором 15, на входефильтра 11 низкой частоты появляетсянизкочастотная составляющая напряжец,.-К ,Пз 1 п(С+ + ч 2+ "+594где К = - = - -, - модуль коэфйициен 1,Д + 2 12 02та передачи фазосдвигающей цепи;...

Номер патента: 1458837

Опубликовано: 15.02.1989

Автор: Степанов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, нитей, параметров

...наб., д, 4/5%Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам автоматического контроля качества нитеобразного материала, и может быть 5 использовано в текстильной и химической промышленностях для автоматического бесконтактного контроля и измерения коррелированных с аниэотропной1 диэлектрической проницаемостью пара-. 1 О метров движущихся нитей бесконечной длины.Цель изобретения - расширениефункциональных воэможностей путемобеспечения преобразования диэлектри ческих параметров одновременно в осевом и радиальном направлениях и ускорение процесса преобразования.На чертеже представлена конструкция преобразователя. 20Преобразователь...

Номер патента: 1460688

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Подгорный, Шаров, Шахматов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектриков, диэлектрических, исследования, твердых, ячейка

...повреждений.расстояние от центра нижнего осцовацгя до геометрического центра проточки равно расстоянию от 35 центра ма шпуляторя до центра отверстия для держателей образцов, Ие 1 подззнжцьп потенциальный электрод 4 расположен цнже плоскости нижнего основания 1 ца толщину образцов, что. 40 обеспечитзает приззегацие к нему образцозз во время нх измерения.ежэлектроззцое расстояние измеряется стяцдззтцой иццнкяОзной 1"0 ловкой 17, закрепленной ца кронштей це 18,Изме 1 зецие диэтзектрической проницаемости образцов пленочных материалов производится следующим образом.Образцы закрепляются в держателях 50 10, причем в образцах вырезают отверстия дияь;етром, большим диаметра электродов ца 5 мм, с центром в середнце большой полуоси внутреннего...

Номер патента: 1465864

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Галактионов, Иванова, Сырников

МПК: G03B 41/00

Метки: диэлектрических, материалах, неоднородностей, плоских, поверхностью, регистрации, шероховатой

...и стеклом вставляют отфиксированный фотоматериал того же типа, который применяют для фотографирования разряда. Образец вплотную поджимают к верхнему электроду, обтянутому нейлоновой сеткой. Толщина воздушного промежутка равняется 0,15 мм (толщина сетки), и разряд развивается в ячейках сетки. При небольшом анодном напряжении на усилителе мощности (л 20 В), изменяя частоту задающего генератора, определяют резонансную частоту контура по максимуму напряжения на конденсаторе (95 кГц). Путем увеличения напряжения питания и выходно.- го напряжения задающего генератора Б разжигают разряд (Б =3,6 кВ). При этом разряд вспыхивает отдельными пятнами, которые хаотически перемещаются по площади электрода и меняют яркость. Далее напряжение на...

Номер патента: 1469398

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Кириченко, Смирнова, Харьковский, Черпак

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, кристаллах, одноосных, оптической, ориентации, оси

...волновода или металлического волновода с продольной щелью), источ ника 2 СВЧ, соединенного с волноводом 1 через блок 3 развязки, выход волновода 1 соединен через последовательно включенные волновод 4 и детектор 5 с индикатором б, Цилиндри ческий образец 7, вырезанный из исследуемого одноосного диэлектрического кристалла, установлен около волновода 1 с возможностью вращения вокруг своей геометрической оси 8 и оси 9, перпендикулярной оси 8 и продольной оси волновода 1, причем расстояние между боковой поверхностью цилиндрического образца 7 и волновода 1 меньше длины волны в свободном пространстве.Устройство для определения ориентации оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах основано на том, что резонаторы в виде...

Номер патента: 1474531

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Исаков, Легуша, Пасынков, Пугачев, Финагин

МПК: G01N 25/72

Метки: диэлектрических, неразрущающего

...(сплошная кривая - образец имеет однородную структуру материала,пунктирная кривая - образец, материал которого имеет неоднородность структуры); на фиг. 4 - то же, на пятой (и = 5) моде собственных колебаний; на фиг. 5 - то же, на третьей моде собственных колебаний при наличии в изделии дефекта типа разрыва сплошности среды.Устройство для осуществления предлагаемого способа содержит контролируемое изделие 1, закрепленное дер31 5 14745 жателем (не показан), средство наблюдения и регистрации температурного распределения на поверхности 2 изделия 1, например тепловизор или уст 5 ройство с термочувствительнойжидкокристаллической пленкой (не показано), внешний источник - возбудитель в контролируемом изделии 1 акустических колебаний,...

Номер патента: 1493318

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Гаража, Казанец, Кривченко, Трянов, Чирков, Ярцева

МПК: B03C 5/00

Метки: диэлектрических, жидкостей

...покрыты свободные края наклонных полок 8, практически исключает электрический пробой между электродами в процессе работы усгройства, а локальное расположение мдтриала 9 только по свободным краям полок 8 и снижает напряженность поля и не деформирует в целом картину его рдспрдлция в межэлектродном пространстве очил ительного пакета 12. В случае же электричес О кого пробоя между электролами изоляция очистительного пакета 12 и шиц 16 и 17 от корпусд 1 установлением пакета 12 цд диэлектрической плите 13 и расположенис м шин 16 и 17 нз диэлектрических Втугках 45 19 предохраняет корпус 1 от цдпряжения пробоя, а ток пробоя идет через высоковольтный источник питания 18, имеющий, как правило, защиту по скачкообразному росту тока. Выполнение...

Номер патента: 1506386

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Ванин, Даценко, Назаров, Носулько, Соколов

МПК: G01R 27/26

Метки: аппаратов, высоковольтных, диэлектрика, диэлектрических, жидкого, маслонаполненных, свойств

...уступов. В процессеческой втулке 5 установлен через специальный вентиль 12 манометр 13, ддпя измерения тяп( енса угпд диэпгктрпческпх потерь иг.пользуется измерительный прибор 1(.Тангенс угла диэлектричс ких , отерс жидкого диэ.(с ктрикя определяют следующим образом.Г 1 ля того, чтобь( исключит( ( ,пягп(е бумажной изоляционной по;,моткиизоляционного огтонд 2измерениях, измерения необходимо проводить ри двух темпгрдтурях 1, и ь масла во вводах. С этой цепью перед пачяпом измерений овь(сдется тепердгура верхних слоев мдг.пд силовоготрансформатора до допустимого грс депа увеличением его ндгруз и ипи отк;гючение;( на необходимое время дутьевых гэес(тиляторов д (я пог(ышенпя темпердгуры масла во вводе, которая о(,редс -,ченном режимдх...

Номер патента: 1506387

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Конев, Любецкий, Тиханович

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, металлов, покрытий, толщины

...величина прадетдгстираванного сигнала и в соответствии с сигналамц экстрематора 7 и блока 11 управления частотой, поступающими соответственно ца первый и второй входы блока 8 выборки и хранения напряжения, последняя выделяет и запоминает напряжения, соответствующие значению сигнала на фиксироцацно 11 ЧаСтОтЕ Г, И ЕГО МЦЦИМаггЬЦОМУ ЗнаЧЕ, (нцю за время изменения частоты. Указаццые сигналы поступают на входы делителя 9 напряжений, где осуществляется их деление.Результирующий сигнал индицируется индикатором 10. Этот сигнал пропорционален отцошениго напряжений, соотсветс.твующих эллиптичцости отраженной СВЧ-волны (с:д) и Отношению амплитуд Р- и Б-компонент падающей СБЧ-волны (д(1 гр). Справедливость этого утцерждейиг....

Номер патента: 1509817

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Железняк, Сатаров, Соколов

МПК: G03D 15/02

Метки: диэлектрических, камера, лент, свч, сушки

...равна нулю. Зто оптимальноепромежуточное положение подбираетсяпутем перемещения роликов 10 в вертикальном направлении посредством механизмов 16 перемещения. Затем, обог-нув направляющий ролик 11, диэлектрическая лента 9 движется в противопо-ложном направлении в максимуме энергии электрического поля, т,е, в плоскости, проходящей через середины боковых стенок 5 волновода 1, и выводится из него через выходную щель 8,расположенную на скосе 4 верхнейстенки 2 волновода 1,При своем. движении в волноводе 1диэлектрическая лента 9 нагреваетсяза счет поглощения энергии ЭМГ поляСВЧ, причем поглощает ЭМГ энергиюпрактически только вода, содержащаяся в диэлектрической ленте, например в кинопленке, так что по мереее испарения удельная величина...

Номер патента: 1513001

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Астапович, Баровская, Гуринович, Масалов, Некарюкин, Притыцкая, Сосновский

МПК: C09D 3/44

Метки: диэлектрических, защитного, кварца, композиция, покрытия, стекла

...Кварц Парафин 3,015 55 Отсутствует То же Композиция 1 703 НР 453 НР153 НРСмесь кислот 20 70 То же иК 8, К 15, БК 10 Кварц 7,016 ОтсутствуетТо же Композиция 2 70 НР 22 454 НР 154 НР+ Смесь кислот То женК 8, К 15,БК 10 те тттт Смесь кислот НАДБО , НР : Н О = 6,3 : 2,3 : 1,4. 3 151300Эффективность композиции оценивают с использованием подложек из кварцевого стекла и стекол марок К 8, К 15, БК 10, Кварцевые подложки с на несенным на них покрытием подвергают травлению в 70, 45 и 153-ном водных растворах Фтористоводородной кислоты, а стеклянные - в смеси 983-ной серной кислоты, 453-ной Фтористоводо родной кислоты и воды в соотношении 6,3:2,3:1,4. Формула и з о б р е т е н и я15Композиция для защитного покрытия диэлектрических материалов из...

Номер патента: 1520418

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Безруков, Воронежцев, Гольдаде, Громыко, Пинчук, Речиц, Снежков

МПК: G01N 25/02

Метки: анализа, диэлектрических, полимерных, термического

...полем с индукциейот 0,05 до 1,00 Т, вектор напряженности которого перпендикуллрен поверхности электродов, и измеряют величину термостимулированного тока,по максимальным значениям которогоопределяют температуры фазовых иструктурных переходов в полимерномматериале, 1 зи. ф-ль., 1 ил. лятор 8 температуры, усилитель 9 малых токов и термопару 10.Способ осуществллют следующим образом.Образец 1 размещают между плоско" параллельными металлицескими электродами 2, магнитное поле создают электромагнитом 3, полюсные наконечникикоторого имеют возможность вертикального перемещенил. Напряженность магнитного полл регулируют посредст-а вом изменения напрлженил питанил электромагнита 5 и измеряют измерителем б магнитной индукции. Нагреватель 7 и...

Номер патента: 1525635

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Дорожок, Шадрухин

МПК: G01R 31/14

Метки: диэлектрических, испытаний, пленок

...в состояние логического нуля, что приводит к запуску задающего генератора 31, срабатыванию коммутатора 10 и, следовательно, подключению входа 21 испытуемого элемента через коммутатор 10 к выходу 20 первого усилителя 3. После запуска регулируемого задающего генератора 31 выходное напряжение начинает нарастать, что приводит к постепенному нарастанию напряжения на выходе 20 первого усилителя и соответственно на входе 21 испытуемого элемента. Регулировка скорости нарастания испытательного напряжения осуществляется блоком 8 регулировки напряжения за счет изменения частоты регулируемого задающего генератора 31. При пробое испытуемого элемента в цепи испытуемый элемент - регистратор 2 - усилитель 4 возникает кратковременный импульс,...

Номер патента: 1527201

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Журкин, Киселев, Сергеев

МПК: C03C 23/00, H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, поверхности, травления

...обго слоя Ь от времени остей СЙТе, где крипо обычной методике,работки деталей, изготовленных из электрических материалов, и может быть использовано вэлектронике, С целью м пучком ио в, в которыи оток электронов, причем в тупенчато до достижени а на каждой ступени с у ними, равной времен Время травления сок2 ил. емя обработки понерхпоследовательно повторя- по обработке поверхности я требуемой величины1527201 Следовательно, предложенный способ позноляет повысить эффектинность обработки,Формула и э о б р е т е н и я Л,яка 0,5,4 0,2 16 й,пин 6 12 6 2 Ф фи Фив. Составитель Г,Буронцеваактор В.Данко Техред П,Сердюкова Ксрректор Т,Мале аказ 7474/31 Тираж 4 НИИПИ Государственного комитета по113035 Москва, ЖПодписное обретениям и...

Номер патента: 1527505

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Астафьев, Кияшев, Криксунова, Лунькин, Плотников, Северинов

МПК: G01F 23/28

Метки: границы, двух, диэлектрических, положения, сосуде, сред

...выход блока 9 управления.К выходам генераторов 3 - 5 подключены соответственно делители 10 - 12 частоты.Выходы делителей частоты подключены к сигнальным входам вычислительного блока 13, сигнальный выход которого подключен к индикатору 14, а его управляюсций выход к входу блока 9 управления, состоящему (фиг. 2) из тактового генератора 15 и регистра 16 сдвига, входы которого соединены с выходом тактового генератора 15 и управляющим выходом вычислительного блока 13, а выходы - с управляющими входами коммутаторов 2 и 8 и вычислительного блока 3.Чувствительный элемент может быть выполнен (фиг. 3) в виде ломаной линии с пятью изломами 17 - 21, причем оба конца 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 его находятся на верхней границе...

Номер патента: 1530909

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Авербах, Иванов, Колпин, Полевой

МПК: G01F 1/24

Метки: диэлектрических, расходомер, сред

...весом, большим удельного веса измеряемой среды,и конденсатор, пластина которого установлена с возможностью осевого перемещения. В отсутствие расхода нижний край пластин конденсатора установлен на уровне жидкости. С увеличе-нием расхода диэлектрический стерженьвытесняет жидкость в зазор пластин проницаемость отличается от проа емос ти с реды пластин конденс ато, катушки 10. индуктивности, гетора 1 1 и измерительной схемы 12 Пластина конденсатора 9 установле с возможностью осевого перемещени камере 7, выполненной прямоуголь о сечения,отает следующим образом.В отсутствие расходный элемент 2 удерживвесии вьггалкивающей сипдействующей на диэлектжень 6, погруженный вцом.конденсатора 9, полозение которых корректируется осевым...

Номер патента: 1532859

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Дыков, Скрипник, Фролов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, объемной, плотности

...У, и 01+ поочередно выделяются фильтром 15 низ кой частоты и воздействуют на усилитель 16 низкой частоты.. В отсутствие контролируемого материала 5 коэффициенты передачи колебательного контура и косинусы фазо вых сдвигов, вносимых контуром, рав,ны 4 В 0 ййа ежа К л ею в41+(лД) б+(1,1 55 .ов (агсй 8(, =соз (агсй 8 Л Я), (15) 1 ак как равны абсолютные значениятносительных расстроек на частотах1 м 1 фр 11 т рЛ,1 =--=Л 1= ---. (16)1 у МЫ Ь 3111 р Вследствие этого равны и постоянные составляющие напряжений 11=П,мПри контакте электродов емкостного датчика 2-3 с материалом 5 в зависимости от значения его объемной плотности происходит расстройка резонансного контура 1 18 ов Гьс 1 цс+ьс)(17) Эти приращения д С приводят к сме, щению...

Номер патента: 1536290

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Громов, Кондратов, Тюркин, Юров

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, жидкости, свойств, ячейка

...свободного падения(9,8 м/с;25дЕ - градиент напряженности электрического поля.Кроме относительной диэлектрической проницаемости по величине перемещения жидкости в неоднородном электрическом поле можно оценить физическую активность жидкостей по отношению к полимерным материалам. Физическая активность жидкости, выраженная через снижение предела вынужденной эластичности политрифторхлорэтилена при растяжении и контакте с жидкой средой по сравнению с растяжением на воздухе, пропорциональна перемещению жидкости в неоднородном электричес 40 ком поле предложенного устройства(см. таблицу).П р .и м е р 1. Ячейка для измерения диэлектрических свойств жидкости включает емкость для исследуемой жид кости размером сечения 60 х 4 мм, склеенную из...

Номер патента: 1536296

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Бульбик, Волков, Лубнин, Мишин, Рыбаков, Соколов

МПК: G01N 27/90

Метки: диэлектрических, покрытий, толщиномер-дефектоскоп, цифровой

...ипульса в число-импульсный код.Устройство работает следующим образомм.После включения и нажатия кнопки "Отсчет" (на чертеже не показана) от55 блока 2 временного разделения каналов поступает сигнал, возбуждающий в объекте кОйтроля (на чертеже не показ ан) п оле с максимальной глубинойэоны контроля, При этом сигнал-отклик в виде импульса переменной длительности поступает на первый входфункционального преобразователя 6длительности импульса в число в импульсный код, на второй вход которого поступают импульсы от блока 2 временного разделения каналов. В функциональном преобразователе 6 длительности импульса в число-импульсный кодосуществляется преобразование толщины покрытий в линейную зависимостьи представляется ее величина в...

Номер патента: 1539483

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Миняйло, Цатурян

МПК: F26B 25/22

Метки: диэлектрических, загрузочным, сушилки, схема, сыпучих, устройством

...6, образующим емкостной делитель напряжения, напряжение на питателе тем меньше, чем больше электрическое сопротивление датчика.По мере прохождений через сушильную Камеру 7 влажность исходного материала уменьшается. Высушенный материал из су ильной камеры поступает в межэлектродое пространство емкостного датчика , емкость которого увеличиваетсй, электри.еское сопротивление датчика уменьшается и озрастает напряжение на электродах , нтателя, что приводит к уменьшению подачи из него исходного материала,При установившемся режиме работы устройства количество подаваемого в суильную камеру материала остается посто. , иным.Если влажность высушенного материала станет больше требуемого значения (вслед. латвие, например, усиления температуры...

Номер патента: 1543301

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Важненко, Рогалева, Тупиков

МПК: G01N 15/02

Метки: анализа, гранулометрического, диэлектрических, тонкоизмельченных

...5 одним из известных спосов (например, нстряской). Далее припомощи прижимного элемента 10 с определенным усилием (зависящим от толщины и модуля упругости эластичнойконтактной поверхности и подбираемымэкспериментально) сжимают контактныеповерхности 2 и 5 (при этом эластичная поверхность деформируется) и измеряют при помощи измерительной схемы 11 электрические сопротивлениямежду соседними участками эластичнойэлектропроводящей поверхности 2.Так как эластичная контактная поверхность 2 выполнена из материала,обладающего тензорезистинным эф 55фектом, то удельное (объемное) электросопротивление деформированных промежутков 1 зависит от степени деформации, которая в свою очередь, опре деляется размером частиц 3, вызывающих...

Номер патента: 1550407

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Кожаринов, Швайко

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектометрии, диэлектрических, плоских

...детектора б электромагнитногоизлучения соединен с измерительнымвходом частотного детектора 7, наопорный вход которого подается сигнал с второго выхода блока 10 перестройки частоты, Входы регистратора9 соединены с выходом частотногодетектора 7 и третьим выходом блока10 перестройки частоты,Устройство работает следующимобразом,Плоский диэлектрический материалпомещают между электродами 3 и 4 сизлучателем 2 и приемником 5 электромагнитного излучения, Частота генерации электромагнитного излучения выбирается таким образом, чтобы длинаволны в материале не превышала удвоенной его толщины, Последнее условиеследует из условий распространенияэлектромагнитного излучения в волноводе, заполненном диэлектриком. ПриЪотсутствии дефекта в объеме...

Номер патента: 1553882

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Морозов, Паринов, Руссов

МПК: G01N 3/38

Метки: диэлектрических, лучевой, порога, прочности

...прочности используют пороговую плотность мощности УР, которую определеот по формулеИр=(псЕф/2) Яо/у) (Е /Е 1 ) (1 + 6 )"1-Ж) /(1-6)1 9где Е - среднеквадратичная (эффективная) напряженность электрического поля, приложенногок образцу в направлении х;6 - квадратичное относительноеудлинение образца под действием поля в направлении х; 3 ООстальные величины известны или определяются известными способами сприменением известных средств:Яр- электрическая постоянная;с - скорость света в вакууме;и - показатель преломления материала (может быть определениз справочной литературы илиизвестным способом с помощьюизвестных средств, напримеР 40с помощью рефрактометра);Т - модудь Юнга;6 - коэффициент Пуассона;6 ф- величина напряжения...

Номер патента: 1559437

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Крылов, Литовченко, Сидоренко

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрических, нагреве, свойств

...8 изго"тавливается из керамики, которая обладает низкой теплопроводностью и ди 50электрической проницаемостью, близкойк единице. Водяное охлаждение фланцев 11 предупреждает даже незначительный нагрев стенок резонатора, Иэ"за высокой скорости потока затеканиянагретого газа за края корпуса 8 не55наблюдается, поэтому прямой контактпотока со стенками резонатора отсутствует. Влияние выступающих частей теплоизолирующего корпуса 8 не сказывается существенно на точности измерений в интервале температур.Протекающая через резонатор струя нагретого газа подается из сети с давлением более 3 атм, что обеспечивает такую скорость свободно истекающей струи, в месте положения отверстий наблюдается втягивание газа из полости резонатора в щель 7. Этот...