Устройство для плазменной обработки диэлектрических материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)5 Н 05 Н ОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕДОМСТВО СССРОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ(54)(57) УСТРОИСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ДИЭЛЕКТРИ РИАЛОВ, содержащее кат узлы, расположенные по подложкодержателя, о т л тем, ч го, с целью увеличени устройства за счет снижен анодный узел установлен и нире с возможностью изме на оси анодного узла подложкодержателя в пред ительный и ирков, С.В, СоДедюхин е низкотемпеии строитель- троительные ССС79,зменнойеской обских ма- лучения енным тодежурнои дугои, питаемо онком (40 А) межэлектроднПосле возбуждения рабочейузел устанавливается оператположениеа =20), затем в зпо подложкодержателю 8 под9 обрабатываемого материаГрафитовый электрод - арасхода автоматически пода4, после полного сгорания элется новым.Нижний предел установкила под углом 20 к подложобусловлен наименанода. При дальненаблюдается срыв пространства. дуги анодный ором в рабочее ону обработки ается образец рс зи раб ано ла,нод 3 - по мере ется приводом ектрод заменяеюаюЪ ае Ъ е изображено предлагаем нодного уз держателю м зрозиении угл ьшеи при 3йшем уменьдуги,ваези Угол установки анодного узл45 к подложкодержателю обусболее благоприятными условияния основного разряда дежурнаименьшем токе разояда 40 А,ет, в свою очередь, эрозию содежурной дуги. Угол 45 обеспеменьшее межэлектродное прост а под угломловлен наи -з1ван ми зажигай дугой при что снижала-анода 2 чивает наи ранство ос ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Рыкалин Н,Н. Примененратурной плазмы в технолоных материалов, - Сматериалы, 1972, Ф 1,Авторское свидетельствойг 733231, кл, Н 05 Н 1/00, 1 Изобретение относится к пла технике и используется для термич работки строительных диэлектриче териалов, например для по защитно-декоративных покрытий. Цель изобретения - увеличение ре оты устройства за счет снижения эрНа чертеж ое устройство,Устройство из катодного узла, включающего катод 1 и сопло-анод 2 дежурной дуги, анодного узла, содержащего анод 3, привод 4 анода, токоподвод 5, установленные на основании 6. закрепленном на шарнире 7, и п одлож коде ржателя 8 с об рабаты ваем ым образцом 9 материала.Устройство работает следующим обраом, Постоянный ток величиной, например, 00-400 А, подается на электроды 1 и 3. Для озбуждения рабочей дуги угол наклонаодного узла О поворотом основания 6 на шарнире 7 устанавливают 45", при этом снижается расстояние между катодом и анодом и соответственно облегчается ионизация ПЛАЗМЕННОЙ ЧЕСКИХ МАТЕ- одный и анодный обе стороны от ича ющееся я ресурса работы ия эрозии анода, одвижно н шарнять угол наклон поверхности елах 20 45",1158021 Составитель Г, ВолокитинРедактор О, Кузнецова Техред М.Моргентал Корректор А. Мотыль Заказ 1970 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственноо комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва. Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагаоина 101 новного разряда, чем обусловлена легкость возбуждения основного разряда.Положительным эффектом, достигаемцм при использовании данного изобретения, является увеличение ресурса работы устройства и уменьшение расхода материала расходуемого электрода-анода5
СмотретьЗаявка
3513034, 19.10.1982
ТОМСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ
ВОЛОКИТИН Г. Г, ЧИБИРКОВ В. К, СОЛОВЬЕВ С. В, АНЬШАКОВ А. С, ДЕДЮХИН Р. О
МПК / Метки
МПК: H05H 1/00
Метки: диэлектрических, плазменной
Опубликовано: 30.04.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1158021-ustrojjstvo-dlya-plazmennojj-obrabotki-diehlektricheskikh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для плазменной обработки диэлектрических материалов</a>