Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 1084667

Опубликовано: 07.04.1984

Автор: Керпель

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковый, диэлектрических, немагнитном, основании, покрытий, толщины

...поясняющие предлагаежй способ.Годографы контролируемого параметра - толщины покрытия Ь (фиг.1 пред-, 60ставляют собой пучок линий, близкихк прямым и исходящих из точки с координатами (О:1). Годографы мешающего параметра - обобщенного параметраблизки к дугам окружностей,Исходящих из той же точки, приэтом р =ЯЬшр.прирс 4 г где Э - диаметр ВТП;6 - электропроводность основания;д - магнитная постоянная;к - выносимое сопротивление;ы - частота колебаний;С - емкость колебательного контура;Ь - индуктивность колебательного контура.Отстройку от измененийэлектропроводности основания (Фиг,2) обеспечивают перемещением рабочей точки по гбдографу обобщенного параметра р, а именно изменением"частоты затухающих колебаний выбирают на годографе Д...

Номер патента: 1087862

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Белый, Горбоконенко, Потапенко, Седов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, параметров

...конденсатора нанесены 45пленки: изоляционная 2, ферромагнитная 3и изоляционная 4 с отверстиями под токосъехн ьп зонды 5 и напыленными проводниками 6. Напряжение переменного тока подводится к входным клеммам 7 и 8, а напыленные проводники подсоединены к выводам9 и 10,Устройство работает следующим образом,Контролируемый материал 11, напримердиэлектрическая пленка, помещается междуобкладками измерительного конденсатора. 55При подаче напряжения к клеммам 7 и 8между обкладками 1, образующими измерительный конденсат, протекает ток, величина которого зависит от емкостного сопротивления, являющегося функцией параметров контролируемого материала: его толщины, диэлектрической проницаемости, влажности. Протекание тока по...

Номер патента: 1097918

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Важненко, Рогалева

МПК: G01N 15/02

Метки: дисперсности, диэлектрических, измельченных, степени

...контролировать степень дисперсности измельченных диэлектрических материалов, однако точность измерения невысока, так3 ,109791как на диэлектрическую проницаемостьсмеси измельченный диэлектрическийматериал - воздух влияет, кроме размера частиц материала, влажность материала, неоднородность его по химическому составу, температура окружающей среды.Цель изобретения - повышение точности измерения.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу контролястепени дисперсности измельченных. диэлектрических материалов, включающему измерение электрической емкости между двумя электродами, межэлектродное пространство которьмзаполнено контролируемым материалом,электрическую емкость измеряют дважды, причем перед вторым измерениеммежду....

Номер патента: 1100580

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Валова, Захаров, Иванов, Покалюхин, Ручкин, Федорина

МПК: G01R 27/26

Метки: автогенераторный, дисперсии, диэлектрических, измеритель, полимерных, свойств

...факторов (к побочным факторам добавляется неидентичность собственных параметров емкостей сдвоенного датчика и доля приращения частоты измерительного автогенератора, вызванная влиянием влажности измеряемого объекта).Аналогично во второй такт измерения несущие частоты выходного сигна- . ла блока 3 определяются выражениями: а при подключении измерительной емко-.сти с измеряемым объектом -м-й:со д"и мФ-со:со -д"-, (Ь).о Рг рг 1 Рг. 2где дг, Уг - приращения среднего значения разйостной частоты ш , зависяргфщие соответственно от побочных факторов температурные дрейфы параметров образцовой емкости и частот авто- генераторов) и от суммарного действия информативного ( диэлектрическая проницаемость измеряемого объекта на частоте ьо)и...

Номер патента: 1103069

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Конев, Любецкий, Пунько

МПК: G01B 7/06, G01R 27/26

Метки: диэлектрических, металлов, покрытий, толщины

...волны, отраженной от исследуемого диэлектрического покрытия, детектор и экстрематор, выходы которого соответственно через первый и второй запоминающие блоки подключены к входам из". мерителей отношений, между выходом измерителя отношений и входом индикатора последовательно включены пиковый детектор, третий запоминающий блок и вычислитель, между выходом СВЧ генератора и вторым входом рычислителя включен частотомер, а к входу управления частотой СВЧ генератора подключен модулятор, при этом выход стробирующего импульса пикового детектора подключен к стробирующему входу частотомера.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства,Устройство для измерения толщины диэлектрических покрытий металлов включает СВЧ генератор 1,...

Номер патента: 1107071

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Матвеев, Рутковский, Силина

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических

...контроля диэлектрических материалов.Для достижения цели в устройство для контроля диэлектрических материалов, содержащее генератор сверхвысоких частот, направленный ответвитель, подключенный входом основного тракта к генератору сверхвысоких частот, первьп детектор, подключенный к выходу вторичного тракта направленного ответвителя, двойной тройник, Н-плечо которого соединено с выходом основного тракта направленного ответвителя, второй детектор, подключенный к Е-плечу двойного тройника, к симметричным плечам которого подключены две антенны и индикатор, введены аттенюатор, вход которого подключен к катоду первого детектора, и сумматор, первый вход которого подключен к выходу аттенюатора, второй вход соединен с анодом второго детектора,...

Номер патента: 1113726

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Арбузов, Коровяков, Федосенко, Шакина

МПК: G01N 27/40

Метки: диэлектрических, покрытий, толщиномер

...отстройки от мешающих параметров.Цель изобретения - повышение точностиПоставленная цель достигаетсятем, что толщиномер диэлектрическихпокрытий, содержащий соединенныепоследовательно автогенератор, вихретоковый преобразователь и амплитудный детектор, соединенные последовательно фазовращатель, подключенный к автогенератору фазовый детектор, сигнальный вход которого подключен к вихретоковому преобразователю, сумматор и индикатор, снабженвычислителем модуля вектора, включенным между выходами амплитудного ифазового детекторов и вторым входомсумматора, где= 1,13,Вносимое напряжениевихретокового преобрадается на входы Фазовотудного 3 детекторов.тель 4 устанавливает вых вателя 2 по о 5 и ампли азовращаорное наетектора пряжение для...

Номер патента: 1120223

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Роговцев, Фурашов, Чермянин

МПК: G01N 21/41

Метки: диэлектрических, потерь

...на фиг. 2 и 3 крайние положения зеркала с образцом относительно потока излучения при модуляции.Устройство содержит субмиллиметровый генератор 1, делитель 2 потока излучения, диафрагму 3, модулятор и приемник 5. Модулятор 4 содержит диэлектрический образец б,плоское зеркало 7, каретку 8, кривошипношатунный механизм 9, электродвигатель 10 с редуктором и датчик 11 опорного напряжения. Приемник 5 содержит квадратичный детектор 12, усилитель 13, синхронный детектор 14 и индикатор 15.Генератор 1 предназначен для формирования близкого к параллельному потока электромагнитного излучения субмиллиметрового диапазона. В качестве генератора 1 используются субмиллиметровый оптический кванто 40 вый генератор или лампа обратной волны....

Номер патента: 1123012

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Степанова, Тихонова, Шиханов

МПК: G03C 1/52

Метки: диэлектрических, композиция, микросхем, светочувствительная, слоев, толстопленочных

...фенол зитивиого фоторезиста ФП - 383 и добавляют: . формальдегидной смолы, 3,08 г новолачной фе 12,13 г свинецсодержащего. стекла марки СЦ- нолформальдегндной сионы и 5;94 г диоксана, 273., содержащего,%: РЬО 45,5; 80 29,5;. после чего добавляют .15,0 г. свинсцсодержащего ЕпО 18,5; Т 0 40 и АЫ О. 2,5 размером,стекла 611 - 273 размером частиц 0,5-2;5 мкм. частиц О;5 - 2,5 мкм.50Фоторезист ФП - 383 содержит. 2;59 г 1,2-наф- Состав композиции .следующий, мас.%: тохинондиазид(2).5-сульфоэфира.бромнрован. Свипецсодержащее стекло 50,0ной новолачной феиолфцрмальдегидной смолы, Светочувствительний компонент 6,2 4,31 новолачной фенолформальдегидной смолы . Новолачная фенолформальдегид. мол.м. 700 и 8,34 г дноксаиа, 55 ная смола мол, м....

Номер патента: 1125530

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Минаев, Реброва

МПК: G01N 27/22

Метки: газообразных, датчик, диэлектрических, емкостный, жидких, свойств, сред

...ДИЭЛЕКтРЦ.(ескц(х (1 всйтв ГаРООбразць 1 х ц жиДр:, :;гержаще;1 э;,1 е 1 тродь , - ОЦК, У( 11(ЬЕ К Вь(ХОДЫМ ",. 1 РЬ(мам ,ЗтОдЫ ВЬГ 10 лцЕНЬ; ИЗ 1 цб 1(ИХ МЕтаЛ;(ИХ (г Н жЦЛЬЦ(ЯХ ЦГц МНОГ ОжЦЛЬцы :р сч о г(ок т пскрь 1 тьц( изоляцией ит-.го, ка(:да:; цз проволок;1 з фЯГ:иэсбрах(ен прРдлагаемь(йПггт(ьц(, РАГРЕ(;, Па фиг- ЗаВЦСИ 1 ЛЕ 1, "Т,; Ч(гс( ЕМ" Т И ДатТ 1 Цк о плицы .(ровслсцьп( электрод(вцвц постоянной пг(от.,ости с.;яти: - :;ца фГ. о - зав цсимос Гь и- к Гричес 1(0.-", ЕМОС(И (атЧИК 1 ОТ ПЛОТНОСТИ СМЯ"ЦЯ Г(РОВС(ОЧНЫХ ЭЛЕКТРО СВ ПОИ По .Т(зяцнс.,. Исходной длине проволок.ДЧ.",( (ОДЕР",1(ЗГ КСР 1 У( 1 ,фц 1)тстс,:Ьй ЦМС,. ВП":Кцсй И ВЫПУСКНСй".0 г, ПП 1 Пв ( СЬ(а "ц ПОТОК(:0;1 т ропир, е:ог-" материала,стенке...

Номер патента: 1126849

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Конев, Тиханович

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, жидкостей, измерительная, исследования, параметров, ячейка

...основания которых оринтировапы перпендикулярно падающемувыходящему излучению, а одна изтенок кюветы совмещена с основаниемризмы, причем диэлектрическая приза нарушенного полного внутреннеготражения выполнена с углом при осовании К аксз 1 п п, где п - поазатель преломления материала призмы относительно исследуемой жидкости.Входное и выходное окна служатдля подсоединения ячейки к СВЧ траку на базе стандартного цилиндричесого лучевода диаметром 20 мм, Матеиал призмы выбирается из условия,тобы на границе призма-исследуемаякидкость выполнялось условие полногонутреннего отражения .Изменение эллипсометрических пааметров излучения, отраженного отраницы призма-жидкость, позволяетвысокой точностью определить величину диэлектрической...

Номер патента: 1128162

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Георгиевский, Гузь, Марголин, Сергиенко

МПК: G01N 29/04

Метки: диэлектрических, неразрушающего

...изобретения является обеспечение контроля за развитием сквоз,ной трещины.Эта цель достигается тем, что согласно способу неразрушающего контроля диэлектрических материалов, за,ключающемуся в том, что размещают на наружной и внутренней поверхностях изделия пластины конденсатора, изме О :ряют его емкость и по этой емкости определяют дефектность изделия, периодически возбуждают собственные колебания пластины, размещенной на наружной поверхности изделия, изме ряют частоту и декремент этих колебаний и по ним определяют развитие сквозной трещины. На фиг.1 и 2 изображена динамикаизменения формы сквозной трещины нафиг,3 и 4 - форма и размеры сквозныхтрещин, наиболее часто встречающихсяв практике; на фиг,5 и 6 - графикизависимости декремента и...

Номер патента: 991828

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Взятышев, Добромыслов, Иванов, Рябов, Якухин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, параметров

...фиг.1 приведена конструкцияпредлагаемого устройства, на фиг,2 -вариант конструкции, на фиг.З - другой вариант конструкции.30Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов содержит сверхвысокочастотный генератор 1,соединенный с измерительным резонатором 2, индикатор 3, измерительный резонатор снабжен вырезом 4, которыйможет быть выполнен в виде радиаль"ной прорези (фиг.2), либо в видеотверстия (фиг.З). Измерительный резонатор с вырезом в виде радиальнойпрорези снабжен механизмом 5 изменения ширины прорези (фиг.З). го параллельна оси диэлектрического диска.4. Устройство по пп,1 и 2, о тл и ч а ю щ е е с я теи, что оно снабжено механизмом изменения ширины радиальной прорези,Устройство работает следующим образом.При...

Номер патента: 1140024

Опубликовано: 15.02.1985

Автор: Гефле

МПК: G01N 27/00

Метки: диэлектрических, состояния

...снимают номинальное напряжение с изделия.На чертеже приведены зависимости максимального перепада температуры на поверхности изделий из двух материалов (1 и 2) от времени. 5 10 15 20 25 30 35 45 50 55 60 65 Способ осуществляют следующим образом.Изделие эксплуатируют при номинальном напряжении питания и по интенсивности инфракрасного излучения на его поверхности определяют расЙределение температуры ивеличину максимального перепада температуры.При приложении к иэделию нанряжения (рабочего или испытательного) за счет воздействия электромагнитно-. го поля рабочей частоты осуществляется нагрев не всего изделия, а только тех его Мест, где существуют дефекты. Это обусловлено тем, что в местах расположения дефектов...

Номер патента: 1140966

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Грапонов, Романов

МПК: B28D 1/14

Метки: алмазное, диэлектрических, отверстий, подложках, полупроводниковых, сверло

...Кроме того, низкая жесткостьобусловлена наличием зазоров между тонкостенными цилиндрами и отсутствием устройства, обеспечивающего надежное и плотное сжатие этих цилиндров по контактнойповерхности в радиальном направлении.Низкая жесткость режущей части сверла является причиной возникновения вибраций ипоявления сколов и трещин на кромкахобработанных отверстий, а также сниженияточности и качества обработки.Цель изобретения - расширение технологических возможностей сверла, повышениестойкости и улучшение качества обработки.Поставленная цель достигается тем, чтоалмазное сверло для обработки отверстийполупроводниковых и диэлектрических подложках, содержащее корпус с режущимиэлементами и механизмом крепления, режущий элемент выполнен в виде...

Номер патента: 1141327

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Коломийцев, Комов, Копылов, Холоднов

МПК: G01N 27/20

Метки: диэлектрических, защитных, покрытий

...пр.длагаемый способ.Поверхность контролируемого изделия 1 защищена диэлектрическим покрытием 2, которое приводят в контактс жидким электродом 3, Электрод 3и вспомогательный контактный электрод 4 подключены к источнику 5постоянного напряжения через переключатель 6 полярности. Устройствосодержит регулирующее сопротивление7, калибровочное сопротивление 8 ипереключатель 9 калибровка-работа.Переходная разделительная цепь 10 со.единена с измерителем шума, которыйможет быть снабжен селективным усилителем (не показан). Для слива иподачи электролита служит отверстие 11. Способ включает следующую последовательность рабочих операций.От источника 5 подают постоянное напряжение, регулирующим сопротивлением 7 устанавливают рабочее значение...

Номер патента: 1146557

Опубликовано: 23.03.1985

Автор: Абзалетдинов

МПК: G01F 23/26

Метки: диэлектрических, емкостный, индикатор, сред, уровня

...детектор и усилитель постоянного тока с выходом на исполнительное реле, третий электрод датчика уровня через диод подключен к нагрузочной 4 ф обмотке блокинг-генератора, а два других электрода соединены с его коллектор-ой и базовой обмотками,На фиг.1 дана электрическая принципиальная схема емкостного4 Я индикатора уровняф на фиг.2 - радиально-лучевой конденсатор, общий вид с частичным вырезом.Емкостный индикатор уровня содержит релейный усилитель 1 с сиг" фо нализирующим реле 2, генератор 3 с диодом 4 индуктивно-выходной обмотки 5, радиально-лучевой конденсатор б. Радиально-лучевой конденсатор 6 содержит чувствительные эле- Ы менты 7 и 8, электрод 9 для запуска генерации, изолированный от контролируемой среды корпусом 10....

Номер патента: 1147936

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Дроздов, Соломонов

МПК: G01M 3/24, G01N 29/04

Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, пленках

...тем, что согласно способу обнаружения дефектов вдиэлектрических пленках, заключающе-,муся в том, что контролируемую пленку размещают между двумя электродами,подают на электроды напряжение ирегистрируют дефект пленки, передразмещением пленки между электрода- .ми на одном из них размещают слой, 55гигроскопичного материала, смоченного диэлектрической жидкостью, пода"ют на них напряжена в виде однопо 936 3пярных импульсов звуковой частоты самплитудой, выбираемой из условиясохранения диэлектрических свойствпленки, и регистрируют дефект позвуковым колебаниям, генерируемымпленкой.Способ осуществляется следующимобразом,Контролируемую диэлектрическуюпленку размещают между двумя электродами, в качестве одного нз которыхиспользуется плоский...

Номер патента: 641795

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Виноградов, Маренный, Солянов

МПК: G01T 5/10

Метки: блоков, детекторов, диэлектрических, заряженных, многослойных, подготовки, просмотра, трековых, тяжелых, частиц

...с жидкостью, используемойдля обработки слоев . Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ подготовки многослойных бло-. ков диэлектрических трековых детекторов тяжелых заряженных частиц для просмотра, включающий травление детектирующих слоев, заполнение пространства между слоями просветляющей жидкостью и монтаж слоев в сборки,21 .Таким образом можно просматривать совместно по 2-3 детектирующих слоя, имеющих хорошее качество поверхнос- ти после травления.Недостатком известного способа является ограниченная применимость и относительно малый выигрыш в скорости просмотра по сравнению со скоростю просмотра отдельных детектирующих слоев.Цель изобретения - ускорение про - цесса просмотра многослойных блоков...

Номер патента: 1149150

Опубликовано: 07.04.1985

Автор: Братанов

МПК: G01N 22/04

Метки: влажности, диэлектрических

...импульсов и его входомвключены последовательно соединенные второй электронный ключ и вторая линия задержки, выход приемной антенны соединен с входом первого формирователя импульсов и первым Выходом блока синхронного запускавторой выход каторога соединен с входом второго Формирователя импульсов, введены первый счетчик импульсов, вход катарагс соединен с выходом первого электронного ключа выход - с управляющим входам г;ервагс 3:1 ектрсннаго ключа и первьи Входам измерителя временных интервалов)ИМПУЛьсав, ВХОД Котарагс соединен с Выходом второгоэлектраннага к:юа, выход - с управЛЯ)ЦИМ ВХОДОМ ВТОРО .а ЭЛЕКТ)О НОГОключа и Вторым входам измерителя ВреМЕПНЫХ 1 нтоРВЯЛС)Б) ВЫХОД Ка "ОЭСГОССЕДИНЕ)1 С ИНДИКаТОРОМ,Ва чертеже показана...

Номер патента: 1149187

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Конев, Любецкий, Михнев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, пленок, проницаемости, толщины

...антенну, делитель луча, к первому плечу которого обращен вход резонатора с зеркалами, в .котором при измерениях исследуемая диэлектрическая пленка расположена под углом 45 к оси резонатора, перпендикулярной первому плечу делителя луча, первый приемный блок, подсоединенный через первую приемную антенну к второму плечу делителя луча и регистрирующий блок, введены первая и вторая поляриэационные проволочные решетки, причем проволочки обеих поляризационных проволочных решеток параллельны, вторая и третья приемные антенны, второй приемный блок н корректор, первый приемный блок выполнен в виде блока измерения диэлектрической проницаемости, выход резонатора расположен со стороны, противоположной его входу, причем первая поляризационная...

Номер патента: 1153233

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Арбузов, Коровяков

МПК: G01B 7/06

Метки: вихретоковый, диэлектрических, покрытий, толщиномер

...коли.чества поддиапазонов и дополнительной калибровки на каждом из этих поддиапазонов.Наиболее близким к изобретению являетсявихретоковый толщиномер диэлектрическихпокрытий, содержащий последовательно соединенные генератор гармонического тока, накладной внхретоковый преобразователь, усилитель, 25амплитудный детектор и логарифмический усилитель, а также индикатор 21,Однако и этот толщиномер не обеспечиваеттребуемой производительности контроля, чтотакже связано с необходимостью введенияподдиапазонов для обеспечения нужной точности измерений.Цель изобретения - повышение производительности контроля.Поставленная цель достигается тем, чтовихретоковой толщиномер диэлектрическихпокрытий, содержащий последовательно соединенные генератор...

Номер патента: 1161898

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Вагарин, Коротин, Усанов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, параметров

...вол Зновода, коаксиальной или микрополосковой линии, диэлектрического резонатора, в которой установлен активный элемент 2,например, в виде диода Ганна, 29СВЧ-транзистора, лавинно-пролетногодиода и др с резистором 3 в цепипитания, усилитель 4 с регулируемымкоэффициентом усиления, выполненный, например, в виде полевого транзистора с изолированным затвором,операционный усилитель 5, ключ б,усилитель , на входе которого включенэлемент 8 памяти, например, в видеконденсатора, индикатор 9.Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов работает следующим образом.К входу усилителя 4 прикладывается напряжение активного элемента2. При отсутствии в измерительнойкамере 1 исследуемого образца напряжение на активном элементе...

Номер патента: 1165953

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Богданов, Братанов, Ляпин

МПК: G01N 22/04

Метки: влажности, диэлектрических

...сухого материалаС - скорость света. Связь влажности. исследуемого материала со временем распространения в нем СВЧ-импульса обусловлена тем, что диэлектрическая проницаемость исследуемого материала р определяется диэлектрической проницаемостью сухого исследуемого материала Яц и диэлектрической проницаемостью водыДля большинства диэлектрических материалов ЕзЕ щ , поэтому чем больше влажность исследуемого материала, тем больше его диэлектрическая .проницаемость Время .еаспространения электромагнитного поля в среде связано с диэлектрической прони". цаемостью Формулой: где Ь - толщина материала;С - скорость света;Г - диэлектрическая проницаемость материала.Из Формулы видно, что влажностьисследуемого материала пропорциональна...

Номер патента: 1168798

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Арбузов, Завалов, Коровяков

МПК: G01B 7/06

Метки: вихретоковый, диэлектрических, покрытий, толщиномер

...достигается тем, что вихретоковый толщиномер диэлектрических покрытий, содержащий по следовательно соединенные генератор гармонического тока, вихретоковый преобразователь, уСилитель, амплитудный детектор и логарифмический усилитель, а также индикатор, снаб жен последовательно соединенными фазовращателем, подключенным входом к генератору, фазовым детектором, под" ключенным вторым входом к выходу усилителя, функциональным преобразователем фазового угла в его котангенс и сумматором, второй вход которого подключен к выходу логарифмического усилителя, а выход - к ин дикатору.На фиг. 1 представлена блок-схема вихретокового толщиномера диэлектрических покрытий; на фиг, 2 - зависимОсть погрешности измерений от вариаций удельной...

Номер патента: 1169204

Опубликовано: 23.07.1985

Автор: Севрюков

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектрических, свч-термообработки

...и улучшение качества термообработки диэлектрических материалов.На чертеже представлена конструкция предлагаемого устройства,Устройство для СВЧ-термообработки диэлектрических материалов состоит из отрезка 1 прямоугольного волновода, связанного через отверстия2 связи с металлической камерой 3.Отрезок 1 прямоугольного волноводапредназначен для передачи СВЧ-мощности от внешнего источника котверстиям 2 связи, а последние -для передачи подведенной СВЧ-мощности в металлическую камеру 3.На противоположной отверстиям 2связи стенке металлической камеры 3расположен отражательный поляризатор 4. В металлической камере 3 наотражательном поляризаторе 4 разме, щен обрабатываемый диэлектрическийматериал 5.Устройство для СВЧ-термообработки...

Номер патента: 1179096

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Арбузов, Бакунов, Завалов, Коровяков

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, покрытий, толщиномер

...покрытий работает следующим образом.Вносимое напряжение с выхода накладного вихретокового преобразователя 2, запитываемого синусоидальным током от ачтогецератора 1, поступает одновременно на входы амплитудно-Фазового детектора 6 иамплитудного детектора 3. 40 Опорное напряжение фазочувствительного детектора 6 с помощью Фазовращателя 7 устанавливается синфазным с током возбуждения накладного вихретокового преобразователя 2. Постоянные напряжения с выходов обоих детекторов поступают на выходы перемножителя 8, передаточная функция которого может быть записана в следующем виде:Ч,Ч = КВЬХ Ч Ргде К - коэффициент передачи;У,У - выходные напряжения амплитудно-Фазового детектора 6и амплитудного детектора 3,соответственно.Выходные...

Номер патента: 1182259

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Крючков, Матвеев

МПК: G01B 15/02

Метки: диэлектрических, толщины

...толщины диэлектрических сред и изделийс использованием радиоволновых 5методов.Целью изобретения является повышение точности измерения и расширение диапазона измеряемых толщин,На чертеже представлена схема 10устройства,Перестраиваемый генератор 1 СВЧколебаний волноводно соединен с волноводным тройником 2, симметричныеплечи которого соединены с входами 15ферритовых вентилей 3 и 4, выходвентиля 3 соединен с детекторнойсекцией 5 и нагрузкой 7, а выходвентиля 4 - с детекторной секцией 6и приемопередающей антенной 8, диф- уоференциальиый усилитель 9 входамиэлектрически соединен соответственно с детекторными секциями 5 и 6,а выход усилителя 9 - с индикатором 10. 25Устройство работает следующимобразом. СВЧ-генератор 1 возбуждает, в волноводе...

Номер патента: 1182372

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Белашев, Терновой

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрических, характеристик, электроизоляционных, ячейка

...столик перемещается по направляющей, установленной на неподвижном основании перпендикулярно направляющей, по которой смещается каретка. Основание содержит параллельную направляющей столика зубчатую гребенку, пружину для перемещения столика по направляющей, а столик снабжен прижимным стержнем, управляемым электрическим реле. На направляющих установлены концевые выключатели, приводящие в действие электромагниты, сжимающие пружины и приводящие в исходное положение столик и каретку. Положения каретки и столика фиксированы положениями прижимной планки и стержня, вошедшими в зацепление с зубьями гребенок. Вывод их из этих положений и пошаговое перемещение электроизоляционного материала происходит по импульсам, поступаемым с блока...

Номер патента: 1182377

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Валко, Гудин, Мейрманова, Сперанская

МПК: G01N 27/48

Метки: диэлектрических, качества, оксидных, пленок, электрохимический

...электродов,Целью изобретения является повышение точности и упрощение способа. На фиг. 1 изображена конструкция ячейки, в которой осуществляют сня.тие вольт-амперных характеристикалюминиевых анодов, на фиг. 2 - вольтамперная характеристика анода, снятая предлагаемым способом в двух- электродной системе с ртутно-оксидным противоэлектродом (кривая А), и вольт-амперная характеристика анода, снятая в трехэлектродной системе с использованием насыщенного каломельного электрода в качестве электрода сравнения (кривая В); на фиг. 3 - вольт-амперная характеристика объемно-пористых алюминиевых анодов, снятая предлагаемым способом Предлагаемый способ реализуют в двухкамерной ячейке (фиг, 1), состоящей из ртутно-оксидного электрода 1,...