Патенты с меткой «диэлектрических»

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Дроздов, Носков, Сухих, Цейтлин

МПК: H01L 21/26

Метки: двуокиси, диэлектрических, кремния, низкотемпературных, пленок

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 1827836

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Майзель, Плюгин, Рожков, Сыроедов

МПК: B01D 35/06

Метки: диэлектрических, жидкостей, фильтрации

Устройство для фильтрации диэлектрических жидкостей, содержащее корпус с элементами заземления и с входным и выходным патрубками, фильтропакет с фильтроэлементами, закрепленный на установленной в корпусе центральной трубе, на одном из участков которой размещен нейтрализатор, соединенный с фильтропакетом посредством токопроводящих перемычек и токопроводников, отличающееся тем, что с целью повышения эффективности нейтрализации электростатических зарядов в жидкости и обеспечения безопасности процесса фильтрования, устройство дополнительно снабжено диэлектрическими перфорированными дисками, закрепленными в центральной трубе и смешенными друг относительно друга, металлическими трубками с...

Номер патента: 1487619

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Милешко, Никитенко, Сорокин

МПК: G01B 7/04

Метки: диэлектрических, осаждения, подложках, покрытий, процессе, толщины

Способ измерения толщины диэлектрических покрытий на подложках в процессе осаждения, заключающийся в том, что строят анодную поляризационную кривую контролируемой структуры в электролите при заданной скорости увеличения потенциала подложки, находят пороговое напряжение, соответствующее началу линейного участка на указанной кривой, по которому определяют толщину слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, построение анодной поляризационной кривой проводят при скорости увеличения потенциала подложки от 0,2 до 12 В/с в электролите с электропроводностью от 50 до 400 мкСм/см.

Номер патента: 1617938

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Виноградова, Казаков, Хасков

МПК: C09D 101/18, C09D 5/44

Метки: диэлектрических, композиция, методом, покрытий, электрофореза

Композиция для получения диэлектрических покрытий методом электрофореза, включающая нитроцеллюлозу, наполнитель и добавку, отличающаяся тем, что, с целью повышения однородности покрытия, она содержит в качестве нитроцеллюлозы раствор клея АК-20 на основе нитроцеллюлозы в ацетоне с вязкостью 0,7-1,2 сСт, в качестве наполнителя оксид алюминия, а в качестве добавки насыщенный раствор азотнокислого алюминия в этиловом спирте, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид алюминия15-28 Насыщенный раствор азотнокислого алюминия

Номер патента: 1567111

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Барабохина, Власов, Кулешов, Томилов, Трофимов

МПК: H05K 3/46

Метки: вжигания, диэлектрических, многослойных, паст, плат, проводниковых, толстопленочных

Способ вжигания диэлектрических и проводниковых паст для изготовления многослойных толстопленочных плат, включающий операции плавного подъема температуры до максимального значения, выдержки при этой температуре и плавного снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения дефектов в слоях толстопленочных плат, на операции плавного подъема температуры до максимального значения осуществляют первую изотермическую выдержку при температуре максимальной скорости выгорания органической связки используемой пасты в течение времени, равного времени полного выгорания этой органической связки, а на операции плавного снижения температуры осуществляют...

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 1549411

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Воронов, Ковалевский, Красницкий, Турцевич, Цыбульский

МПК: H01L 21/316

Метки: борофосфоросиликатного, диэлектрических, пленок, стекла