Чибирков

Номер патента: 961536

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Волокитин, Дандарон, Дедюхин, Чибирков

МПК: H05H 1/24

Метки: генератор, плазменный, поверхностей, цилиндрических

ПЛАЗМЕННЫЙ ГЕНЕРАТОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ, содержащий систему электродов в виде рельсотрона, отличающийся тем, что, с целью упрощения обработки цилиндрических поверхностей, электроды выполнены в виде колец одинакового диаметра с зазором между свободным и токоподводящим концом каждого электрода, меньшим диаметра пути, при этом зазоры электродов смещены по окружности относительно друг друга.

Номер патента: 950165

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Аньшаков, Волокитин, Дедюхин, Филиппов, Чибирков

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, плазменный

...изобретения является иние производительности обработктериалов,(54)(57) ПЛАЗИЕННЫИ Г РАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ по о т л и ч а ю щ и й с целью повышения произ обработки материалов, ком наполнителе выпол отверстия вдоль образ ческого цилиндра, рав ложенные по эллипсу. Цель достигается тем, что в плазменном генераторе для обработки материалов, содержащем коаксиально расположенные анод, катод, выполненные ввиде эллиптических цилиндров, разде"ляющий их диэлектрический наполнительи соленоид, в диэлектрическом наполнителе выполнены сквозные отверстиявдоль образующей эллиптического цилиндра, равномерно расположенные поэллипсу,На чертеже изображен плазменныйгенератор для обработки материалов,Генератор катод 1, анод 2, диэлектрический...

Номер патента: 1040754

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Азаренко, Волокитин, Романюк, Скрипникова, Чибирков

МПК: C04B 41/45

Метки: защитно-декоративного, изделиях, покрытия, силикатных

...стеклОВидного пОкрытия с ОснОВнОЙ массоЙизделия увеличивается, Увеличениепрочности сцепления стекловидного покрытия с основой иэделия обьясняется тем, что при смачивании поверхности силикатных изделий ортофосфорной кислотой, происходит реакциявзаимодействия кислоты с силикатамикальция с образованием силикато-фосфатов кальция, температура плавления:пособ обработки Прочность сцепления покрытия с основой изделия, МПае1,94 0 1;0 2,5 5 10 20 50 85 0,12 2,4 б 2,88 2,91 3,30 3,24 3,01 2,51 ИзвестныйПредлагаемый СоставительРедактор Е.Нефедова Техрел М,Моргентал Корректор Т,Вашкович Заказ 2830 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5...

Номер патента: 1498371

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Волокитин, Трофимов, Чибирков, Шишковский

МПК: H05B 7/22

Метки: генератор, диэлектрических, плазменный, поверхностей

...3. Через дугу протекает постоянный ток величиной 200-400 А. Магнитное поле тока, протекающего по электролам, 3 1498371 взаимодействуя с током дуги, вызывает ее перемещение по электродам, Направление перемещения дуги задается местом подключения токоподводов к элек" тродам анода, Для устойчивой работы плазменного генератора токоподводы осуществлены в точках А и С. При до" стижении дугой концов электродов, на+ пример в точках,В и К, под действием 1 О магнитного поля дуга вытягивается, принимая форму подковы, тем самым иониэирует промежуток КА между элек" тродами. Вследствие уменьшенного меж, электродного расстояния КА возрастает 1 напряженность электрического поля в этом промежутке, что улучшает условия самовозбуждения дуги между...

Номер патента: 1493078

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Старченко, Чибирков, Шишковский

МПК: H05H 1/00

Метки: плазменного, покрытия, электропроводных

...условия Г 7,)/21 уосси вр охлаждеууия материала до темпе плавления (крисалли 3 ау)ии ). Для большинства металлов ве 1 уичина частоты сканирования дуги по поверхности лежит в диапазоне )0-20 Гц,з.п. матер зла изделия пу"ем сканирования по поверхности плазменной дуги с частс;той )0-200 Гц, а частицы покрытия внедряют в зону расплава плазмотроном косвенного действия,Сканирование плазменной дуги по поверхности электропроводноуо изделия вызывает ее расплавление и поддержание необходимой температуры расплава. Обеспечивая куирокую зону расплава поверхисусти, а также необходимый запас кинетическсуй эуус ргии час лицам напьууунслссгсу матс риала за с чет гил вязкости и линвлсуучс.с уссу с 1 усвпорв плазменного уусу 1 ока у с усс р гс рсу когвс...

Номер патента: 1158021

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Аньшаков, Волокитин, Дедюхин, Соловьев, Чибирков

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазменной

...токе разояда 40 А,ет, в свою очередь, эрозию содежурной дуги. Угол 45 обеспеменьшее межэлектродное прост а под угломловлен наи -з1ван ми зажигай дугой при что снижала-анода 2 чивает наи ранство ос ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Рыкалин Н,Н. Примененратурной плазмы в технолоных материалов, - Сматериалы, 1972, Ф 1,Авторское свидетельствойг 733231, кл, Н 05 Н 1/00, 1 Изобретение относится к пла технике и используется для термич работки строительных диэлектриче териалов, например для по защитно-декоративных покрытий. Цель изобретения - увеличение ре оты устройства за счет снижения эрНа чертеж ое устройство,Устройство из катодного узла, включающего катод 1 и сопло-анод 2 дежурной дуги, анодного узла, содержащего анод 3, привод 4 анода,...

Номер патента: 1503672

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Истомин, Карих, Чибирков, Шишковский

МПК: H05B 7/22

Метки: дугового, перемещением, плазмотроне, разряда, рельсовом

...иоле В по напрнлению действия силы 1, перемещается с той жескоростью и в ту же сторону дуговойразряд под пействием силы Г, . Большую скорость перемещения дут ового 15разряда вдоль электродов не позволяет рвить тормозящее поле Й , скорость перемещения которого и оцредечяет скорость перемещения дуговогоразряда. 20Ири / В /7/В, //сов, и 180 1 (270(гм, фцг.3) дуговой разряд перемещается вдоль электродов в сторону перемощения магнитного поля Вг, вправопоп действием силы Р, влево - иодФ едействием Г, +Гг. Направление равпопс йствующей Р смещено при выполнении указанных условий влево относительно нормали к поверхности обраба"тываемого изделия 5 (см, Фиг 4),УоИри Вг=-В, (1=180 ) сила 1=О,г.е не будет прижима к поверхностиобрабатываемого...

Номер патента: 890567

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Филиппов, Чибирков, Шиманович

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, плазменный, строительных

...фиг. 1 и 2 изображено устройство в двух проекциях, общий вид.Устройство имеет электрод 1, выполненный в виде эллиптического цилиндра, причем сильно вытянутоговдоль одной из осей. Электрод 1 имеет разрез шириной 1-4 мм вдоль образующей цилиндра, Внутри электрода 1расположен эквидистантно электрод 2,который также имеет разрез шириной1-4 мм. Оба электрода разделены диэлектуическим наполнителем 3.Устройство работает следующим образом,. Электрический ток величиной, например, 150-200 А подается на электроды 1 и 2. Производится поджег дугипосредством осциллятора либо крат-.ковременным замыканием электродов.Магнитное поле, создаваемое током,текущим по электродам, взаимодейст вует с током дуги, что вызывает ееперемещение вдоль...