Левченко

Номер патента: 1738023

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Левченко

МПК: H01J 27/16

Метки: водорода, генератор, ионов, отрицательных, потока

Генератор потока отрицательных ионов водорода, содержащий резонатор с системой патрубков для ввода молекулярного газа, магнитную систему с постоянным магнитом и электромагнитными катушками запуска, электронный эмиттер, расположенный на выходе из резонатора, и систему извлечения ионов, выполненную в виде двух металлических сеток, отличающийся тем, что, с целью увеличения интенсивности потока отрицательных ионов водорода, в резонаторе размещена кварцевая камера, соединенная с вводом молекулярного газа, электронный эмиттер расположен в металлическом цилиндре, торцевая поверхность которого закрыта металлической сеткой, подключенной к отрицательному полюсу дополнительного источника питания, при...

Номер патента: 884418

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Авраменок, Левченко, Овчинников

МПК: G01T 1/36

Метки: гамма-излучения, жесткости

Способ определения жесткости гамма-излучения, состоящий в том, что измеряют распределение поглощенной дозы гамма-излучения у поверхности раздела двух сред с различными атомными номерами, а после математической обработки дозиметрической кривой определяют спектр вторичных электронов, который приравнивают к осредненному спектру гамма-излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона и повышения точности определения жесткости гамма-излучения, измеряют по крайней мере две дозиметрические кривые у границы раздела двух поглотителей, одним из которых являются металлические фольги с разными толщинами и атомными номерами, причем толщину первой из них выбирают равной экстраполированному...

Номер патента: 1799180

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Данилычев, Левченко, Щекотов

МПК: G21C 17/04

Метки: быстрых, газовой, негерметичности, нейтронах, реактора, твэла, ядерного

...времен прохождения импульсов с частотой, соответствующей процессу образования, и с частотой, соответствующей скорости всплытия пузырька, определяет длину пути, пройденного пузырьком от места его зарождения в активной зоне, то есть в конечном итоге - аксиальную координату дефекта, При всплытии пузырька величина вносимой им реактивности меняется по закону распределения эффективности натрия по высоте реактора - реактивность проявляется за счет вытеснения натрия пузырьков при всплытии последнего, В случае единичного пузырька характер изменения реактивности во времени, определяемый по изменению нейтронного потока, полностью соответствует распределению эффективности натрия по высоте ТВС, причем данное распределение с учетом сложной...

Номер патента: 1832760

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Ключников, Левченко, Недыбалюк, Одиноков

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, магнетронного, распыления

Устройство для магнетронного распыления материалов в вакууме, содержащее выполненные с возможностью взаимного вращения подложкодержатель и магнетронную систему с анодом и двумя катодными узлами, симметрично расположенными под углом к оси подложкодержателя и включающими дисковые мишени и концентрично расположенные с нераспыляемой стороны мишеней полюсные наконечники противоположной полярности, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости распыления и увеличения коэффициента использования материала, мишени выполнены с отсеченной частью со стороны оси подложкодержателя, при этом каждый полюсный наконечник образован пересечением двух дуг окружностей с сохранением у дуги, удаленной от плоскости отсечения, прежнего радиуса полюсного...

Номер патента: 751166

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Левченко, Некрасов, Сигаев

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме, катодного, распыления, сегнетоэлектриков

Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения.

Номер патента: 1785409

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Безбородов, Голубев, Левченко, Попов

МПК: H04B 7/00

Метки: коротковолновой, радиосвязи

...зды-вы ады которого соединены с водами-выодами приемопередатчин:а 5 РРС, причем первач станция 3 управпенич соединена г прн 1 егчным радиоцентром 1 посредствам проводной свчэи, а вторач станцил 3 управпения соединена с передающим рзднчацентраг2 посредством провадн.1 г сея эчСн 1 стемэ норотновопноеайч радцосвчзи функционируег спедуощцм образомуэеп сети системы корол н овап 1 оеой рздцасвчзи обеспечивает Обмен и 1 фармэциеи с норреспондентагчи радиосети и г анапагичнылеч рздиоузпами по (,Взнапаг радиосвязи В исодноьч состоянии одна из станций 3 упраепенич нззначзетсч веду щеи, например первач станцич 3, другач - ведомой В формироезтепь - рэспредепитепь 1 ведущей станции 3 вводится с онанечной аппаратуры, например оператором с дисппеч...

Номер патента: 1246836

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Левченко, Нестер, Шмырева

МПК: H01L 31/0216

Метки: солнечный, элемент

СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки.

Номер патента: 1128730

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Зингер, Левченко, Шмырева

МПК: H01L 31/04

Метки: фотоэлектрический

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ с инверсионным слоем, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой с встроенным зарядом и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и стабильности параметров, диэлектрический слой выполнен из поликристаллического сегнетоэлектрика и поляризован в направлении, перпендикулярном поверхности полупроводниковой подложки.

Номер патента: 1154974

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Левченко, Лозоватский, Пасичный

МПК: C23C 14/56

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез шихты сегнетокерамических компонентов, измельчение, формовку и обжиг полученной заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем снижения содержания загрязнений, синтез проводят расплавлением шихты лучистым нагревом с одновременным перемешиванием расплава, а измельчение осуществляют термоударом.

Номер патента: 1374704

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Алимов, Амбарцумян, Левченко

МПК: C04B 22/08

Метки: бетонная, смесь

БЕТОННАЯ СМЕСЬ, включающая портландцемент, песок, щебень, суперпластификатор на основе продукта конденсации нафталинсульфокислоты и формальдегида, смолу нейтрализованную воздухововлекающую и воду, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения диффузионной проницаемости, повышения прочности и коррозионной стойкости стальной арматуры, она дополнительно содержит нитрит натрия и диэтаноламин при следующем соотношении компонентов, мас.Портландцемент 11,147 11,159Песок 30,286 30,320Щебень 52,579 52,639Суперпластификатор на основе продукта конденсации нафталинсульфокислоты и формальдегида 0,056 0,100Смола нейтрализованная воздухововлекающая 0,001 0,003Нитрит натрия 0,156 0,178Диэтаноламин 0,089 0,134

Номер патента: 1529750

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Беспутин, Верина, Колобнев, Левченко, Макова, Никифоров, Новиков, Попов, Портной, Семенова, Фридляндер, Хохлатова

МПК: C22F 1/04

Метки: al-mg-li, листа, сверхпластической, системы, сплавов, тонкого, формовки

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОГО ЛИСТА ДЛЯ СВЕРХПЛАСТИЧЕСКОЙ ФОРМОВКИ ИЗ СПЛАВОВ СИСТЕМЫ Al-Mg-Li, включающий гомогенизацию слитка, горячую прокатку, закалку, гетерогенизационный отжиг и холодную прокатку с промежуточными отжигами, отличающийся тем, что, с целью повышения технологической пластичности и сокращения длительности и числа операций технологического процесса при сохранении уровня показателей сверхпластичности, гомогенизационный отжиг проводят при 475 - 520oС в течение 3 - 8 ч, закалку проводят с 490 - 520oС, гетерогенизационный отжиг проводят при 385 - 410oС в течение 1 - 2 ч, холодную прокатку с промежуточными отжигами при 385 - 410oС в течение 5 - 30 мин через каждые 30 - 55% деформации,...

Номер патента: 1746583

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Карпенко, Кравченко, Кузнецов, Левченко, Нестеров, Сапрыгин, Таптыгин, Царев, Шарапов

МПК: B21B 1/10

Метки: прокатки, профилей, рельсовых

СПОСОБ ПРОКАТКИ РЕЛЬСОВЫХ ПРОФИЛЕЙ, включающий предчистовые проходы в калибрах дуо с обжатием горизонтальными валками шейки и головки по боковым ее поверхностям и чистовой проход в универсальном четырехвалковом калибре с обжатием вертикальным валком головки по катающей поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества проката и повышения производительности прокатного стана путем повышения точности геометрических размеров профиля рельса, обжатие головки и шейки рельса в чистовом проходе устанавливают по величине уширения, определяемой по зависимости

Номер патента: 1243397

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/38

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ для вакуумного нанесения пленок, включающий формовку заготовки из материала мишени с последующим обжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров получаемых пленок, после обжига мишень обрабатывают током разряда плотностью 10-400 мА/см2 в течение 9-12 ч.

Номер патента: 1274339

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Левченко, Пасичный

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез компонентов заготовки путем расплавления лучистым нагревом, измельчении заготовки, формовку и обжиг мишени, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем увеличения плотности компонентов, измельчение заготовки проводят в процессе синтеза компонентов путем центробежного распыления расплава заготовки.

Номер патента: 1271132

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменным, нанесения, пленок, распылением, сегнетоэлектрических

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5-0,75 диаметра мишени.

Номер патента: 1077334

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Левченко, Тарасов

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, нанесения, пленок

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, содержащее подложкодержатель и испаритель направленного действия с выходным каналом, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения производительности, выходной канал выполнен в виде многоканального коллиматора, подложкодержатель расположен от коллиматора на расстояниигде l длина канала;d диаметр канала;b расстояние между соседними каналами.

Номер патента: 1455547

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Дриленок, Левченко, Рытвин, Тыкочинский, Ястребов

МПК: B32B 15/00

Метки: композиционный, материал

1. КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ преимущественно для сварных конструкций, содержащий слои, выполненные из платинородиевого сплава, и прослойки, выполненные из дисперсно-упрочненного оксидами платинородиевого сплава, отличающийся тем, что, с целью повышения высокотемпературной прочности и свариваемости, прослойки содержат 1 2 об. оксидов при общем содержании оксидов в материале 0,1 0,3 об.2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он содержит 4 7 прослоек.

Номер патента: 1499952

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Левченко, Рытвин, Тыкочинский, Щерба, Ястребов

МПК: B22F 3/16, C22C 1/05

Метки: дисперсно-упрочненного, основе, платины

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИСПЕРСНО-УПРОЧНЕННОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ПЛАТИНЫ, включающий механическое измельчение сплава, внутреннее окисление при 700-1000oС и прессование в пресс-форме, отличающийся тем, что, с целью повышения высокотемпературной прочности материала и производительности способа, после механического измельчения проводят объемное электроэрозионное диспергирование в воде, а перед прессованием осуществляют спекание при 1100-1300oС в течение 0,5-1 ч, причем внутреннее окисление и спекание выполняют в емкости, внутренние габариты которой соответствуют габаритам рабочего пространства пресс-формы.

Номер патента: 1137775

Опубликовано: 27.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/00

Метки: пленок, сегнетоэлектрических

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК, включающий распыление исходного материала в среде кислорода и осаждение его на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических свойств пленок, процесс осаждения проводят циклично, при этом после каждого цикла осаждения температуру подложки и давление кислорода увеличивают до температуры не более 0,8 температуры плавления исходного материала и до давления не более 26664,4 Па соответственно, проводят термообработку пленки, снижают температуру подложки и давление кислорода до первоначальных значений и проводят следующий цикл осаждения.

Номер патента: 1697453

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Левченко, Недыбалюк, Одиноков

МПК: C23C 14/35

Метки: вакууме, ионно-плазменного, распыления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, преимущественно на вращающуюся вокруг своей оси подложку, содержащее магнетронную систему, состоящую из катода с мишенью и полюсных наконечников, подложкодержатель и анод, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента полезного использования распыленного материала, оси симметрии подложкодержателя и мишени образуют угол 18 26o, а центр мишени смещен от оси подложкодержателя на величину (0,18 0,27) D мм, причем средний диаметр зазора между полюсными наконечниками равен 0,75 D мм, где D диаметр подложкодержателя, мм.

Номер патента: 1300976

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий формовку заготовки, ее обжиг, измельчение, повторные операции формовки и обжига и обработку заготовки током разряда в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, обработку заготовки током разряда в вакууме проводят при давлении не более 6,65 10-1 Па.

Номер патента: 1300975

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий формовку материала мишени, обжиг, измельчение и повторную формовку с обжигом, обработку материала мишени в вакууме путем пропускания через него тока, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности мишени, перед обработкой материала мишени в вакууме проводят селективную металлизацию поверхности мишени, а пропускание тока осуществляют поочередно через участки металлизации с последующим их удалением.

Номер патента: 1322701

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Левченко, Недыбалюк

МПК: C23C 14/42

Метки: вакууме, диэлектрических, катодным, нанесения, покрытий, распылением

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ КАТОДНЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ В ВАКУУМЕ, содержащее катод-мишень, подложкодержатель и кольцевой анод, расположенный между катодом-мишенью и подложкодержателем соосно геометрической оси катод-мишень подложкодержатель, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и повышения его экономичности, на кольцевом аноде, равномерно по его периметру, выполнено не менее трех выступов игольчатой формы.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что длина выступов не менее 4 мм.

Номер патента: 1823330

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Ваган, Власенко, Левченко, Потапов, Шумский

МПК: B23K 35/36

Метки: бронзы, наплавки, шихта

...вины) в качестве удобрения в сельском хозяйстве и хлористого аммония в составе галогенидных флюсов для ниэкотемпературной пайки в водных растворах.Применение солей аммония совместно с борной кислотой с целью повышения качества наплавки, путем поедупреждения оголения расплава посредством получения пенообразного шлака большего объема является существенным отличием заявляемого состава.П р и м е р. В лабораторных условиях НПО "РостНИИТМ" было приготовлено пять составов шихты. содержащей в качестве металлической составляющей порошок бронзы Бр 05 Ц 5 С 5 по ГОСТ 613-79 и никель в количестве 0,4-3,8 мас, , а в качестве флюсующей составляющей - борную кислоту и карбамид, отличающиеся содержанием вновь вводимых компонентов, и состав шихты по...

Номер патента: 1398666

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Глебов, Ковалев, Левин, Левченко, Симоненко

МПК: G11C 11/40

Метки: матричный, накопитель

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, первую диффузионную область второго типа проводимости, расположенную в приповерхностной области полупроводниковой подложки, первый слой диэлектрика с отверстиями, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки, первую область эпитаксиального слоя второго типа проводимости, расположенную на поверхности полупроводниковой подложки, вторую диффузионную область первого типа проводимости, расположенную в эпитаксиальном слое, третью диффузионную область первого типа проводимости, расположенную в приповерхностной области первой области эпитаксиального слоя, проводящую шину, расположенную на поверхностях первой области эпитаксиального слоя и слоя...

Номер патента: 1829812

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Возный, Галушко, Горбик, Дякин, Лавандовский, Левченко, Огенко, Чуйко, Янчевский

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...прессования, Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым обогревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку температуры пресс-формы при заданной температуре и охлаждение. После прессования определяли относительную магнитную восприимчивость полученных образцов ВТСП с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц, Измеряли мнимую часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.П р и м е р 1. 16 г порошка ВТСП формулы (РЬхВ 1-х)2 Са 23 г 2 СизОу и 4 г порошка ПХТФЭ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем...

Номер патента: 747026

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алексеев, Ваулина, Голубков, Дерюжинский, Жлудова, Иванов, Кинева, Кустова, Левченко, Попов, Секираж

МПК: B22F 1/00, H01F 1/10

Метки: бария, магнитов, порошка, феррита, эластичных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА ФЕРРИТА БАРИЯ ДЛЯ ЭЛАСТИЧНЫХ МАГНИТОВ, включающий помол и смешивание ферритообразующих компонентов, первичный обжиг, помол и вторичный обжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитных свойств порошка, после вторичного обжига проводят тонкий помол и затем обжиг при 800 - 880oС.

Номер патента: 733205

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Кулжинский, Левченко, Мирский, Слепак, Хаснулин, Яблочкин

МПК: B23K 13/01

Метки: высокочастотной, сварки

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ СВАРКИ изделий типа "ребро-поверхность", содержащее источник питания током высокой частоты, токоподводы и вкладыш из немагнитного материала с высокой электропроводностью, выполненный в виде короткозамкнутого витка, внутри которого размещен магнитопровод, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества сварки и качества готовых изделий путем сокращения длины зоны нагрева поверхности, часть токоподвода к ребру выполнена в виде шины, навитой на магнитопровод короткозамкнутого витка, в таком направлении, что ток, индуцированный в короткозамкнутом витке, на стороне, обращенной к поверхности, протекает в противофазе со сварочным током, протекающим по поверхности, а ширина этой стороны короткозамкнутого витка...

Номер патента: 1690240

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Быховец, Золотарь, Ковалев, Лахвич, Левченко, Мелащенко, Петрусевич, Сорочинская

МПК: A01N 25/00

Метки: ephestia, kuehniella, композиция, феромонная

ФЕРОМОННАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ EPHESTIA KUEHNIELLA L. , содержащая цис-9, транс-12-тетрадекадиенилацетат, отличающаяся тем, что, с целью повышения аттрактивной активности, она дополнительно содержит смесь 3-октадеканоилокси-4(6)-карбометокси-5,5-диметил-2-циклогексен-1-онов в соотношении 1: 4 по массе соответственно при следующем соотношении компонентов, мас. % :Цис-9, транс-12-тетрадекадиенилацетат 30 - 36Смесь 3-октадеканоилокси-4-карбометокси-5,5-диметил-2-ци-клогексен-1-он и 3-октадеканоилокси-6-карбометокси-5,5-ди-метил-2-циклогексен-1-он в соотношении 1: 4 по массе 64 - 70

Номер патента: 1679675

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Быховец, Золотарь, Ковалев, Лахвич, Левченко, Мелащенко, Петрусевич, Сорочинская

МПК: A01N 25/00

Метки: ephestia, kuehniella, композиция, мельничной, огневки, ферромонная

ФЕРРОМОННАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ МЕЛЬНИЧНОЙ ОГНЕВКИ EPHESTIA KUEHNIELLA L. , включающая цис-9, транс-12-тетрадекадиенилацетат, отличающаяся тем, что, с целью повышения аттрактивной активности, она дополнительно содержит 2-октадеканоил-4-карбметокси-5,5-диметилциклогексан-1,3-дион при следующем соотношении компонентов, мас. % :Цис-9-, транс-12-тетрадекадиенилацетат 29 - 372-Октадеканоил-4-карбметокси-5,5-диметилциклогексан-1,3-дион 63 - 71