Способ получения изделий из высокотемпературного сверхпроводящего материала
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(и) 1829812о 1 ь зя 1 г з 9 г 4 5 СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИКГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВ ОМСТВО СССР ГОСПАТЕНТ ССС ед ( Р)г) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН к авторскому свидетельст Р; КиевсПДякин нко ВМ Зцрегсопй . с обе 1 у,ИЗ ВЬ М(71) Институт химии поверхности АН УСкий государственный педагогический инимАМ. Горького(Я) 1, Заявка ЕПВ (ЕР) й 0309169, кп39/24, 1989.2. Гцчегег РА, Зппваяап ТТ, йеейагпНесФпса 1 Мацпебс апб рйуяса 1 ргорейевтВагСц,О ЯцрегсопбцсФог / Ро 3 упегСогпровйев. Яеа Орд 1988. СегапюсЕбВог Ьу Мап Г, тап. ТЬе агпепсап СегагпВевевйе, Опю, 0 А(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ СОКОТЕМПЕРАТУРНОГОСВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА(57) Использование: для создания сверхбыстро - действующих ЭВМ нового поколения, сверхчувствительных датчиков злектронных приборов детек - торов СВЧ, криомагнитных экранов и др. Сущность изобретения: способ включает смешивание порошка высокотемпературного сверхпроводящего мате- риала и прессование, Новым является то, что в качестве порошка высокотемпературного сверхпроводящего материала берут порошок состава (РЬ В ) Са Зг Сц О,. в качестве полимера берутх 1-г г г зпалихлортрифторэтилен в количестве 10-25% от массы композиции, а прессование ведут при температуре 503-523 К и давлении 96-230 МПа в течение 5-30 мин. 1 табл.Изобретение относится к получению сверхпроводящих материалов, в частности высокотемпературных сверхпроводников, и может быть использовано для создания сверхбыстродействующих ЭВМ нового поколения, сверхчувствительных датчиков электронных приборов, детекторов СВЧ, криомагнитных экранов и др.Целью изобретения является повышение магнитной восприимчивости.Для осуществления способа брали порошок ПХТФЭ промышленного производства марки П (ТППК) ГОСТ 13744-68 и порошок ВТСП (РЬхВ 1-х)2 Са 28 г 2 СозОу с размером частиц 1-5 мкм, полученный из порошков РЬО, ВЬОз, ЗгСз, СаСОз, СвО класса "ОСЧ", После диспергирования и гомогенизации в шаровой агатовой мельнице шихта повергалась термообработке при 1073 К в течение 16 ч, а затем прессовалась в цилиндрические заготовки диаметром 10 мм и толщиной 1-2 мм под давлением 3000 МПа. Твердофазный синтез проводился при 1118 К в воздушной атмосфере в течение 324 ч, Иэмельчение полученной керамики ВТСП вели до размера частиц 1-5 мкм, Полученный порошок ВТСП известного состава смешивали с порошком ПХТФЗ.Смесь ПХТФЭ и ВТСП с необходимым содержанием компонентов смачивали этиловым спиртом, Полученную суспензию перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта, Образцы для исследования изготавливали методом прямого горячего прессования, Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым обогревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку температуры пресс-формы при заданной температуре и охлаждение. После прессования определяли относительную магнитную восприимчивость полученных образцов ВТСП с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц, Измеряли мнимую часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.П р и м е р 1. 16 г порошка ВТСП формулы (РЬхВ 1-х)2 Са 23 г 2 СизОу и 4 г порошка ПХТФЭ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем приготовленную смесь загружали в пресс-форму, нагревали до 513 К, прессовали под давлением 130 МПа в течение 15 мин, магнитная восприим 10 чивость при 78 К составляла - 0,69 от.ед(пример 1 таблицы).П р и м е р ы 2-5, Поступали так, как описано в примере 1, за исключением того, что изменяли соотношение ПХТФЭ и ВТСП в приготовляемом материале. Состав и свойства приведены в примерах 2-5 таблицы. В пределах заявляемого интервала содержания компонентов (примеры 2-3) цель достигается, За пределами заявляемого иитервала(примеры 4-5) - цель не достигается 20 П р и м .е р ы 6-9 Поступали так, как описано в примере 1, за исключением того, что изменяли температуру прессования. Если температура прессования выше (пример 8) или ниже заявляемого интервала (пример 9), то цель не достигается. В пределах заявляемого интервала температур цель достигается (примеры 6 и 7).П риме ры 10-17. Поступали так, как описано в примере 1, за исключением того,что изменяли давление и время прессования. Если давление прессования киже (прилее 30 мин (пример 17) не обеспечивает достижение поставленной цели.П р и и е р 18 (прототип). В примере 18 таблицы приведены данные по магнитной восприимчивости для лучшего образца про 40 тотипа 12,Таким образом, заявляемый способ позволяет получить иэделия из ВТСП практически любой формы с достаточно высокими 45 показателями магнитной восприимчивости(до - 0,69 отн.ед,), Способ технологичен иможет быть реализован на стандартномоборудовании,мер 12) или выше заявляемого интервала (пример 13), то цель не достигается. Время 35 . прессования менее 5 мин (пример 16) и боМагнитная восприимчи Состав материалов, мас. Режимы прессования Номер вость при 78 К, отн,Р,МПа ВТСП Время, мин ПХТФЭ Т,К ед. 513 513 513 513 513 503 523 497 528 513 513 513 513 513 513 513 513 каучук 2575 13,8 24 ч,- 0,55 комн. магнитной восприимчивости, в качестве порошка сверхпроводящего материала используют порошок состава (РЬ ВИЩ Са 2 Яга СозОу, в качестве полимера ис. пользуютполихлортрифторзтилен в количестве 10 - 25 от массы композиции, . а прессование ведут при .температуре 503 - 523 К и давлении 96 - 230 МПа в течение 5 - 30 мин,Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий смешивание порошка сверхпроводящего материала и полимера с последующим прессованием, отличающийся тем, что, с целью повышения Составитель П.Горбик Техред М.Моргентал . Корректор М. Керецман Редактор С,Кулакова Заказ 56 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035, Москва, Ж, Раушская.наб., 4/5
СмотретьЗаявка
5003279/25, 01.07.1991
Институт химии поверхности АН УССР, Киевский государственный педагогический институт им. А. М. Горького
Возный П. А, Галушко Л. В, Горбик П. П, Дякин В. В, Лавандовский В. В, Левченко А. А, Огенко В. М, Чуйко А. А, Янчевский Л. К
МПК / Метки
МПК: H01L 39/12, H01L 39/24
Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего
Опубликовано: 27.03.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1829812-sposob-polucheniya-izdelijj-iz-vysokotemperaturnogo-sverkhprovodyashhego-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения изделий из высокотемпературного сверхпроводящего материала</a>
Предыдущий патент: Подающий элемент для измерительной головки
Следующий патент: Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора
Случайный патент: Ограничитель для сухожильного шва