Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме

Номер патента: 1580852

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Зыков, Качанов, Марущенко, Фареник, Юнаков

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, диэлектрических, мишеней, поверхностей

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ В ВАКУУМЕ, включающий бомбардировку мишеней ускоренным пучком положительных ионов и компенсацию заряда электронами катода-нейтрализатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет улучшения однородности обработки и снижения вносимой дефектности, на поверхность катода-нейтрализатора подают положительный потенциал (B), выбираемый из выражения5 kТ e < E; < U,где k постоянная...

Номер патента: 1401918

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Лантратова, Любин

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, мишени, распыления, стеклообразных, халькогенидных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий нанесение на электропроводное основание суспензии порошка халькогенидного материала, сушку, оплавление порошка, отжиг полученной заготовки с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса, перед нанесением суспензии порошка халькогенидного материала на часть поверхности основания наносят суспензию порошка оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм с последующей сушкой и оплавлением порошка при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка в течение 30 - 40 мин и охлаждением, нанесение суспензии порошка халькогенидного...

Номер патента: 1494559

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Бердников, Казаков, Кудряшов, Куфирин

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, мишени, распыления

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ, включающий выполнение углубления в основании мишени, расплавление распыляемого компонента и заполнение им углубления с одновременным охлаждением основания, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения его производительности, распыление компонента осуществляют после заполнения им углубления основания мишени в плазме магнетронного разряда.

Номер патента: 1787685

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Пастощук

МПК: B22F 3/12

Метки: вакуумного, мишеней, распыления, установок

...прессуют в пресс-формах иобжигают с различным чередованием этихопераций,Недостатком этих способов является то,что в изготовленных мишенях возникаюттермические напряжения в процессе распыления, что приводит к растрескиванию мишени, Эффективное охлаждение мишени повсей толщине невозможно из-за глохой теплопро водности, обусловленной пористо стью мишени,.Целью изобретения является повышение термостойкости мишени путем добавкив шихту порошка алюминия и проведенияспекания при температуре 680 + 20 С,П р и м е р. Порошок чистого алюминиясмешивают с исходным инертным наполни(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ ДЛЯ УСТАНОВОК ВАКУУМНОГО РАСПЫЛЕНИЯ телем (Ай, ЯЗ)ч 4, ВК, А 20 з и с спекания заготовки осуществл фере кислорода или смеси к...

Номер патента: 1124046

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Дубровский, Заблудовский, Найденов, Фишман

МПК: C23F 13/00

Метки: анодный, защиты, катодной, коррозии, резервуара, узел

...в нижней частиподпятника выполнены отверстия.На чертеже изображен анодныйузел для катодной защиты от коррозииЭ 11240В резервуаре 1 с наклонным (например, коническим) днищем 2 и переменным уровнем электролита 3 зафиксиро-т вана в перекрытии резервуара в вертикальном положении изолированная удерживающая конструкция 4 (неметаллический стержень), снабженная в нижней части .изолированным полым ограничителем, например,утолщенией 5 со сквбэными отверстиями 6. На конст О рукции 4 с зазором 7 насажен трубчатый анод 8 (например, стандартный углеграфитовнй электрод марки ЭГТ, состоящий из трубы и соединителя - токоввода, либо гирлянды из таких 15 электролитов), причем его верхний торец 9 расположенвьппе максимального торца 10, а нижний торец 11...