Способ определения параметров мдп структуры

Номер патента: 699454

Автор: Боханкевич

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ Союз Советскин Соцмалметнчеовм Республик(51) М Клб 01 К 31/26 Государатеенный комнтет СССР по делам нзооретеннй н отнрытнй(72) Автор изобретения В. И. Боханкевич 1 сЧ й -..л 654) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРО МДП СТРУКТУРЫИзобретение относится к контролю свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано при производстве МДП трацзцсторов и интегральных. микросхем.Известен способ определен я па,а.,етров диэлектрка путем изменения приращения напряжения плоских зон 1;н в результате воздействия постоянного напряжения в течение нескольких минут без дополнительного воздействия высоких температур. Однако этот способ предусматривает приложение к МДП структуре постоянного напряжения, вызывающего электрическое поле, сравнимое с полем, вызываемым рабочим напряжением, но не позволяет активизировать в диэлектрике примеси-загрязнения с большой энергией активизации.Известен также способ контроля электрических свойств МДП структуры, заключаюгцийся в подаче на нее импульсного напряжения положительной полярности с изменяемой амплитудой и длительностью измерения тока, протекающего через структуру. Однако такай способ нельзя применить для контроля зарядовои стабильности диэлектрика МДП транзистора.Целью изобретения является расширениевозможностей способа и применение его для контроля зарядовоц стабильности диэлектрика М,П,"аззц,тора.Это достигается тех;, что измеряют дрейфвольт-амерцо 1 х;-". актрцстцкц транзистораа прц цодацс на его затвор импульсов длительностью не более 2 мкс.В результате активации заряда в диэлектрике под воздействием электрического поля, создаваемого от импульса напряжения, можно в процессе наблюдения выходной вольт-амперной характеристики 1 ат (1-1 т)% з= сопз(/р- или и-канальных МДП транзисторов измерять дрейф этой характеристики.Использование импульсов малой длительности не приводит к развитию процессов пробоя диэлектрика, в то же время по ляризация диэлектрика, протекание токовутечки и токов смешения способствуют лучшей ионизации примесей-загрязнений в диэлектрике. Отсутствие воздействия высо699454 Формула изобретения Составитель Г. Дозоров Техред О. Луговая Корректор Н,.Задерновская Тираж 1073 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор А. МорозоваЗаказ 7216(49 ких температур позволяет осуществлять контроль зарядовой стабильности диэлектрика МДП транзисторов в готовой схеме без разрушения ее элементов. Приложение воздействия в течение короткого времени позволяет совместить метод контроля стабильности диэлектрика МДП транзисторов с измерением выходных параметров транзистора в технологическом процессе. Способ может быть использован и для МДП конденсаторов, если в качестве контролируемого параметра использовать напряжение плоских зон. Параллельный сдвиг сток-затворник характеристик под воздействием импульсных напряжений как и, так и р-канальных МДП транзисторов указывает на изменение только порогового напряжения. Это позволяет перейти от изменений величины 1 ст в пологой области к Ь 1.1 о-пороговому напряжению и к плотности заряда Х 55 по расчетным формулам.Пример реализации способа.Контролю подвергают и и р-канальные МДП транзисторы, выполненные в интегральном исполнении как дополняющие с шириной канала 100 мкм и длиной 10 мкм. Диэлектрик затвора состоит из двух слоев: 1000 А термический ЯО 2, и 250 Х - фосфорносиликатное стекло. На затвор подают импульсное напряжение ам пли". удой , 100 В, длительностью 1,0 мкс, частотой 100 Гц в течение 40 с.Дрейф порогового напряжения для п-канальных МДП транзисторов составляет - 1,5 В, а для р-канальных +8,5 В, что сс ответствует плотности заряда в диэлектрике 10м и 6 10 зм. Способ определения параметров МДПструктуры, заключа:ошийся в подаче на нее 15 импульсного напряжения положительной полярности с изменяемой амплитудой и длительностью и измерении тока протекающего через структуру, отличатоцийся тем, что., с целью расширения возможностей спосо.ба и применения его для контроля зарядохи вой стабильности диэлектрика МДП транзистора, измеряют дрейф вольт-амперной характеристики транзистора при подаче на его затвор импульсов длительностью не более 2 мкс,

Смотреть

Заявка

2391103, 23.07.1976

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6429

БОХАНКЕВИЧ ВЯЧЕСЛАВ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структуры

Опубликовано: 25.11.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-699454-sposob-opredeleniya-parametrov-mdp-struktury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров мдп структуры</a>

Похожие патенты