Способ определения концентрации носителей тока в полупроводниках

Номер патента: 744383

Авторы: Дорская, Лымарь, Поляков

ZIP архив

Текст

1 (1 744383 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик"осударственный комитет СССР по делам изобретений н аткомтнй(72) ЛВ горь изобретения 1. Ф. Лымарь, А, 6. Полянов и Е, Н. Дорская(71) Заявитель 51) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ(Я, Я10 Изобретение относ(ггся к области измерения свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления полупроводников,Известен способ определения концентрации носителей тока, основанный на эффекте Керра и заключающийся в освещении но.тупроводнттка монохроматттчсскнм светом, помещении его ь атаги(гное ноле и рс(нс- рации поворота поляризации излучешя, отраженного от полупроводника 11,Известный способ требует сложной измерительной аппаратуры, что сшжает надежность контроля и удорожает исследования.Известен способ определения концентрации носителей тока в полупроводниках, заключающийся в нропускашш перс(пенно о тока через диод и измерснги значсшш тока и напрюкения на нем 21. Данный способ не обеснечивае высокой точноси измерений, что связано с влияшсм наразн(ных емкостей измерительной цепи.Целью изобретешг явлетс повышение точности измерений.Поставлеш(а цель достигается тем, что контро;ь тока н нанр 5(женн 5 п 1 тонзводяг нрн двух частотах ш(таю цего тока, раз.(;- чающихс нс менее, чем в трн раза.11 а фиг. 1 нзоорае(о устр(1 ст(, реа,(нзующее описыьасмый способ; на фнг. 2 зависимость величины обратной емкости от ооратного напряжения.Устройство содержит нагрузочное сопрот.пление. 1, сопртивление 2 тонкого слоя, диод 3. Напряжение высокочастотного сигнала на выходе схемы (фиг. 1) пропорцио(а,(ьно нсгнниой емкости диода 3 где ,( - напряжение высокочастотного сн 15 нала на выходе схемы;С -- емкость диода;о - круговая частота;Л( - последовательное сопротивлешгсто(ого с,(оя20 Й - нагрузошгое сопротнвленнс 1 всхеме;Ь, - напряжение высокочастотного сигнала на входе схемы.Однако что предположение приводит коол. шой но решностн прн определении кондцентрпни, так как имеется большое последовательное сотротивг(сине топко. о слояР(. которое необходимо учесть.Измсрс ше напряжения высоочастотного ",0 си гни,а на ЛВх асотак позволяет иолу( - 1 Формула пзоорстсппяЦОсоо ОРСДС.1 с 1 П 53 коЦ(.1 тРГпп ПИ(31 С,е 11 1 Ика Б;олч 13) 01)Г)Д 11113:, в 1 Е;1 10 Ч а Ю щппс 51;3 про 1 ск 313111;(ере)С 133030 Ика ЧСроз дпо, 3 пз;5 ср(.и(;531 ачспи 1 ое 3 3 1(ив3)рюкеп 351 в см, отл и а ищи и си тем, (О) (ГИ, С ЦС;Ь 10 П 13 Ь 1 И.СП(;53 1 И(иСи 1 3 СРС)пи), кОП 1 рль 1 Ока 1 п 3 ир 51 жспп 51 пр 031 зв- Д 513 прп д)3 у: )асГ(,тд." питаюцсО тока, р)1:3 Г 1 Ч:310 Ц 1.с 53 3 С:(1 С(1 СС, ЧСЪ в зрп р 3;)а.Исто пик 3 1 пфрмап)3.и 3) 3 313 5 т ь с в О 13 и и м 3111 с Г р и э к с и с р т:3 с1. Лвторскск сви;стельст 3 ГГГР3;3 М 468198, кл. Г) 01 К 31,26, 197).2 Ватав 1 В. В. КОЗрГь )ар)метровП 1(П/)Г)130;31111,Оп 1,1 .(1 аСР 1 ЯГ 1)В И ЭППТ;(Кс 33,1111 ь.; сг)ос 3, .(1., Г,3303(кис Рь117, с. 38 13 Рг 3133). аУ,(Л22)Ь 2Г 2 обратное напряжение иа диоде 3;относительная диэлек 3 3) 31ес)351проницаемость исследуемого материала;диэлектреска 51вакуума;площадь диода 3;заряд электрона. где с 72Я -ПРОПП )С:)10 СТ 3 Отсюда истинная емкость диода: к)торая 3,103)в.5 етс ф1)лу, для 1:)ДЕЛ С П П 51 КОЦЕ 1 Т 3 а 113 3 3 3; Ли)311 с 3 с 31331333 ем 30( Г: иявил)303 п 1)е,(,3313 ь Р 3(гп 1)(,30,3пс кп 1 и 31)(п пи пгп 3()цп 3 (и и(,3(53. ;(0( 3)( и 33(3 33 3(.1 -и( 3 и (3 л, , ч к(3 3, 1) 3 1(ип (и 1)(Д( Г 5(Г 3 (и3(3 цс 31 РГ(31,3353 п 0313 слеп;31(Р)1 Л 13 ф)РМУЛ С (О) И ПРО, С,1 ЯС 1 СЯ С 0 3 (013 Сии(.:)1:6) О Толщ 5 на тонкого слоя и определяется по перегибу иа кривой (см, чертеж):Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 023/13 Изд.354ПО Поиск Государственного комитета С113035, Москва, 1 К-З 5, Р Тирак 1033 ССР по "слэм изоб эушскэя пэй., д. 1/5 Попппспос тсппй и отк 1 п,тпй

Смотреть

Заявка

2510747, 20.07.1977

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3562

ЛЫМАРЬ ГРИГОРИЙ ФЕДОРОВИЧ, ПОЛЯКОВ АЛЕКСАНДР БЕРКОВИЧ, ДОРСКАЯ ЕВГЕНИЯ НИСОНОВНА

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

Опубликовано: 30.06.1980

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-744383-sposob-opredeleniya-koncentracii-nositelejj-toka-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации носителей тока в полупроводниках</a>

Похожие патенты