Боханкевич

Номер патента: 767673

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Барышев, Боханкевич, Столяров, Цветков

МПК: G01R 31/12, G01R 31/26

Метки: диэлектрике, мдп-структур, микропробоя, неразрушающего

...напряжения, а выход -к коммутатору, включенному между генератором испытательного напряженияи испытуемой МДП-структурой, котораясвязана с генератором йспытательногонапряжения через последовательно соединенные усилитель-детектор микропробоя и шунтирующую блокировку.Такое устройство обеспечивает подачу на испытуемую МДП-структуру знакопеременного испытательного напряжения и измерение напряжения микропробоя в диэлектрике структуры без ееразрушения.На чертеже приведена бЛок-схемапредлагаемого устройства.Устройство содержит генератор испытательного напряжения 1, выполненный в виде генератора однополярныхимпульсов, нуль-орган 2, коммутатор 3,испытываемую структуру 4,усилитель-детектор пробоя 5, шунтирующую блокировку 6,...

Номер патента: 699454

Опубликовано: 25.11.1979

Автор: Боханкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структуры

...МДП транзисторов измерять дрейф этой характеристики.Использование импульсов малой длительности не приводит к развитию процессов пробоя диэлектрика, в то же время по ляризация диэлектрика, протекание токовутечки и токов смешения способствуют лучшей ионизации примесей-загрязнений в диэлектрике. Отсутствие воздействия высо699454 Формула изобретения Составитель Г. Дозоров Техред О. Луговая Корректор Н,.Задерновская Тираж 1073 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор А. МорозоваЗаказ 7216(49 ких температур позволяет осуществлять контроль зарядовой стабильности диэлектрика МДП транзисторов в...