G11C 17/00 — Постоянные запоминающие устройства с однократным программированием; полупостоянные запоминающие устройства, например с ручной заменой информационных карт

Номер патента: 1451774

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Дагуров, Еремин, Пузанов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...соеает ее и выдает сигнал динены с первыми входами элементовмента И-НЕ 6, на выходе И-ИЛИ, вторые входы которых соединеявляется сигнал, разре- ны с выходом элемента НЕ, третьихождение через элемент входы элементов И-ИЛИ соединены сформационного слова от выходом элемента И-ИЛИ, вьп:оды кото 1, и на выходе устройства рого соединены с выходами элементаинформационное слово, НК и первого блока свертки по модулюторого представляют собой два, выход второго блока сверткиот информационных слов 55 по модулю два, соединен с входом элепителей. мента НК,Тираж 55 В ПодписноеПроизв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ВНИИПИ Заказ 7086/51 Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминакицим устройствам, и может быть...

Номер патента: 1453447

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Терзян, Торосян

МПК: G11C 17/00

Метки: блоков, памяти, постоянной, программирования

...на вход триггера 30 только тогда, когда код адреса строки проверяемой ячейки памяти блока 5 не совпадает с содержимым регистра :2 адреса неисправной строки (игнорируется ошибка этой строки,. так какона должна быть заменена). Если иа триггере 30 фиксируется логическая "1" (обнаружена ошибка еще в однойстроке блока 5), то происходит сбросустройства.в исходное состояние черезэлементы ИЛИ 43, ИЛИ-НЕ 44, триггер 36, и на выходе 10 выдается сигнал "Конец работы".Если на триггере 30 до конца проверки блока 5 не фиксируется ошибка, то сигналом с вькода регистра 1 по .входу 25 блока 8 через элемент И-ИЛИ38 содержимое счетчика 34 увеличивается на единицу и устройство переходит на второй режим работы "Прог-:раммирование неисправной строки"...

Номер патента: 1456994

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Алферьев, Васильева, Кочкин, Радиевский, Шунин, Щербаков

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающих, постоянных, программатор, устройств

...записывается про гр амма временной ди агр азы, Впрограмируемый таймер 11 заноситсякод необходимых временных задержек всоответствии с частотой дискретизации, После этого происходит запусктаймера 11 по сигналу от микроЭВМ,который включает блок 12, Информацияс выхода блока 13 управляет силовымиключами блока 7 и выдачей информациис регистров 2 и 4,Длительность интервалов временнойдиаграммы формируется с помощью программируемого таймера 11, который назаданное время блокирует прохождениетактовой частоты для считывания оперативной памяти, Блок 12 запуска со"держит триггер признака программиро-.вания, который устанавливается призапуске блока оперативной памяти ипереключается обратно по окончаниицикла программирования по сигналу стаймера 11,По...

Номер патента: 1471222

Опубликовано: 07.04.1989

Автор: Вохмянин

МПК: G11C 17/00

Метки: емкостного, запоминающего, накопитель, перепрограммируемого, типа, устройства

...раз" рядных шинах и жестко связаны с адресными шинами. Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств, для которых важным Фактором является воэможность смены информа-ции эа короткое время.Цель изобретения - упрощение накопителя и сокращение времени перепрограммирования.На фиг. 1 представлен Фрагмент накопителя; на Фиг, 2 - конструктивное выполнение разрядных шин с элементами связи.Накопитель содержит адресные 1 и разрядные 2 шины, элементы 3 связи ,:емкостного типа. Разрядные шины 2 выполнены в виде круглых стержней с кольцевыми канавками 4, равномерно расположенными по всей длине стержня. Наружная поверхность стержня покрыта электроизоляционным материалом 5, например стержни...

Номер патента: 1472949

Опубликовано: 15.04.1989

Автор: Агеенко

МПК: G11C 17/00

Метки: логическая, матрица, программируемая

...1.-горазряда присутствуют следующие потенциалы: 0,3 " Х; = 0,3 - 0,1= 0,2 и.0,7 - Х; =.0,7 - 0,9 =. -0,2или 0,3 - Х; = 0,3-0,8.= -015 и0,7 - Х; = Об 7 Об 2 = Оф 5В случаеХ,. = 0,1 открыт транзистор 8 связи, соответствующий прямому входу Х;, .в случае Х; = 0,8 открыт входной транзистор 8 связи, соответ" ствующий инвертированному входу Х Чем больше отклонение входного сигнала Х от заданной величины в элементе И, тем большее падение напря-, жения он вызывает на суммирукицем резисторе 9. Вес разряда в общей сумме определяется резистором 7 связи,Таким образом, на выходах 19 элемента И 2 присутствуют различные по величине сигналы, при этом наибольший выходной сигнал одного из элементов И говорит о наилучшем совпадении входного кода с...

Номер патента: 1474741

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Герго, Иваськив, Черная

МПК: G11C 17/00

Метки: констант, формирования

...второй счетчик 1 О. На вы О ходах первого счетчика появляются необходимые для формирования соответствующей части константы наборы двоично-кодированных сигналов, представляющих собой значения переменных, ко торые подаются на информационные входы модуля 3, Число выходов первого счетчика определяется числом разрядов формируемой части константы. Переключение в процессе работы устройства 3 О первого счетчика в нулевое исходное состояние означает, что процесс формирования соответствующей части константы завершен. Каждый раз, когда счетчик обнуляется, содержимое второго счетчика уменьшается на 1. Далее осуществляется выработка сигналов, необходимых для формирования следующей константы. Зтот процесс продолжается до тех пор, пока содержимое 4 О...

Номер патента: 1481858

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Колобов, Олендский, Рудый

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...3 3 УРСВсНЬ КО 13а 3 гее 3,э ЭТОГО уцрав с 3 БЕГ(1 С 33 Г 13 Ххс 1 ргЭ(рЕГ 3 ЕЗП(я ЭЗПИСИ, 3 ОСТУПа 3 ЕГО ЦЯ ГЕГН 3:" ВХОД элемента Ии сигнал. а выходе элемента ИК 9 (,4 и(г,2), активна 31 уровень которого Формируется в ответ Ца ГГРанцс 13 Ц(Я( К 1 Д аДРЕСа ПОСТОЯННОГО запоминау 1 пхего устройства, выэывает Формирование 33 з выходе элемента И 0 и соответственно цз выхоссе селектораномера порта вынода цчтул ьса, уровень котсрого соотнетствует потенциалу логического цу;1 я, а длительность равна длительности управляк 33 хего сигнала записи элемента вывода (Ф 33 г.5 в). По заднему нараста 3333 ему Фронту этого импульса проиэводцтся Фиксация кода даних и выбор номера матрицы памяти 3;Ф 33 г.5 д(е н блоке 3 управления паня; 3 э. а (том ге 3 и...

Номер патента: 1499404

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Лапидус, Малинин, Медников, Нечаевский

МПК: G11C 17/00

Метки: блок, запоминающего, памяти, полупостоянного, устройства

...нарушена, то это напряжениеостается неизменным (Фиг. Зг, прямаяХЗ) 15Напряжения, снимаемые с магнито-,резисторов 3, подаются на инвертирующие входы компараторов 10 длясравнения с опорным уровнем, На инверсных выходах тех компараторов 10, 20которые подключены к магниторезисторам 3 с ненарушенной связью вырабатываются импульсы отрицательной полярности с длительностями, равными времени, в течение которого напряжения,снимаемые с магниторезисторов 3,меньше опорного уровня (фиг. Зд,ж,з).На инверсных выходах тех компараторов 10, которые подключены к магниторезисторам 3 с нарушенной связью, 30сохраняется высокий уровень напряжения (Фиг. Зе).По положительному фронту импульса "Чтение" (фиг. За) сигналы с прямых выходов сравнивающих...

Номер патента: 1501165

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Битнер, Буткевич, Деревягина, Лубсанов

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: памяти, ппзу, элемент

...12 или 4 В и длительностью 10 фс, причем полярность верхнего электрода положительная. Считывание импульсом напряжения той же полярности амплитудой 1 В и длительностью 1 мкс. При подаче импульса напряжения обратной полярности в приповерхностной области полупроводниковой основы слояформируется обедненный основными носителями участок, на котором падает большая часть прикладываемого напряжения и переключения соответственнометром 16 мм. Поперечный размер волокон составляет в среднем 1 мкм,расстояние между ними 5 мкм. Формула изобретения Составитель С. Подорский М. Недолуженко Техред Л,Олийнык Корректор М. ПожЗаказ 4878/50 Тираж 558ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени113035, Москва, Ж, Раушска одпи ГКНТ м и открытия наб, д, 4/5...

Номер патента: 1506484

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Лапидус, Малинин, Медников, Нечаевский

МПК: G11C 17/00

Метки: блок, памяти, пзу, трансформаторного

...должно составлять порядка 10.,Разрядные шины для параллельного счи" 35 Этот поток индуцирует втывания информации соединены непосред- тывания напряженияственно с выходами схем сравнения(интегральньгс компараторов). а шинапоследовательн. о вывода информацииподключена к вьгходу элемента ИЛИ, Шины 4 считывания при записи единицыпрошивают магнитные линии 1, а призаписи нуля их огибают,Блок памяти работает следующимобразом.При вь 1 боре одной из адресных шин3 на обмотку 2 возбуждения соответствующей магнитной линии 1 подаетсяимпульс напряжения, в результате чего в ней возникает магнитный поток,определяемьп из соотношениягде координата Х отсчитывается от обмотки возбуждения (фиг. 2);- -цК - постоянная распрост =ранения магнитнойлинии; Из...

Номер патента: 1522288

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Андрейкив, Матвийкив

МПК: G11C 17/00

Метки: записи, информации, нормально, памяти, перемычке, плавкой, разомкнутой, элемент

...температура нагреване превышала температуру испаренияматериала плавкой перемычки 3.Чтобы избежать расплавления, перемычек 3 соседних элементов памяти,диаметр луча не должен превышать длину плавкой перемычки 3.На контактные площадки 2 подаютпостоянное напряжение Ч, которое вызывает накопление на краях частей разомкнутой перемычки 3 противоположных по знаку зарядов величиной 226.Еплавленной перемычки 3, Допустив, что части расплавленной перемычки 3 одинаковы и имеют форму полусферы, силу поверхностного натяжения можно определить по формуле:Гн - ц К сугде К - радиус частей расплавленнойперемычки 3,М коэффициент поверхностногонатяжения материала плавкойперемычки 3.В случае использования перемычки 3 из припоя ПСрИн, содержащего 973 1 (оС =...

Номер патента: 1529289

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Алексеев, Вельмакин, Городецкий, Изюмов, Исаев, Ковалев, Росницкий

МПК: G11C 17/00

Метки: информации, памяти, подмены, постоянной

...накопителей 11, 11, 11 З, по сигналу на входе 6 обращения. В зависимости от состояния признаков записи ПЗ 1, П 32, ПЗЗ, поступающих с выходов соответствующих накопителей, на одном из выходов 8 , 8 , 8 Зблока 17 записи формируется единичный сигнал разрешения записи в одиниз накопителей 11, 11 , 11 З (см,таблицу) следующей информации: данных подмены, единичного признака записи с входов 7, а также разрядовдополняющего адреса (А -А) длянакопителя 11, (А-А,) - для накопителя 11, (А-А ) - для накопителя 11 з. Таким образом, разрядностькаждого из накопителей 11 11,11 равна тринадцати.5 152Запись адресов в устройстне можетпродолжаться до тех пор, пока призаписи очередного адреса все признаки записи це окажутся равными единице. В этом случае на...

Номер патента: 1531168

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Вертячих, Рубцов

МПК: G11C 17/00

Метки: считывания

...соединен с входом накопителя,5 выход которого является информационным выходом устройства, о т л и - ч а ю щ е е с я гем, чго,с целью упрощения устройства, в него введены первый, второй и третий триггеры, первый и второй элементы И, генератор импульсов, первый выход которого соединен с синхровходами первого и второго триггеров, второй выход генератора импульсов соединен с вторым и третьим входами первого и второго элементов И, третий вынод генератора импульсов соединен с установочным входом третьего триггера, выход которого является синхронизирующим выходомустройства, выход первого триггерасоединен с первым входом второго элемента И, выход которого соединен свходом начальной установки счетчикаи первым входом начальной установкитретьего...

Номер патента: 1531169

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эа счет туннельного пробоя конденсатора 2 происходит накопление положительного заряда на обкладках 5,т.е, высокого логического уровня("1"). В момент времени гоканчивается, действие высоковольтного сигнала стирания, а в момент с 4 производится отключение выбранных элементов5 153116 1 памяти, В течение интервала времени с -г.4 происходит разряд шины 24 на вход 30, находящийся под нулевым потенциалом, а шины 22 на вход 36, также находящийся в это время под нулевым потенциалом, Начиная с момента времени сз до момента времени происходит повторение цикла стирания, в течение которого элемент 1 10 памяти и другие элементы 1 данной секции накопителя оказываются полу- выбранными по входу 34, а в течение интервала времени с-г они полуныбраны по...

Номер патента: 1531170

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Семенов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...

Номер патента: 1531171

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Абрамов, Гуминов, Демин, Филатов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

...12,15Формула изобретения Накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий ячейки памяти, каждая из которых состоит 2 О из двух запоминающих транзисторов, стоки которых подключены к соответстнующей разрядной шине накопителя, затворы - к соответствующим адреснымшинам первой группы накопителя, а истоки - к соответствующим адресным шинам второй группы накопителя, истоквторого запоминающего транзистора каждой ячейки памяти, кроме последней,столбца накопителя соединен с истоком первого запоминающего транзистораследующей ячейки памяти этого жестолбца накопителя, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью повышения информационной емкости накопителя, он дополнительно содержит в каждой ячейке памяти третий запоминающийтранзистор,...

Номер патента: 1534510

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Вайкан, Черняков

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, предназначено: для построения постоянныхзапоминающих устройств с низкой потребляемой мощностью и являетсяусовершенствованием устройства поавт. св. Р 746730.Целью изобретения является повышение надежности устройства.На чертеже представлена блок-схема постоянного запоминающего устройства,ПЗУ содержит накопитель 1, состоящий из запоминающих модулей 2,первый регистр 3 адреса, второй регистр 4 адреса, первый дешифратор5, регистр 6 признаков, третий регистр 7 адреса со вторым дешифратором 8, формирователи 9, ключевойэлемент 10, триггер 11, источник питания (не показан),Постоянное запоминающее устройство работает следующим образом,В начальный момент времени питание подается на...

Номер патента: 1536443

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Алексеев, Вельмакин, Городецкий, Изюмов, Исаев, Ковалев, Росницкий

МПК: G11C 17/00

Метки: информации, памяти, подмены, постоянной

...блока, 22 записи лог. "1", являющаяся признаком переполнения устройства.4, Нулевой признак записи,в накопителе 1 по адресу Аь - А ь при числе задействованных страниц более 32,В этом случае осуществляется подбор свободной ячейки в блоках 2 и 3 памяти для размещения очередного адреса, чем достигается увеличение числа подмен дефектных ячеек памяти. Подбор выполняется следующим образом:а) переключение мультиплексора 5 по входу 21 на передачу адреса В - В,1, на входы блоков 2 и 3 памяти из блока 22 записи;б) чтение иэ блока 3 памяти поадресу (А о Аье Вб В фо ) эв) если по этому адресу в блоке 3памяти хранится нулевой признак записи, то мультиплексор 5 переводитсяв режим передачи с выходов накопителя 1 и последовательно выполняютсяпункты а, в,...

Номер патента: 1553983

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Далецкий, Ким, Кирпиченко, Мамонько, Прохоренко

МПК: G06F 13/00, G11C 17/00

Метки: памяти, постоянной

...= 2а общий объем памяти группы блоков 12 определяется величинойЧ=7 +Ъ = (2-1) 21 2Разрядность поля имени блока 11 и выходных слов блоков 12 не может превышать разрядности шины 3 данных.При необходимости извлечения массива инФормации под определенным именем процессор 1 последовательно читает слова иэ блока 11, причем поле имени поступает через шину 3 данных51 О в процессор 1 для анализа, а полеадреса записывается по сигналу "Чтение" в регистр 5 и в счетчик 9. Код,поступивший с выходов регистра 5 навходы дешифратора 8, активизирует одиниз его выходов. Сигнал с выхода дешифратора 8 включает один из ключей 6группы и питание от блока 7 питанияподается на соответствующий блок 12.Если анализируемое имя массиване совпадает с требуемым,...

Номер патента: 1571677

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Алексеев, Блинов, Луканин, Чопоров

МПК: G11C 17/00, G11C 29/00

Метки: пзу, программирования

...микросхем, количества попыток записи делается вывод о годности или неисправности (браке) данной микросхемы с соответствующей индикацией нэ блоке 1 В режиме копирования источником адресов и данных является блок 13 (этэлоннэя микросхема). Регистр 2 управления режимами активизирует эталонную микросхему и управляет процессами зэписи-считывания аналогично описанному выше,Формирователи 10-12 обеспечивают соответствующую(предусмотренную техническими условиями нэ данную микросхему ПЗУдлительность импульсов записи, управляющих соответствующими ключами блока 7 ключей, получающих питание соответствующих номиналов и полярности от источника 6 питания. При выполнении формирователя в виде.набораодновибрэторов каждый из них формирует определенную...

Номер патента: 1575240

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Берсон, Княжицын, Лисицын, Марголин, Туниманов

МПК: G11C 17/00, G11C 29/00

Метки: запоминающее, контролем, постоянное

...(одному из М) накопителю 1, Этот "О" запишется в ячейку накопителя 2 по выбранному адресу. Остальные "1" кодовой комбинации не изменят состояние других ячеек данного адреса накопителя 2.В режиме считывания разрешается работа коммутатора 4, который(в соответствии с поступающим на его адресную шину кодом адреса) осуществляет выбор контрольного разряда, считываемого из накопителя 2 и соответствующего слову, считываемому иэ одного из накопителей 1. Выбор накопителя 1 производится дешифратором 5. Считываемое слово и его контрол ьн ы й разряд поступают (п ри подаче разрешающего сигнала на вход 10) в сумматор 3, на выходе которого и, следовательно на контрольном выходе 14 вырабатывается признак исправности.Если после стирания в накопителях...

Номер патента: 1587587

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Беккер, Заколдаев, Щетинин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающих, микросхем, отбраковки, постоянных, программируемых, устройств

...со скоростьк:заряженных частиц из зоны разрушения перемычки; д - заряд частиц.Вектор скорости движения заряженных частиц совпадает с направлением электрического поля. В результате перемещения заряженных частиц возможно образование электропроводящего мостика в разрушенной области перемычки и электроды замыкаются, т. е. запоминающий элемент восстанавливается.В предлагаемом способе отбраковки микросхем путем их электромагнитной тренировки в поле постоянного магнитного поля на движущиеся между электродами пере.мычки заряженные частицы действует сина Лоренца, выводящая эти частицы из зоны разрушения перемычки. Следовательно, в зоне разрушения перемычки исключается возможность создания проводящего мостика из заряженных частиц материала...

Номер патента: 1587588

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Бальжанов, Мухопад

МПК: G11C 11/19, G11C 17/00

Метки: запоминающего, многоуровневый, накопитель, постоянного, радиочастотного, устройства

...разомкнутых на концах полосково-щелевых линий, перекрывающихся подпрямым углом на расстоянии Х/4 от концов.Связь полосковых линий в БД 1, находящихся в разных слоях, осуществляется черезполуволновой 1=1/2 щелевой резонатор 7,прорезанный в слое металлизации (слой Р)за счет составляющих напряженности СВЧмагнитного поля, направленных вдоль щели,Разомкнутые четвертьволновые полосковыешлейфы (слои Р и Е), которыми заканчиваются ПЛ 6 и короткозамкнутые четвертьволновые шлейфы на ЩЛ, образующиещелевой резонатор 7 связи, обеспечиваютпучность этих состав ляющих в центре пересечения линий.Накопитель работает следующим образом.СВЧ-сигнал подается на ПЛ 6 адресного входа, далее с помощью полуволновыхщелевых резонаторов 7, находящихся вслоях Г и Р...

Номер патента: 1587589

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Чернов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...имеют различные геометрические размеры, во всех четырех рассмотренных случаях в процессе считывания на выбранной разрядной шине устанавливаются различные уровни напряжений. Так, если принять отношение длины к ширине канала, например, первого из двух рассматриваемых транзисторов большим, чем у второго, то за счет протекания тока через транзистор 28 со встроенным каналом, на затвор которого при считывании подается низкий уровень напряжения, в первом случае падение напряжения на двух открытых активных транзисторах будет минимальным и на разрядной шине установится наименьший из возможных уровень потенциала (состояние 1 на фиг. 2). Во втором случае оба транзистора закрыты (паразитные транзисторы имеют высокое пороговое напряжение) и...

Номер патента: 1607014

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Прокопенко, Рыжкова, Сидоренко, Тальнова, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих...

Номер патента: 1624527

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Сухачев

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...приемсчитываемой информации в регистр 9, затем стробирует блок 14 контроля, а если на его выходе нет сигнала сбоя, что свидетельствует о правильности считанной информации на выходе 10 устройства, выдает признак "Готовность" на выходе 18 устройства.Так как счетчик 15 адреса не изменяет свое состояние при считывании информации без сбоя, это означает, что при считывании массива информации происходит обращение в одни и те же зоны в модулях 7 памяти, определяемых кодом адреса счетчика 15 (коэффициент пересчета счетчика 15 адреса определяется количеством резервных зон в модуле 1 памяти, в которых хранится одинаковая информация).Если блок 3 сравнения вырабатывает признак сравнения, возможно ускорение выборки иэ накопителя, так как обращение...

Номер патента: 1631606

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Груданов, Сидоренко, Хоружий

МПК: G11C 17/00, G11C 7/00

Метки: авторегулируемый, записи, запоминающих, кмоп-транзисторах, постоянных, программируемых, устройств, формирователь, электрически

...5 модуляции стокового напряжения записи уменьшается до величины, при которой через транзистор 5 на сток транзистора 8 с плавающим затвором передается напряжение, равное напрякению лавинного пробоя р-и-перехода стоковой области, Одновременно напряжение с коллектора транзистора 11 подается на шину 14 выходного сигнала, которая соединена с затвором соответствующих ключевых транзисторов (идентичных транзистору модуляции стокового напряжения записи), которые обеспечивают передачу через последующие цепи дешифрации столбцовых шин на сток выбранных ячеек памяти накопителя напряжения записи, равного по величине напряжению, воздействующему на сток транзистора 8 с плавающим затвором. Таким образом, стоковое напряжение записи ячеек памяти...

Номер патента: 1635218

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Львович, Фастов, Щетинин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное, программируемое

...программирующее напряжение подается на входы блокировки Формирователей 2 выборки слов и через диоды Шоттки и резисторы на коллекторы выходных транзисторов 15 Формирователей 2 и соответственно на адресные шины накопителя 3.При подаче на выход блока 10 контроля от внешнего Формирователя напряжения низкого уровня напряжения, на пример 0 В, все элементы 4 памяти накопителя 3 будут находиться под обратным смещением, В результате если есть утечка коллектор - эмиттер одного из элементов 4 памяти на копителя 3 или утечка между какииилибо адресными и разрядили шинами накопителя 3, то ток утечки будет протекать с последнего выхода блока 6 программирования через диод Шоттки 30 и резистор формирователя 2, адресную и разрядную шины, диоды . блока 1...

Номер патента: 1635219

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Глухов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...накопителя 5 1 О 15 О 25 30 35 40 45 4, закрывает транзисторы 13, которые исключают ложный разряд выбранных шин накопителя 4, вызванный паразитной емкостью межсоединений дешифраторов 2 и 3, и процесс разряда выбранной шины накопителя 4 ускоряется. При этом повышается надежность устройства,Через интервал времени, достаточный для разряда выбранной шины накопителя 4,устанавливается высокий потенциал на входе 20, истоки транзисторов 30 усилителя 5 считывания подключаются к шине 9 нулевого потенциала. На затворах этих транзисторов 30, подключенных к невыбранным шинам накопителя 4, находится низкий потенциал, на затворе выбранного транзистора 30 присутствует низкий потенциал, запирающий этот транзистор 30, если имеется контакт со стоком...

Номер патента: 1635224

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Брик, Дерновой

МПК: G11C 17/00, G11C 29/00

Метки: запоминающее

...показано постоянное запоминающее устройство),Устройство содержит основной 1 и резервный 2 блоки памяти, элементы И - ИЛИ 3, сумматор по модулю два 4, элемент НЕ 5, адресные входы 6 и информационные выходы 7 устройства,Устройство работает следующим образом.В каждом такте считывания на выходах обоих блоков памяти 1, 2 появляются два одинаковых слова, Считанное слово из основного блока памяти 1 проверяется на нечетность (четность) сумматором по. модулю два 4. Если в слове нет ошибок нечетной кратности, то на выходы 7 проходит через элементы И - ИЛИ информация из основного блока памяти 1, в противном случае - иэ резервного блока памяти 2.Для повышения надежности информационные выходы устройства 7 могут быть разделены на группы (например,...