G11C 17/00 — Постоянные запоминающие устройства с однократным программированием; полупостоянные запоминающие устройства, например с ручной заменой информационных карт
Устройство для подмены информации в постоянной памяти
Номер патента: 1645998
Опубликовано: 30.04.1991
Авторы: Вельмакин, Исаев, Огнев
МПК: G11C 17/00
Метки: информации, памяти, подмены, постоянной
...уже занята), то увеличивается на единицу содержимое счетчика в блоке26 записи и осуществляется переход к пункту б рассматриваемого алгоритма. 10 40 45 50 55 15 20 5 30 35 Инкрементирование счетчика в блоке 26 записи продолжается до тЬх пор, пока не будет найдена свободная ячейка в одной из страниц. Если этого не произошло, то на выходе 30 устанавливается признак переполнения устройства.5. Наличие признака одиночной подмены в блоке 1 памяти и прязнака одиночной подмены в блоке 3 памяти. Это свидетельствует о том, что одиночная подмена уже производилаСь,В этом случае по установленному адресу в блоках 1 и 3 памяти записываются признаки двойной подмены, а в блоке 81 памяти - новое слово подмены.6. Наличие признака двойной подмены в...
Постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 1645999
Опубликовано: 30.04.1991
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное
...совпадении пришедшего адреса с заданным на селекторе 8 адреса последний вирабатывает сигнал, разрешающий работу дешифратора 5, блока 9 управления и регистра 7 признаков. С дешифратора 5 на один из формирователей 6 импульса подается сигнал, разрешающий формирование импульса напряжения питания на соответствующей шине питания запоминающего модуля 4 и блоке 11 согласования нагрузки. Блок 9 управления, начиная работу одновременно с дешифратором 5, через время задержки вырабатывает сигнал выключения формирователей 6 импульса и затем сигнал записи выбранной информации в регистр 7 признаков и включения формирователя 1 О разрядного тока, выход которого осуществляет активное рассасывание заряда с формирователя 6 импульса, обеспечивая его более...
Постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 1668996
Опубликовано: 07.08.1991
Авторы: Наджар, Накалюжный, Тарасенко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное
...шаг Ь Удискретизации . У будет больше ЬХ . Еслиже а1, то ЬУЛХ5 Программирование матрицы 3 для реализации прямой функции У=0,4 Х поясняется табл, 1, где указано соответствие междувходами и выходами матрицы (длина входных и выходных слов п=4),10 Программирование матрицы 3 для реализации прямой функции У=092 Х и обратной функции Х=апт 092 У=2 поясняетсятабл, 2, где операнды Х и У представленыдвоичными словами длиной в 5 разрядов.15 Если считать, что с помощью матрицы 3функций 1092 Х воспроизводится с постоянным шагом дискретизации аргумента ЬХ(равным 1), то обратная функция будетиметь переменный шаг дискретизации ар 20 гумента ЛУ . Этот шаг зависит от величиныоперандов АУ=0,5 если 1 У 2;ЬУ=0,25 если 2 У 3;АУ=0,125 если 3 У 4.В общем...
Постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 1679555
Опубликовано: 23.09.1991
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное
...транзистора 30 соединен черезрезистор 31 с источником 9, эмиттер в . сбазой транзистора 30 и через резистор 32 -с эмиттером транзистора 29, являющегосявходом установки опорного напряжения,который соединен с первым выходом первого источника питания, коллектор транзистора 29 является выходом элемента 12, базатранзистора 29 является управляющим входом элемента 12,Блок 13, элемент 15 могут быть выполнены на диодах, включенных соответствующим образом (фиг.2),Схема 14 содержит транзисторы 33 и 34,резисторы 35-39, конденсатор 40 и выполнена по известной схеме дифференциального усилителя с отрицательной обратнойсвязью по высоким частотам.Запоминающие модули могут быть выполнены на микросхемах памяти 556 РТ 7 (допускающих объединение по...
Программируемая логическая матрица
Номер патента: 1695383
Опубликовано: 30.11.1991
Авторы: Горовой, Тихомиров, Шинкевич, Яхимчик
МПК: G11C 17/00
Метки: логическая, матрица, программируемая
...выходами элементов И, появляется активный уровень логической 1, а выходы усилителей 5, связанные с неразряжающимися выходами элементов И, переключаются в состояние логического О. Информация с выходов усилителей 5 фиксируется блока ми 6 временного хранения, на втором выходе 72 последнего блока 6 появляется уровень логической 1, Триггер в блоке 10 переключается в состояние логической 1 на выходе элемента 2 И-НЕ 44, Уровень логического 0 на пятом выходе блока 10 блокирует блоки установки 8, и с этого момента процесс на заряжаемых входных шинах 59 элементов И сменяется их разрядом до уровня. логического О,Уровень логического 0 на первом 71 выходе блока 10 включает транзистор 18 в блоках подзаряда 3 и начинается подзаряд выходов 60...
Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 1695384
Опубликовано: 30.11.1991
Авторы: Коляда, Корнейчук, Легейда, Сидоренко, Юхименко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное, репрограммируемое
...подачи на вход элемента И 19 "0"; сообщение внешнему устройству о регенерации, для5 10 15 20 25 30 исходном сос-о.нни. т,е. на выходах 10 и 12блока 9 управления регенерацией находит чего выход старшего разряда счетчика подключен к управляющей шине 12; г) форми,рование на элементе И 33 импульса запуска для регенерации каждой последующей строки до полного восстановления накопителя; д) при комбинации сигналов 011 на выходе счетчика 31 адреса, т.е. при восстановлении последней строки, завершение регенерации накопителя и возвращение счетчика 31 адреса в исходное состоянии 11,1 путем подачи на входы установки его счетных триггеров сигнала "1" с выхода схемы И 37,Импульс С 1, поступающий на вход элемента И ЗЗ, необходим для...
Способ отработки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств
Номер патента: 1695385
Опубликовано: 30.11.1991
Авторы: Беккер, Заколдаев, Маслов, Фомин
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающих, микросхем, отработки, постоянных, программируемых, устройств
...этого в кристалле 3 возникает градиент температуры.Под действием градиента температуры в кристалле. 3 (фиг,1) возникает поле термомеханических напряжений.В поле термомеханических напряжений деградационные процессы развиваются более интенсивно: происходит локальное перераспределение ионов примеси, образуются группы вакансий, что приводит к появлению микропор, развиваются локальные термомеханические взаимодействия, Кроме того, изменяется ширина запрещенной зоны кремния, сме1695385 Ф,1-Фие. г Составитель С.КоролевРедактор А.Лежнина Техред М,Моргентал Корректор О,Кравцо оеытиям при ГКНТ СССР аз 416 ВНИИ 1 ираж Подпи нного комитета по изобретениям и о 3035, Москва, Ж, Раушская наб 4 осударс Производственно-издательский комбинат "Патент", г....
Запоминающее устройство
Номер патента: 1716570
Опубликовано: 28.02.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее
...1.При состояниях 1 - 3 сигнал 5 равен нулю, что указывает на исправность устройства в целом (несмотря на наличие одиночных ошибок при состояниях 2 и 3), При состояниях 4- 7 сигнал й равей единице, что указывает на неисправность устройства, В этих случаях по сигналам 1 производится останов и последующий ремонт устройства. Поэтому более сложные ошибки (тройные и т,д,) в первых семи состояниях в таблице не указаны и могут не рассматриваться, Предполагается, что сложные ошибки в т,ч, и двойные) возникают в результате постепенного накопления одиночных ошибок запоминающих.элементов накопителей, т.е, что состояниям 4 или 5 предшествовало состояние 2 или 3, состоянйю 6 - состояние 2, состоянию 7 - состояние 3. При состоянии 7 на выход...
Постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 1725259
Опубликовано: 07.04.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное
...сдвигающих регистров 11 и элементов И 13.Таким образом, си гнал ы (им пул ьсы), идущие с выхода элементов 12 задержки и поступающие на первые входы элементов И 13, а также сигнал, приходящий на первый вход элемента И 13, образуют несколько синхросерий соответственно числу элементов И 13. Одноименные синхроимпульсы "соседних" синхросерий сдвинуты один относительно другого на интервал времени, определяемый временем задержки элемента задержки и числом этих элементов.С выходов 8 элементов И 13 поступает по одному одноименному синхроимпульсу от каждой синхросерии, Следовательно, после поступления первого сигнала первой синхросерии на первый элемент.И 13 второй сигнал этой же серии приходит, когда на остальные соответствующие элементы И...
Способ программирования постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1725260
Опубликовано: 07.04.1992
Авторы: Беккер, Волкова, Заколдаев, Кушнер, Миронцев
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, постоянного, программирования, устройства
...связи междуразрушенными частями некоторых потенциально ненадежных элементов схем. Таким образом снижается надежностьфункционирования БИС ПЗУ.Цель изобретения - повышение надежности программирования, 20Поставленная цель осуществляетсятем, что согласно способу программирования постоянного запоминающего устройства, включающего тестированиепостоянного запоминающего устройства, 25подачу на плавкие перемычки разрушающих импульсов тока, контроль записаннойинформации, электротермотренировку идополнительный контроль записаннойинформации, перед подачей разрушающих импульсов тока на плавкие перемычки подают нагревающий импульс тока иодновременно с этим воздействуют однородным магнитным полем, направленным перпендикулярно к поверхности...
Элемент памяти
Номер патента: 1737514
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Маринчук, Поплевин, Трошин, Чекмазов
МПК: G11C 17/00
...предварительного резервирования, значительно упростив его по сравнению с известным,На чертеже приведена схема предлагаемого элемента памяти.Элемент памяти содержит транзисторы 1 - 4, образующие запоминающий элемент, второй ключевой транзистор 5, плавкую перемычку б, первый ключевой транзистор 7, элемент И 8,шину питания 9, вход предварительного резервирования 10, выход 11, шину нулевого потенциала 12, вход разрешения резервирования 13, адресный вход 14,Истоки 3 и 4 транзисторов запоминающего элемента соединены с шиной питания 9, а стоки транзисторов 2 и 3 с затворами транзисторов 1 и 4 и выходом элемента 11, Истоки транзисторов 1 и 2 запоминающего элемента подключены к шине нулевого потенциала 12 и истоку первого ключевого транзистора 7,...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1753491
Опубликовано: 07.08.1992
Авторы: Бирюков, Брик, Крупский
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее
...блоков 11 коррекции, относящиеся к 4-му байту (т,е. по одному сигналу4-го разряда от всех восьми дополнительных блоков 11 коррекции),При случаях, показанных на фиг, 2 д и е,коррекция ошибок не произойдет, т,е; устройство будет работать неверно (кроме того, при тройной горизонтальной ошибке непроизойдет й обнаружение ошибки, а к тремимеющимся ошибкам добавится четвертаяошибка, выработанная основным блокомкоррекции байта, в котором произошлатройная ошибка, которую основной блоккоррекции примет за одиночную). 8 случае,показанном на фиг, 2 е, две ошибки на выходах 17 устройства окажутся откорректиро-ванными (нижняя ошибка - основнымблоком коррекции, а правая ошибка - дополнительным блоком коррекции), а третьяошибка, находящаяся в вершине...
Постоянное запоминающее устройство для многоместных симметричных функций
Номер патента: 1755325
Опубликовано: 15.08.1992
Авторы: Наджар, Накалюжный, Тарасенко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, многоместных, постоянное, симметричных, функций
...напри, ному росту аппаратурных затрат, мер, с использованием микросхем 155 ИР 1,Целью изобретения является снижение блок 2 сравнения может быть построен наоснове схем специализированных модулей,например устройства для выделения максипостоянномзапоминающемустройстведля 25 мального числа. Коммутатор 3 может бытьмногоместных симметричных функций, со- реализован с использованием элементов Идержащем блок памяти, блок сравнения, (микросхем 155 ЛИ 5). Блоки памяти 4,)0=-1,коммутатор и регистр, информационные 3 с) могут быть реализованы на постоянныхзапоминающих устройствах - микросхемах30 568 РЕЗ.Устройство работает следующим образом.Функция от 1 аргументов, инвариантнаясоединены с соответствующими выходами 35 к перестановкам ее аргументов,...
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1756939
Опубликовано: 23.08.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства
...10, затвором которого являетсяадресная шина 3 первой группы, а стоком иистоком - соседние разрядные шины 5 первой группы,Матричный накопитель работает следующим образом,В режиме общего стирания информации на разрядные шины 5 и 6 первой ивторой группы подают высокое положительное импульсное напряжение относительноаДресных шин 3 первой группы, В результате пороговое напряжение всех запоминающих транзисторов 1 становитсяотрицательным, что эквивалентно проводящему состоянию запоминающих транзисторов 1 в режиме считывания информации.В режиме программирования на все адресные шины 4 второй группы подают нулевое напряжение, все ключевые транзисторы2 находятся в закрытом состоянии,На адресную шину 8 третьей группы,шину 9 питания подают...
Элемент памяти
Номер патента: 1600552
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
...для нулевого состоянняаРабота элемента памяти заключает"ся в следующем,5При подаче относительно истоканизкого положительного напряжения(+5 В) ца область 3, на сток - болеенизкого положительного напряжения1-2 В) череэ него протекает ток, обратно пропорциональный эФФективнойдлине канала. С помощью усилителясчитывания величина тока (больйаяили малая) преобразуется в двоичнуюинформацию (единичную или нулевую).При подаче нулевого напряженияца область 3 элементы памяти (Фиг.1,2) находятся в закрытом состоянии,ток через нцх пе протекает,В элементе памяти (Фиг.З) за счет 20размещения области 6 второго типапроводимости обеспечивается наименьщая эФФективная длина канала, наиболь- .шая крутизна вольт-амперной характеристики ив, чем для элементов...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1655242
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...
Элемент памяти
Номер патента: 1667537
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев
МПК: G11C 17/00
...случая полупроводниковой подложки р-типа. Исходное пороговое напряжение элемента памяти близко к нулю. Запись 15 информации осуществляют подачей на электрод затвора (слой 9) элемента памяти относитеяьноподложки 1 импульса положительного напряжения. Амплитуда импульса такова,что с учетом толщины и диэлектрических проницаемостей диэлектрических слоев 4-8 затворной Структуры электрические поля в сверх- тонком слое 4 окисла и нитридно-оксинитридной структуре имеют величины 25 не менее 1 б и 5-8 мВ/см соответственно. Электронный ток через сверхтонкий окионый слой 4 в этих условиях преобладает ад током электронов в нитрид но-оксинитридной структуре и часть ЗО электронов захватывается ловушками этой структуры, что переводит элемент памяти в...
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1669307
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Овчаренко, Портнягин, Серебрянникова, Штыров
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства
...эффективной ширины канала на 0,1-0,3 и 0,4-0,7 соответственно для элементов памяти с состояниями "1,0" и "0,1".Таким образом, для двухбитнцх зле ментов пвмятй с состояниями "1,1; "1,О"; "О, 1"; "0,0" получены следую" щие соотношения проводимостей каналов относительно нелегированного элемента памяти с состояниями "1.,1" с максимальной проводимостью: 1,О, 0,7" 0,9 0,3-0,6, О.Работа матричного накопителя заключается в следующем.В реаимесчитывания информации нв выбранную поликремниевую адресную в 1" ну 5 подают низкое полоаительное напряжение (3-5 В) на остальные адресные шины 5 - нулевое напрякецие. На выбранные металлические разрядные ши- ны 8, к которь 1 м подключены истоки ИДП"транзисторов, в которых, размещен или отсутствует...
Элемент памяти
Номер патента: 1582890
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Багинский, Егоров, Ерков, Косцов, Лихачев
МПК: G11C 17/00
...5 и на границах второго ди- весьма желательно, так как он позвозлектрического слоя 5 с третьим б и ляет в этом случае повысить злектритретьего 6 с сегнетозлектрическим ческую прочность диэлектрической сисслоем 7. содержащих высокую плотность темы и создать дополнительную концепт" глубоких ловушечных центров, происхо- Зр рацию глубоких ловушечных центрон и, дит накопление заряда электронов что таким образом, способстнует улучшепереводит транзистор памяти в непро- нию эффективности записи информацион" водящее состояние с высоким пороговым ных зарядов и их хранению. Однако напряжением. т 1)етий диэлектрический слой б не долСтирание заряда осуществляется при.з 5 жен быть сколь угодно толстым, так ложением к затвору относительно под- как...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1642888
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...
Элемент памяти
Номер патента: 1540563
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев, Талдонов
МПК: G11C 17/00
...заряда. 11 аличие же второгопроводящего слоя 9 из тугоплавкогометалла или его силицида снижаетинжекцию носителей заряда из электрода затвора, что уменьшает компен 50сапию зарядов противоположного знака;иисктированных иэ подложки 1 и электрода затвора. Таким образом, в треть.ем диэлектрическом слое б. и вблизиего границ происходит накопление55преимущественно электронов, что переводит элемент памяти в непроводящее состояние с высоким пороговым напряженим, величина которого существенно превышает величину порогового напряжения в случае высокой цнжекцйон ной способности электрода затвора Энергетическое положение ловушек обеспечивает длительное хранение захваченного заряда, в том числе и при повышенных температурах.Стирание заряда...
Элемент памяти и способ его изготовления
Номер патента: 1767535
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Верходанов, Гладких, Евтин, Латышев, Славнова, Эрмантраут
МПК: G11C 17/00
...область каналатранзистора с переменным пороговым напряжением проводят по маске фоторезиста5 ионную имплантацию мышьяка 6 энергией 100 кэВ, дозой 0,06 мкКл/см до вытравливания отверстий, Затем после снятияфоторезиста и обработки пластин в полученных отверстиях выращивают туннельно-прозрачный диоксид кремния 7реакцией закиси азота с кремнием в РПДреакторе при 700 С, толщиной 18 А, в томже реакторе на всей поверхности пластинывыращивают слой нитрида кремния 8 при700 С, толщиной 600 А разложением тетрахлорида или дихлорсилана кремния в среде аммиака, После формированияконтактов напыляют алюминий 9 и методами фотолитографии формируют металлизированную разводку и затворы транзисторовсхемы, Затем по маске алюминия проводятионную имплантацию...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1794261
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Бирюков, Брик, Крупский
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее
...(при вертикальной тройной ошибке устройство работает правильно, т,к. через соответствующие коммутаторы 9 все ошибочные разряды пройдут откорректированными - от основных блоков коррекции 4.Одиночные ошибки в случаях, показанных на фиг.2 б и в, будут откорректированны обычным путем (как при фиг,2 а),Рассмотрим теперь случаи с двойнымиошибками (фиг,2 г,д).При вертикальной двойной ошибке, показанной на фиг.2 г, она вместе с одиночной ошибкой будет откорректирована обычным образом, как при случае. показанном на фиг,2 а,При горизонтальной двойной ошибке (фиг.2 д) эта ошибка не будет откорректирована тем основным блоком коррекции 4, на входах которого имеется эта ошибка (т.к.обычный код Хемминга только обнаруживает, но не корректирует...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1801227
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Бирюков, Брик, Владимиров, Крупский, Назаров
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее
...11 коммутаторов 9 данной строки пройдут выходные сигналы данного блока .коррекции 6.Откорректированные сигналы 11 с вы, ходов вп коммутаторов 9 без изменений пройдут через сумматоры 12 по модулю два (управляемые инверторы). Это произойдет потому, что выходные сигналы 16 всех элементов И 13 будут равны "0" (так как двойные ошибки отсутствуют, и все сигналы двойных ошибок 8 блоков коррекции 6 будут равны "0"). Таким образом, на выходы 17 управляемых инверторов 12, являющихся выходами устройства, пройдет откорректированный па-разрядный код (и строк по а столбцов) из блоков коррекции 6 группы 4.Рассмотрим теперь показанные на фиг.2, б, в случаи с двойными ошибками.При вертикальной двойной ошибке, показанной на фиг. 2, б, она вместе с...
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 888731
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Колкер, Овчаренко, Портнягин
МПК: G11C 11/40, G11C 17/00
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства
1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены разрядные диффузионные шины второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с частичным перекрытием краев разрядных диффузионных шин, на поверхности которого размещены поликремниевые электроды, каждый из которых выполнен в виде изолированных участков, расположенных параллельно разрядным диффузионным шинам с частичным их перекрытием, на поверхности поликремниевых электродов и первого диэлектрического слоя расположен второй диэлектрический слой, на поверхности которого над поликремниевыми электродами...
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1025259
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Колкер, Овчаренко, Портнягин
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства
МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий запоминающие МДП-транзисторы, стоки которых соединены с одними разрядными шинами, истоки - с другими разрядными шинами, управляющие затворы - с соответствующими адресными шинами, стирающие затворы - с соответствующими шинами стирания, соединенными с общей шиной стирания, а подложки - с общей подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей путем построчного стирания накопителя, он содержит дополнительную общую шину стирания, одни и другие дополнительные МДП-транзисторы, при этом стоки одних дополнительных МДП-транзисторов соединены с общей шиной стирания, а затворы и истоки - соответственно с адресными шинами...
Элемент памяти
Номер патента: 1135354
Опубликовано: 27.05.1997
Автор: Гриценко
МПК: G11C 17/00
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены истоковые и стоковые полупроводниковые области второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости расположены последовательно слои первого диэлектрика, плавающего затвора, второго диэлектрика и управляющего затвора соответственно, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия элемента памяти, в нем слой первого диэлектрика выполнен из SixGe(1-x)O2 с переменным по толщине составом, где x 0,23 + 3,7 10-3
Электронно-лучевое постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 780704
Опубликовано: 20.07.1999
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное, электронно-лучевое
Электронно-лучевое постоянное запоминающее устройство, содержащее электронную пушку, коллекторы электронов, подключенные через нагрузочные резисторы к первому источнику питания, входной и выходной электроды, подключенные к второму источнику питания, и носитель информации, отличающееся тем, что, с целью увеличения информационной емкости, носитель информации выполнен в виде многоканальных вторично-электронных умножителей с отверстиями в стенках каналов по количеству разрядов записанного двоичного числа, а коллектор каждого разряда выполнен в виде проводящей пластины и установлен с перекрытием всех отверстий соответствующих одноименных разрядов.