Блок памяти для полупостоянного запоминающего устройства

) 01) 4 С 11 С 17 ЕНИЯ 9 тех уибышеваМ.Л.НечЛапидус8.8) вскии видетельств 11 С 17/00, детельство 11 С 17/02,1974.1977. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) БЛОК ПАМЯТИ ДЛЯ ПОЛУПОСТОЯННОГОЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА(57) Изобретение относится к вычислтельной технике и может быть использовано при построении устройствхранения дискретной информации. Целизобретения - расширение областиприменения за счет обеспечения возможности считывания информации как параллельном, так и в последовательном коде, а также упрощение устройст" ва. Поставленная цель достигается тем, что, в устройство, содержащее накопитель, состоящий из адресных 5 и разрядных 4 шин, магниточувствительные 3 и нагрузочные 9 элементы, источник 8 питания, разделительные элементы 11, источник переменного магнитного поля в виде П-образного магнитопровода 1 с обмоткой 2 возбуждений, введены одновибратор 7, управляемый источник 6 экспоненциального тока, ключи 12 выборки, компа . раторы 10, дешифратор 13 адреса, выходной регистр 14 и. элемент ИЛИ 15, Фе что обеспечивает пространственно- временное распределение магнитного, потока по длине магнитопровода и позволяет считывать записанную информацию как в параллельном, так и в после. довательном коде. 3 ил.404 6поступают на входы элемента ИЛИ 15 (фиг, Зи), С выход элемента ИЛИ 15 снимается последовательность импульсов, соответствующая считанному слову в последовательном коде (фиг. Зк), причем вследствие (7) эти импульсы задержаны один относительно другого на постоянный промежуток времени.При изменении информации на входах дешифратора 13 адреса происходит замыкание другого ключа 12, к шине нулевого потенциала подключается соответствующая группа из И магниточувствительных элементов и по сигналу "Чтение" происходит процесс считывания информации.Таким образом, упрощение конструкции блока происходит за счет замены многочисленных катушек с концентраторами магнитного поля однм плоским П-образным магнитопроводом, который может быть выполнен по интегральной технологии из Ферромагнитной пленки вместе с магниточувствительными элементами как единое целое в одном технологическом процессе, Расширение области применения происходит вследствие пространственно-временного распределения магнитного потока по длине магнитопровода, что позволяет считывать записанную информацию как в параллельном, так и в последовательном коде. Км П м К ф и(5) причем оно изменяется только в томслучае, если связь магниторезистора 103 с шиной 5 адреса не нарушена(Фиг. Зг, кривые Х, Х, Х). Еслисвязь нарушена, то это напряжениеостается неизменным (Фиг. Зг, прямаяХЗ) 15Напряжения, снимаемые с магнито-,резисторов 3, подаются на инвертирующие входы компараторов 10 длясравнения с опорным уровнем, На инверсных выходах тех компараторов 10, 20которые подключены к магниторезисторам 3 с ненарушенной связью вырабатываются импульсы отрицательной полярности с длительностями, равными времени, в течение которого напряжения,снимаемые с магниторезисторов 3,меньше опорного уровня (фиг. Зд,ж,з).На инверсных выходах тех компараторов 10, которые подключены к магниторезисторам 3 с нарушенной связью, 30сохраняется высокий уровень напряжения (Фиг. Зе).По положительному фронту импульса "Чтение" (фиг. За) сигналы с прямых выходов сравнивающих устройств10 записываются в выходной регистр14,Длительность импульсов Т формируемых на инверсных выходах компараторов 10, определяется из решения 4уравнения с учетом (4), (5) 45(7) 50 55 5 1499При выборе КиК и напряжении источника 8 питания на магниторезисторе 3 (фиг. Зг) Т; П П - -ух; П (Т.)= - -К -- -Кф е е " = П (б) мя О я маркс Од н нгде 8 - номер разряда. Из (7) ясно, что временные интервалы Т , Формируемые компараторами 10, линейно связаны с положением Х магниточувствительных элементов.Сигналы с инверсных выходов компараторов 10 через разделительные элементы 11, которые вместе с входным сопротивлением элемента ИЛИ 15 образуют дифференцирующие цепочки,Формула из обретения Блок памяти для полупостоянного запоминающего устройства, содержащий накопитель, состоящий из адресных и разрядных шин, в перекрестиях которых включены магниточувствительные элементы, разрядные шины через нагрузочные элементы подключены к источнику питания, источник переменного магнитного поля, разделительные элементы, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширение области применения за счет возможности считывания информации в параллельном и последовательном коде и упрощения блока, он содержит одновибратор, управляемый источник экспоненциального тока, ключи выборки, компараторы, элемент ИЛИ, причем источник переменного магнитного поля выполнен в виде плос кого П-образного магнитопровода с воздушным зазором н сосредоточенной обмоткой возбуждения, размещенной в1499404 16 17 1/ Я Составитель Л.Амусьевалица Техред А,Кравчук Корректор М.Пожо едак тор аз 4699/50 . Тираж 558, ПодписноеИ Государственного комитета по иэобретениям и о113035, Москва, Ж, Раушская наб,ВНИИП ГКНТ СССР ткрытия д. 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г.ужгород, ул. Гагарина торце магнитопровода и подключеннойк выходу управляемого источника экспоненциального тока, вход которогоподключен к выходу однбвибратора,вход которого является входом управления считыванием блока,адресныешины накопителя подключены к информа"ционным входам ключей выборки, управляющие входы которых являются входами выборки блока, выл оды ключей выборки подключены к шине нулевого потенциала блока, причем накопитель расположен в воздушном зазоре магнитопровода, разрядные шины накопителя соединены с инвертирующими входами компараторов, неинвертирующие входы которых подключены к источникуопорного напряже сия, прямые выходыкомпараторов являются параллельнымвыходом блока, а инверсные через разделительные элементы подключены квходам элемента ИЛИ,выход которогоявляется параллельным выходом блокапамяти,