Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1531170
Автор: Семенов
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК П 1 17/О 51) 4 САНИЕ ИЗОБРЕТ лекри инсти 088.8)Козырь И ектроника. еские осно,Я., Гор физичес Над986, - М.: Высш0-136. но школа мотехника Бтройств.138,СТОЯННОГО Пегросян О.А. сгоянных заломиющих ус 1978, с М,: Радио и связь (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТ И ДЛЯ ОИСТВ 1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к микроэтронике и может быть использовано ппроизводстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ).Цель изобретения - повышение коэффициента программирования ППЗУ, Для этого в диэлектрическом слое 4 выполненоотверстие 5 над областью перегоранияперемычки 2 при программировании ППЗУ.Доступ кислорода воздуха через отверстие 5 к пережигаемому участку перемычки 2 обеспечивает увеличение коэффициента программируемости ППЗУ, После программирования поле накопителяППЗУ покрывают защитным веществом,например компаундом, 2 ил.1531170 покрывают защитным веществом, например эпоксидным клеем, для исключениявзаимодействия с окружающей средойэлементов готового ППЗУ,Формула изобретения Составитель С,КоролевРедактор М,Бланар Техред Л,Олийнык Корректор Н,Король Заказ 7963/54 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР303 5, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 /5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г.ужгород, ул. Гагарина,10 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано припроизводстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты иисключения нежелательного химического взаимодействия компонентов элемента памяти с другими материалами ППЗУи окружащей средой. Отверстие 5 в ди Оэлектрическом слое 4 служит для улучпения условий перегорания перемычки 2и может быть вытравлено в уже нанесенном защитном покрытии, либо покрытие может наноситься через соответствующую маску,В процессе программирования ППЗУ,когда необходимо пережечь перемычку 2данного элемента памяти, на эту перемычку подают импульс тока, вызываю щий быстрый разогрев и расплавлениеперемычки 2, Благодаря наличию отверстия 5 к пережигаемому участку перемычки 2 поступает кислород воздуха, и в перемычке 2 образуется обрыв.После программирования всех нужныхэлементов памяти поле накопителя ППЗУ Пережигаемая перемычка 2 может быть выполнена из нихрома, проводящие электроды 3 - из алюминия, а подложка 1 и диэлектрический слой 4 из двуокиси кремния. Диаметр отверстия 5 выбирают большим ширины перемычки 2,Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий диэлектрическую подложку, проводящий слой, расположенный на поверхности диэлектрической подложки, образующий плавкую перемычку, два проводящих электрода, расположенных на поверхности диэлектрической подложки с перекрытием противоположных краев проводящего слоя, диэлектрический слой, расположенный на поверхности проводящего слоя и проводящих электродов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения коэффициента программирования запоминающего"устройства, в диэлектрическом слое выполнено отверстие над проводящим слоем.
СмотретьЗаявка
4374525, 21.12.1987
МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. СЕРГО ОРДЖОНИКИДЗЕ
СЕМЕНОВ ОЛЕГ ГЕННАДИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
Опубликовано: 23.12.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1531170-ehlement-pamyati-dlya-postoyannogo-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства</a>
Запоминающий элемент
Номер патента: 562866
Опубликовано: 25.06.1977
Авторы: Кузовлев, Прошенко, Федонин
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, элемент
...коллектор-эмиттер насыщенного р - п - р транзистора,Коллекторный ток р - п - р транзисторов 1 и 2 является базовым током п - р - и транзисторов 3 и 4, соответственно, работающих в инверсном включении.Благодаря наличию перекрестных связей между транзисторами 3 и.4 н при условии идентичности р - п - р транзисторов 1 и 2 базовые и коллекторные токи п - р - п транзисторов 3 и 4 равны между собой и, при условии, что инверсный коэффициент усиления транзисторов 3 и 4 нн,)1, транзисторы 3 н 4 образуют бистабильную триггерную ячейку, в которой один из транзисторов будет открыт, например, транзистор 3, а другой - транзистор 4 - закрыт. На базе открыгого транзистора 3 поддерживается высокий уровень равный 0 адр. ш - Укн, а на базе...
Запоминающий элемент-ионотрон
Номер патента: 148277
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Толутис
МПК: G11C 11/35
Метки: запоминающий, элемент-ионотрон
...поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров и запирающем слое или увеличивается илиуменьшается.При данной ьеличице внешнего напряженияна ионотроне через определенный промежу 5 ток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение прцмесцых центров в запирающем слое,т. е. возникает определенное стабильное состояние цонотрона. Подачей ца иоцотрон им 0 пульсов напряжения различной полярностидопустимо большой величины можно получитьдва различных устойчивых состояния иоцотрона, которые могут быть обозначены 1 и ОВеличина зависит от величины...
Способ записи и считывания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе
Номер патента: 780040
Опубликовано: 15.11.1980
Авторы: Гаврилюк, Мартынюк, Самофалов, Сапожников, Шпак
МПК: G11C 11/22
Метки: записи, запоминающем, информации, односекционном, сегнетопьезоэлектрическом, считывания, элементе
...2,3 прикладываютсерию импульсов, прлярность которыхйро"гйвоположна полярности напряженияпри поляризации (записи "1"), норавных ему по амплитуде (см.фиг.2 б),Длительность импульсов напряжения деполяризации выбирают на два "=,"йбРщка-"меньше длйтельности им пульса напряжения поляризации.Приприложении серии импульсов в пределах от 10 до 50 для пьезокерамики типа ЦТС, остаточная поляризация, заданная при записи "1",значительно уменьшается, болеечем в 20 раэ.Способ считывания информации из" бдносекционного сегнетопьезоэлектри= " веского запоминающего элемента сос" тоит в том, что к электродам 2,3" запоминающего элемента приклады- -вают импульсы напряжения (см,фиг.За)и хранимую информацию ("1" или "0")ойределяют по пьезотоку, протекающему...
Способ записи информации в элемент памяти на нормально разомкнутой плавкой перемычке
Номер патента: 1522288
Опубликовано: 15.11.1989
МПК: G11C 17/00
Метки: записи, информации, нормально, памяти, перемычке, плавкой, разомкнутой, элемент
...температура нагреване превышала температуру испаренияматериала плавкой перемычки 3.Чтобы избежать расплавления, перемычек 3 соседних элементов памяти,диаметр луча не должен превышать длину плавкой перемычки 3.На контактные площадки 2 подаютпостоянное напряжение Ч, которое вызывает накопление на краях частей разомкнутой перемычки 3 противоположных по знаку зарядов величиной 226.Еплавленной перемычки 3, Допустив, что части расплавленной перемычки 3 одинаковы и имеют форму полусферы, силу поверхностного натяжения можно определить по формуле:Гн - ц К сугде К - радиус частей расплавленнойперемычки 3,М коэффициент поверхностногонатяжения материала плавкойперемычки 3.В случае использования перемычки 3 из припоя ПСрИн, содержащего 973 1 (оС =...
Элемент памяти с однократным программированием
Номер патента: 986198
Опубликовано: 30.03.1985
Авторы: Васильев, Воронов, Елинсон, Степанов, Шевченко
МПК: G11C 11/40
Метки: однократным, памяти, программированием, элемент
...в виде тонкого диэлектрического слоя, толщина которого определяется напряжением пробоя диэлектричес- кого слоя, а диэлектрический слой выполнен из ЫО, толщина которого не должна превышать 50 нм.Схематический вид элемента памяти приведен на фиг. 1.Описываемын элемент памяти с однократным программированием содержит полупроводниковую подложку (кремний р-типа) 1, эпитаксиальный полупроводниковый слой обратного подложке типа проводимости (кремний и-типа) 2, вторую управляющую шину 3 (вырожденный кремний и-типа), защитный диэлектрический слой 4 (БхО), области изолирующего элементы р-и-перехода 5 (кремний р-типа), тонкий (10 нм) диэлектрический слой 6 (ВО), первую управляющую шину 7 (А 1). Приведенный вид элемента соответствует исходному (до...
Предыдущий патент: Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Следующий патент: Накопитель для постоянного запоминающего устройства
Случайный патент: Поляризационный автоматический аттенюатор