Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК Е ИЗОБ ОП техниграммвых ч Ик-- , гдет -Ы 01 ых ча сса заряж иц; 1 ени ремя, необходимое дл ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ Д 1) 4360602/24-24(56) 1.усодез М. Ргас(1 са 1.1 зез о 1 АссеегадРез 11 пд Мо 1 ого 1 а Кеа 1 аЬ 111 у рЬуз 1 сз зцргпозцегп 12 й - .1.аз Чейз, Иоч, 1974,.рр. 257 - 259,Кульбенко В. Я., Домеников В. И., Шумский Н. П. Оборудование для климатическихиспытаний. в Электронн техника. Сер. 8.Управление качеством, метрология и стандартизация, вып. 8(78), 1979. зобретение относится к вычислительной ке и может быть использовано для проирования микросхем полупроводникопостоянных запоминающих устройств ) и программируемых логических матриц,Целью изобретения является повышение надежности отбраковки микросхем за счет уменьшения числа микросхем с восстановленными перемычками.На фиг. 1 изображена перемычка запрограммированной микросхемы, находящаяся в процессе электротермомагнитной тренировки, где а - ширина зауженной части перемычки; И - длина зоны разрушения (0,4 мкм); Н - напряженность приложенного магнитного поля; на фиг. 2 - устройство, реализующее предлагаемый способ отбраковки микросхем путем проведения их электротермома гнитной тренировки.Устройство содержит термокамеру 1 с разъемом 2 для электрического соединения 901587(54) СПОСОБ ОТБРА СХЕМ ПРОГРАММИРУ НЫХ ЗАПОМИНАЮЩ (57) Изобретение относ ной технике и может быт программирования микро ковых постоянных запом (ПЗУ) и программируем риц, Целью изобретения надежности отбраковки уменьшения числа микро ными перемычками. Для с воздействием на микро импульсов прикладывают ное поле, силовые лини лены перпендикулярно пл а значение напряженно удаления заряженных ч перемычки 2 ил КОВКИ МИКРОЕМЫХПОСТОЯНИХ УСТРОЙСТВ ится к вычислительь использовано для схем полупроводниинающих устройств ых логических матявляется повышение микросхем за счет схем с восстановлеэтого одновременно схемы считывающих постоянное магнит- и которого направоскости микросхем, сти достаточно для астиц разрушенной плиты с микросхемами 3 и измерителя 4 электрических параметров (блока сравнения), электромагнит 5 с катушкой 6, создающей постоянное магнитное поле напряженностью и, и устройство 7 управления термокамерой,В процессе электротермотренировки микросхему нагревают до 125 С и производят опрос по адресам, т, е. прикладывают импульсы напряжения У к электродам разрушенной части коммутирующей перемычки запоминающего элемента, Под действием электрического поля - заряженные частицы,У находящиеся в зоне разрушения перемычки азад), приходят в направленное движение от одного электрода к другому со скоростьк:заряженных частиц из зоны разрушения перемычки; д - заряд частиц.Вектор скорости движения заряженных частиц совпадает с направлением электрического поля. В результате перемещения заряженных частиц возможно образование электропроводящего мостика в разрушенной области перемычки и электроды замыкаются, т. е. запоминающий элемент восстанавливается.В предлагаемом способе отбраковки микросхем путем их электромагнитной тренировки в поле постоянного магнитного поля на движущиеся между электродами пере.мычки заряженные частицы действует сина Лоренца, выводящая эти частицы из зоны разрушения перемычки. Следовательно, в зоне разрушения перемычки исключается возможность создания проводящего мостика из заряженных частиц материала перемычки, т. е. исключается возможность отказа типа восстановление запрограммированного запоминающего элемента. Устройство работает следующим образом.Плату с запрограммированными микросхемами 3 помещают в термокамеру 1, соединяют со стандартным разъемом 2, включают нагреватели термокамеры для нагрева до 125 С. Включают питание электромагнита, устанавливают ток в катушках, включают питание микросхемы и последовательно на все разряды микросхем ПЗУ подают считывающие импульсы. Через обмотку электромагнита 5 пропускают постоянный ток величиной 1, создающий магнитное поле напряженностью Н. После проведенияотбраковки путем электромагнитной тренировки в течение 168 ч при 125 С определяют число запоминающих элементов К 1 с восстановившимися плавкими перемычками следующим образом. Суммарное количество запрограм 4мированных запоминающих элементов разрушенных) разрядов микросхемы сравни вают в измерителе 4 электрических параметров с контрольной суммой разрядов.Результат сравнения идентифицируется на табло блока сравнения измерителя 4. После этого включают магнитное поле Н и нагреватели термокамеры, снимают напряжение с ПЗУ. Затем через промежуток времени выхода микросхемы в стационарный режим "0 (в соответствии с техническими условиямина данную микросхему) при комнатной температуре повторно определяют суммарное количество К запоминающих элементов с восстановившимися плавкими перемычками.15 Величину напряженности магнитного пол Нпоследовательно увеличивают до тех пор, пока разность чисел К - К 1 не будет равна нулю. Это значение напряженности магнитного поля Нр используют для отбраковки последующих партий микросхем ПЗУ по дан ному способу.Значение поля Нр зависит от типа и партии микросхем и составляет 200 - 400 А/м. Формула изобретения25Способ отбраковки микросхем программируемых постоянных запоминающих устройств, включающий воздействие на микросхемы считывающих импульсов при предельно допустимой температуре и отбраковку З 0 микросхем при появлении тока в разрушенных перемычках, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности отбраковки, одновременно с воздействием на микросхемы считывающих импульсов прикладывают постоянное магнитное поле, силовые линии З 5 которого направлены перпендикулярно плоскости микросхем, а значение напряженности достаточно для удаления заряженных частиц разрушенной перемычки.Составитель А. Дерюгин Редактор Г. Гербер Техред А. Кравчук Корректор Л Пилипенко Заказ 2424 Тираж 490 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О