Гринсон

Номер патента: 1141869

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гринсон, Гуткин, Метревели

МПК: G01R 31/26

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...10 В, где О контактная разность потенциалов в исследуемом, образце. Следовательно, прототип.не позволяет без потери5 чувствительности исследовать глубокие уровни, сконцентрированные на расстояниях от границы раздела р- и и-областей в р-и-переходе ифметалл-полупроводник в барьере Шоттки, меньше 10 ширины слоя объемного заряда при напряжении смещения 10 В.Цель изобретения - повышение чув,ствительности.Поставленная цель достигается тем, 15 Мто в способе определения параметров глубоких уровней в полупроводниках включающем подачу на образец напряжения смещения и импульса напряжения, изменяющего напряжение смещения, и 20 компенсацию изменения емкости образца после окончания импульса напряжения путем изменения напряжения смещения, Перед...