Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(я)5 0 01 й 31/2 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕ 1 ЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ качкил и совпадающемлению.Перед иратуры проснимаетсятемпературдуемого РВдиапазоне с ним по направроведением водится кал зависимость ы Т при по Д в термост токов наклоЛОГи а = - ;Тизмерении теибровка ТЧПвеличины 0мещении исат, В выбранн градуирово мпет,е,я от сленом чной характеристик я всех образ фиксированном личается неэнапо а РВД одно- мВ/град. Таким ля технических дуировку можно и пользоваться одним значени- эводительность В качестве гер метра для определен ры реверсивно вк (РВД) измеряется ОРЯ между анодо токе через РВД, (О 5 - 10) 10 от мочувствительного параия температуры структулючаемых динисторов падение напряжения м и катодом РВД при ежащем в диапазоне (оминального тока наАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(71) Научно-исследовательский институт попередаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения(56) Грехов И.В. и др, Исследование реверсивно включаемых динисторов в сильноточных импульсных режимах, - Электротехника,1986, Й 3, с, 44 - 46,(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ СТРУКТУРЫ РЕВЕРСИВНО ВКЛЮЧАЕМЫХ ДИНИСТОРОВ(57) Изобретение касается измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при проиэводстИзобретение относится к области измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве и испытаниях быстродейг: вующих полупроводниковых коммутаторов,Целью изобретения является повышение точности и производительности измерений за счет выбора термочувствительного параметра (ТЧП), имеющего линейную градуировочную характеристику, одинаковую для всех приборов в исследуемой партии,Способ заключается в следующем.Я 21626220 А 1 ве и испытаниях быстродействующих полупроводниковых коммутаторов, Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений - достигается за счет использования в качестве термочувствительного параметра напряжения между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора. Причем это напряжение измеряется при токе через прибор, лежащем в диапазоне (0,5 - 1,0) 10 от номинального тока накачки и совпадающем с ним по направлению. В этом диапазоне токов калибровочная зависимость напряжения анод - катод от температуры линейна и не меняется от прибора к прибору для реверсивно включаемых динисторов одной партии, 2 ил. цов РВД одного типа при измерительном токе 1 гя от чительно, а именно разброс го типа не превышает +.0,1 образом, с достаточной д применений точностью гра проводить на одном РВД для образцов данного типа ем а, что повышает прои способа.1626220 70 Измерение температуры осуществляется при уровнях тока в РВД, не изменяющих существенно концентрацию носителей в базах, что приводит к повышению точности измерений. Измерение Огк осуществляется после рассасывания избыточного заряда, вызванного протеканием рабочих токов высокой плотности.На фиг,1, 2 представлены графики калибровочных зависимостей напряжения Огк от температуры Т для двух типов РВД; мощных высоковольтных ТДП - 173-1250 с 1 н = 400 А (фиг,1), и мощных высокочастотных опытных образцов с 1 н = 40 А (фиг.2).Приведенные примеры подтверждают линейность зависимостей Огя от Т в выбранном диапазоне токов гя. Преимущество предлагаемого способа измерения температуры структуры РВД заключается е том, что обеспечивается линейность градуировочной характеристики ТЧП, достигается стабильность а, что позволяет пользоваться его среднестатистическим значением, повышается точность и проиэводительность тепловых измерений РВД, исключается возможность разрушения РВД при испытаниях, результаты измерений не зависят от предшествующих электрических 5 режимов. Формула изобретения Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторое, 10 включающий измерение термочувствительного параметра исследуемого реверсивно включаемого динистора и его градуироеку по температуре,отл и чаю щи йс я тем, что, с целью повышения точности и произ еодительности измерений, е качестве термочувствительного параметра используют напряжение между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора при токе через него, равном (0,5 - 1,0) 10 от номи нального тока накачки и совпадающим сним по направлению, а температуру структуры реверсивно включаемого динистора определяют по температурной градуироеке для одного реверсивно включаемого дини стора.1626220 цао 800 7 й 7 600 д Т г оставитель В. Ули хред М.Моргентал актор А. Шандор орректор Н. Ревская изводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 Заказ 277 Тираж 420 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5
СмотретьЗаявка
4625030, 26.12.1988
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПО ПЕРЕДАЧЕ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ПОСТОЯННЫМ ТОКОМ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
ГУРЕВИЧ МАРИЯ КОПЕЛЬЕВНА, СИНЯВСКИЙ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: включаемых, динисторов, реверсивно, структуры, температуры
Опубликовано: 07.02.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1626220-sposob-opredeleniya-temperatury-struktury-reversivno-vklyuchaemykh-dinistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов</a>
Предыдущий патент: Способ определения глубины пропитки электроизоляционных материалов
Следующий патент: Устройство для измерения коэффициента усиления аналоговых микросхем
Случайный патент: Устройство для проводки троса с сопряженными частями орудия лова