Способ определения коэффициента усиления высоковольтного транзистора

ОЮЗ СОВЕТСНИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 19) 2 д 4 С О 1 Улл ИСАНИЕ ИЗОБРЕТТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2 дачи на тра достигается з зистор импуль плитудой, ран импульса тока тельчостью не счет тока азы ТБ с амине амплитудыра 1, и длиои поло кт чении менее льлекторе. меньшаяся тока базы и регную характеристику напря ду им амплит истрир я переходже ния междуфиксирют Ол.ек а мили т ром и эмиттером, у тока базы, при сывания транзист восстановления рения коллектора озффициент усиле которои в ра равновновесного мя расеявре ме ни рас сопротивл тьв аютие точн во те в и р вос модуляпия провсоковольтногот по всей его димости ранзистора происхи:рине. 2 ил. времени жизни носителей тока в коллекторе (дырок для п-р-и-транзисторог). Регистрируют переходную. характеристику напряжения между коллектором и эмиттером, уменьшают амплитуду тока базы до значения, при котором время рассасывания высоковольтного транзистора г. становится равным вреГмени восстановления равновесного сопротивления коллектора С Б, фиксируют при этом величину амплитуды тока базы 1 Б и определяют коэффициент усиления транзисторапо формуле Изобретение носится к о о приборо ст полупроводников ения в 1 к 11 БФ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Ленинградский институт точноймеханики и оптики(56) Чахмахсазян Е,А. и др, Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем, - 11.: Радио и снязь,1985, с. 53.(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭфьИЦИ 1:НТАУСИЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТ 1 ОГО ТРАЕ 13 ИСТОРА(57) Изобретение относится к областиполупроводникового приборостроенияи может быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов. Цель изобретения - повышение то .ности сгособа мо ет быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов.. Целью изобретения являетсяпо ышение точности способа.Суть способа состоит н том, что через транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, пропускают импульс тока коллектора 1, заданной амплитуды и импульс тока базы 1 Б с амплитудой, равной половине амплитуды импульса тока коллектора, и с длительностью не менее пяти значений емени жизни носителеи тока в колсти способа обусловлеавенстве времен рассастановленияоллектора выНа фиг. показана схема устройства для реализации способа; на фиг.2 эпюры токов базы 1 и коллектора 1, а также эпюры переходной характеристики напряжения высоковольтного транзистора 1 к, .Повышение точности способа свяэано с тем, что значительно точнее устанавливается режим, при котором производится измерение коэффициента усиления, - режим С = С б. Установка импульсного режима 11 = 0 (в прототипе) является сложной технической задачей и вносит значительную погреш ность в измерения РПри предложенном способе отсутствует источник погрешности, связанный с нагревом испытуемого транзистора во время измерений, так как при реализации способа нет необходимости в формировании импульсов тока базы большой длительности.Режим=(кривая б, фиг.2) обусловлен тем, что в этом режиме реализуются условия модуляции проводимости коллектора высоковольтного транзистора в точности по всей его ширине. Если Тр) Т , то испытуемый транзистор находится в режиме с избыточной модуляцией проводимости коллектора (кривая а, фиг,2),Начальное значение тока базы устанавливают равным половине тока коллектора для того, чтобы заведомо 35 ввести транзистор в режим с избыточной модуляцией проводимости коллектора. В этом режиме Т р) 1 , а коммутационные потери моцности в транзисторе малы. Таким .образом, уста новив начальное значение 1= = 0,5 1, удается исключить источник погрешности, обусловленный нагревом испытуемого транзистора. Так как при 1= 0,5 1на переходной харак теристике напряжения легко выражены оба этапа процесса выключения транзистора, то в дальнейшем при уменьшении тока базы удается точнее установить режим, при котором время 50 рассасывания высоковольтного транзистора становится равным времени восстановления равновесного сопротивления коллектора. Длительность тока базы устанавливают не менее пяти значений времени жизни дырок в коллекторе (для п-р-и-транзисторов)5ля того чтобы измерение 61коэффициента усиления осуществлялось в условиях, близких к стационарным и ие приводящих к нагреву испытуемого прибора. Если 1 ( 5 , то возрастает погрешность определейия р из-за не- завершившихся переходных процессов. Если5 4, то возможен нагрев транзистора за время измерений и возрастание погрешности определения коэффициента усиления. Значения 1 =и5 установлены перимеитальным путем для большогочисла высоковольтных транзисторовразных типов.Устройство для реализации способа содержит стабилизированный источник 1 постоянного напряжения блок 2 высокоточных резисторов, генератор 3импульсов тока базы, испытуемый высоковольтный транзистор 4 и электронно-лучевой осциллограф 5. В устройстве непотенциальные выводы источника 1, генератора 3 и осциллографа 5, а также эмиттер испытуемого транзистора 4 объединены общей шиной, находящейся под нулевым потенциалом, потенциалыый вывод источника 1 соединен с выводом блока 2 резисторов,другой вывод которого соединен с коллектором испытуемого транзистора 4 и входом 7 осциллографа 5, а потенциальный вывод генератора 3 соединен с базой испытуемого транзистора 4. Электрические параметры цепей устройства следующие; напряжение источника 1 Е ) 10 Ь к (Н, - граничноеК ЭГРзначение напряжения, при котором транзистор находится на границе,между режимами усиления и насыщения, длительность импульсов тока базы, формируемых генератором 3, 1:5 ( р - время жизни дырок в коллекторе), частота следования импульсов единицы герц. Условие Е) 10 Бр обеспечивает незначительньй спад тока коллектора в транзисторе на этапе рассасывания . Условие , 5обеспечивает установление режима работы транзистора, близкого к стационарному, Низкая частота работы генератора 3 исключает нагрев испытуемого транзистора эа времй измерений.1(оэффициент усиления высоковольтного транзистора с помощью устройства определяют следующим образом.Подключают к устройству (фиг.1) испытуемый транзистор 4. Включают ис402 51506 точник 1, генератор 3 и осциллограф 5. Посредством источника 1, блока 2 резисторов и генератора 3 устанавливают такой режим внешней цепи, чтобы для данного испытуемого транзистора выполнялись условия; ток коллектора 1 равнялся заданному значении, Е )конгре 1 = 0,5 1, с 5 с, На экране осциллографа 5 получают устойчивое изображение переходной характеристики напряжения транзистора (кривая а, фиг.2). уменьшая амплитуду тока базы генератором 3, по осциллограмме О э(1) устанавливают режим работы испытуемого транзистора, в котором время рассасывания равно времени восстановления равновесного сопротивления коллектора (кривая б, фнг.2). В этом режиме, когда С, измеря ют амплитуду тока базы 1, после чего ко эффициент усиления высоко вол ьтного транзистора рассчитывают иэ соотношения= 1,/16Формула изобретенияСпособ определения коэффициента усиления высоковольтного транзистора, включающий пропускание через транэис" тор, включенный по схеме с общим эмиттером, импульса тока коллектора заданной амплитуды и импульса тока базы, отличающийся тем, что, с целью повьзпения точности способа, пропускают импульс тока базы с амплитудой, равной половине амплитуды импульса тока коллектора, и с длительностью не менее пяти значений времени жизни носителей тока в коллекторе, измеряют переходную характеристику напряжения между коллектором и эмиттером, уменьшают амплитуду импульса тока базы и фиксируют ее значение, при котором время рассасывания высоковольтного транзистора становится равным времени восстановления равновесного сопротивления коллектора.- 1506402 ко)7 к гагрФиг.2Со с т а в ител ь В, Улимо вРедактор О. Юрковецкая Техред М. Ходанич Корректор О.Кравцова Заказ 5432/48 Тираж 714 Подписное ВЙИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4