Способ контроля транзисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1524017
Автор: Турченков
Текст
ЯО(и) 152 1 )4 0 01 Н 31 2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТК А ВТОРСКОМУ С 8 ИДЕТЕЛЬСТВУ ером и базой транколлектор котороей шине через равСпособ включает(21) 43 (22) 04 (46) 23 (75) В, (53) 62 (56) Рад тором и междузистора, эмит го подключены ные сопротивл ит 43 яжения между.57. лек то ером и к базы для эмит алони ка Рад е то опре щего РАНВИСТОРОВится к электрон предназнак ыводам ние том ток е с базь) . Трполнениигде 16 зисторов ышение д сто брэмиттеро2 ил м сравненияером и коллек оединень ужд ения, входь клеммами 2 иимпульсно контроля ыход тато л м 8 фиксадии рез заданными величи внениний,напр ьшение равнениясмещенных сиериментально ыборе резистор становлено, чт 5 и 6 срав - зав исимость при опротивлениям ым ок-схема ус анзисторов; м и колле напряжения между .)миттеро к тором транзистора( от величины тока через базу транзистора имеет вид, о раженный на фиг.2, Величина первого максимума обычно приходится на диапазон токов от 015 до 1,5 мА, при этом для кремниевых транзисторов па ление напряжения на базовом переходе составляет не менее 0,4 В, а для германиевых транзисторов - не менее 0,2 В. Для надежности контроля рекомендуется следующий диапазон, прим нимый для всех типов транзисторов,я контроля тр типичная зав яжений между иства дл фиг. 2ость и пе 5 от базо а КТ ост а ранзистора ти ехо тока базы,Устройс контроля (соб ммы це тво, реализу фиг.), соде чения электр чник 4 тока,ит к ов т ранзисподкл истто ор азу транзистора, рездиненные первыми выв в общ и с оответлемент 7 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯПРИ ГКНТ СССР 1793/24-2111,8711.89.Бюл.Турченков(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ (57) Изобретение отно измерительной технике чено для контроля тра Цель изобретения - по верности контроля пут напряжений между эмит Изобретение относитс технике и предназначено исправности транзистораЦель изобретения - и товерности контроля пут напряжений на базовых и переходах транзистора,На фиг.1 показана бл шиной, а вторыми выводами ственно с клеммами 2 и 3,имуму этои зависимостиапряжений между во транзистора при энзисторы исправны при вусловия 0ц, 0 9 Унапряже,ие междуэтого транзистора.152401 7 Формула изобретения Составитель В,Масловскедактор Л,Зайцева Техред М,Ходанич орректор М.Ша аз 7039/48 Тираж 714 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,0,01 В П,(0,18 В, при этом ток базы задают равным 0,9 мА (фиг. 2)Таким образом, при подсоединении проверяемого транзистора к клеммам5 1-3, задании тока базы в клемму 1, примерно равного 0,9 мА, и измерении напряжения между клеммами 2 и 3 производят сравн.ние волоком 7 результатов измерения с приведенным неравен - ством, при этом транзисторы исправны в том случае, если измеренное напряжение более 0,0 В, но менее 0,18 В, Об исправности транэистрра сигнализирует блок 8.15 Способ контроля транзисторов, включающий пропускание тока через базу контролируемого транзистора, у которого эмиттер и коллектор через резисторы подсоединены к одному потенциалу, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения достоверности контроля, предварительно для эталонного транзистора увеличивают токбазы, снимают зависимость напряжениямежду коллектором и эмиттером от тока базы при одинаковых сопротивленияхрезисторов и фиксируют ток базы, соответствующий максимуму напряжениямежду базой и эмиттером, а затем дляконтролируемого транзистора ток через базу пропускают той же фиксированной величины и при тех же одинаковых сопротивлениях резисторов, измеряют напряжение между базой и эмиттером и между коллектором и эмитте -ром, а об исправности транзистора судят при выполнении соотношения0 с Ц с 0,9 Б, где П- напряжение между коллектором и эмиттером,Ц з - напряжение между базой и эмиттером.
СмотретьЗаявка
4331793, 04.11.1987
В. И. Турченков
ТУРЧЕНКОВ ВЛАДИМИР ИЛЬИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: транзисторов
Опубликовано: 23.11.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1524017-sposob-kontrolya-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля транзисторов</a>
Предыдущий патент: Радиоимпульсный способ измерения группового времени запаздывания высокочастотного тракта
Следующий патент: Устройство для возбуждения непрерывных сигналов в сейсморазведке
Случайный патент: Устройство для измерения температуры контактной площадки электрического контакта при протекании через него тока