Способ определения мощности излучения полупроводникового диода
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1550443
Авторы: Колесников, Ловинский, Мусатова, Николаев
Текст
(2) 15 АТ К Р где К т - тепловое сопротивление ко рпуса диода, .Изменение напряжения на диоде в результате изменения температуры на Т: го(3) Пм - 1 =ОЬТ,где Ы, - температурный коэФФипиент напряжения на диоде,Тогда из выражений (1, 2 и 3) сле- дует Пм - ПР= 111ф 1 тР=1 где 1 и П Составитель В,МасловскийРедактор И. Середа Тех ред М.Дидык Корректор М.Максимишинец Заказ 270 Тираж 559 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент.", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 где Р = 1 ц - подводимая к диодуэлектрическая мощность;1 - прямой ток через диод;11 - напряжение на диоде встационарном режиме;Р т - мощность, выделяемаяв виде тепла;Р - мощность излучения.Изменение температуры диода засчет саморазогрева ЬТ определяетсяФормулой П р и м е р. На светоиэлучающий Диод. типа АЛ 107 Б подают прямоугольный жпульса тока силой 0,1 А и изМерюот временную зависимость напряжеИия на нем с помощью циФрового вольтметра Щ 15-13. Находят из нее максимальное значение напряжения на диоде О= 1,426 В и напряжение в стационарном режиме ц = 1, 386 В . Значения ф и Кт определяют одним из стандарти зированных методов, Для определения о измеряют напряжения на диоде при а 11двух значениях температуры.аТ1,83 мВ/К, где ЬП - изменение напряжения на диоде при изменении температуры на ЬТ. Для определения йтизмеряют приращение температуры р-иперехода диода в результате рассеивания в диоде определенной мощностипри обратном токе Рт = Ь Т/Р =168 К/Вт,где Р - мощность при обратном токе,Определяют мощность излучения извыражения (4)Р = 8,510 Вт,Формула из об ре т енияСпособ определения мощности излучения полупроводникового диода,включающий пропускание через диод прямого тока, измерение напряжения на диоде, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, прямой ток через диод пропускают в виде прямоугольного импульса, измеряют временную зависимость напряжения на диоде, Фиксируют максимальное и установившееся значения напряжения на диоде, а мощность Р излучения определяют из выражения амплитуда импульса прямоготока, пропускаемого черездиод;максимальное и установившееся значения напряжения надиоде соответственно,температурный коэФФипиентнапряжения на диоде;тепловое сопротивление корпуса диода.
СмотретьЗаявка
4357469, 04.01.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5594
НИКОЛАЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, КОЛЕСНИКОВ АЛЕКСАНДР АЛЕКСЕЕВИЧ, МУСАТОВА ЕЛЕНА МИХАЙЛОВНА, ЛОВИНСКИЙ ЛЕОНИД СЕМЕНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: диода, излучения, мощности, полупроводникового
Опубликовано: 15.03.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1550443-sposob-opredeleniya-moshhnosti-izlucheniya-poluprovodnikovogo-dioda.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения мощности излучения полупроводникового диода</a>
Предыдущий патент: Устройство для испытания высоковольтной изоляции на электрическую прочность
Следующий патент: Устройство для контроля контактирования выводов электронных блоков
Случайный патент: Тупиковое устройство железнодорожных паромов