Способ определения ширины коллектора высоковольтного транзистора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1555693
Автор: Григорьев
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 19) (1)(71) Ленинградский институт точной механики и оптики(56) Шарма Б,Л Пурохит Р,К, Полупроводниковые гетеропереходы, М,: Советское радио, - 1979, с. 82,1 ЕЕЕ Тгапз. оп е 1 ессгоп Йеусез, 1970, ЕД,10, р, 843-852, (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ШИРИНЫ КОЛЛЕКТОРА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА (57) Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназна чено для определения ширины коллект о ост те о.сят ного мого но д нахо о ситокуколжностей эле Изобретен полупроводни и может быть рения ширины ового приборостроенияиспользовано для измеслабо легированной коласти высоковольтных дачи электгранице ренасыщения,екторнои о транзисторов,Цель изобретения - повышение точности определения,На чертеже изображена типичнаязависимость коэффициента усиленияот напряжения между коллектором, иэмиттером,При плотностях тока коллектора,не превышающих нескольких единицА/см , коэффициент усиления высоковольтного транзистора в режиме наированной ллекторе траниффузионная тора и 1.- д на дырок в ко Из выражения (1) в екторе. но, что оэф ода транзистов режим насы тупают из баи, как слеаточен для пере режима усиления то дырки не по оллектор, х = з, до сыщени щен зы,ду 1 к (Ь + 1) КгрЙ - гафию м ъ е ы(1) 1 СЬ Хк + Ь -(Ь+1)РС,р ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМПРИ ГКНТ СССР е относится к обдаст высоковольтного транзистора, Целью ретения является повышение точи, Способ основан на измерении имостей напряжения между эмитм и коллектором от уменьшающегоока базы при пропускании постоянтока коллектора, устанавливаев диапазоне 0,05-0,1 от предельопустимого, Ширину коллектора дят по значениям коэффициентов усиления по току транзистора,ветствующим двум изломам на зав мости коэффициента усиления потранзистора от напряжения междулектором и эмиттером, использутематическую формулу, приведенописании изобретения, 1 ил. где Ь - отношение подв ронов и дырок; г - коэФФициент пе ранов в базе н жимов усиления=х/1 х-,ширина модуобласти в ко циент усиления высоковольтногоанзистора имеет два граничных знания, Действительно, если ток базы5залось равным 15 10с, то Ь =- 162 мкм. Получают сд = 137 мкм,1555693 6зависимость коэффициента усиления по току транзистора от напряжения между эмиттером и коллектором, опрея5деляют значения коэффициента усиления по току транзистора, соотвеуствующие изломам на этой зависимости, а ширину коллектора ц высоковольтМного транзистора рассчитывают из10 соотношения формула из обре тени ЯЪ+1) + 3, Р -ЬД,5, )15 где ЬК оставитель В,Масловскийехред А. Кравчук ,Корректор И,Муск актор Н,Бобкова Тираж 556 Порственного комитета по иэобретениям и 113035, Москва, Ж, Раушская на Заказ 555ВНИИПИ Госу писное открытиям д 4/5КНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 10 Способ определения ширины коллек тора высоковольтного транзистора, включающий пропускание через транзистор, подключенный по схеме с общим эмиттером токов базы и коллектора, измерение напряжения между коллектором и эмиттером, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности, значение пропускаемого тока коллектора устанавливают постоянным в диапазоне 0,05-0,1 от предельно допустимого значения, увеличивают ток базы до ввода транзистора в область насыщения, затем уменьшают ток базы до выхода транзистора из области насыщения с соответствующим измерением зависимости напряжения между эмиттером и коллектором от тока базы, по которой определяют Ргдиффузионная длина дырокв коллекторе 3отношение подвижностейэлектронов и дырок;значения коэффициента усиления по току транзистора,соответствующие изломам назависимости коэффициентаусиления по току транзистора от напряжения между коллектором и эмиттером,
СмотретьЗаявка
4365919, 02.11.1987
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ИНСТИТУТ ТОЧНОЙ МЕХАНИКИ И ОПТИКИ
ГРИГОРЬЕВ БОРИС ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: высоковольтного, коллектора, транзистора, ширины
Опубликовано: 07.04.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1555693-sposob-opredeleniya-shiriny-kollektora-vysokovoltnogo-tranzistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения ширины коллектора высоковольтного транзистора</a>
Предыдущий патент: Устройство для контроля транзистора с инверсным коэффициентом усиления более 1
Следующий патент: Мера магнитной индукции
Случайный патент: Устройство для подъема груза на летательный аппарат