Способ определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила

Номер патента: 1583477

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа

...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...

Номер патента: 1203553

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Зенкович, Онегин, Урбанович

МПК: G06K 9/32

Метки: контактных, координат, кристалла, площадок

...операцию умножения Бпу на соответствующеезначение адресной координаты. С выхода блока 3 на второй вход сумматора 4 поступает сигнал, соответствующий значению Бзтнр у , а на первый вход сумматорапоступает сигнал, соответствующий Бп х . Свыхода блоков 5 и 9 на первые входысумматоров 4 и 7 поступают сигналы,соответствующие значению адресныхкоординат хи у 2 , На выходеакр а рсумматора 4 появляется сигнал, зна 5 12Строчный синхронизирующий сигнал36 (фиг. 4) с выхода телевизионногодатчика 1 поступает на первый входвторого логического блока 8 и далеечерез элемент И 26 на вход счетчика28, который подсчитывает число поступивших импульсов, Видеосигнал от контактной площадки кристаллов 35 такжепоступает на первый вход блока 8 идалее подается ча...

Номер патента: 374531

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Капуров, Кузнецова, Пахомов, Руссова, Сильницка

МПК: G01N 23/207

Метки: дигидрофосфата, калия, кристаллов, несовершенства, структурой

...полученных на нефильтрованном Мок излучении, увеличивается, то это свидетельствует о более высоком совершенстве из- О лучаемых кристаллов.Рассмотрение отношения интегральных интенсивностей 1 (008)/1 (0012) для 42 кристаллов КН 2 Р 04 с примесями в растворе К 1504, Мп 50.1, СцС 1 а, РеСз, К 2 С 04 и с введением в 5 раствор купферона, трилона Б, ЭДТА показывает, что введение в кристалл примесей г е+, Сг+ приводит к уменьшению отношения интегральных интенсивностей отражений (1 (008)/ /1 (0012 до 7 - 8, а более чистые совершен- О ные кристаллы дают отношение этих же пнУгол плоскости 2338 4822 7544 11 О 49 2411 3754 004 008 0012 сильныеочень сильныеслабые Составитель Е. Шульгин Техред Е. БорисоваРедактор Л. Народная Корректор Е....

Номер патента: 642798

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кревс, Пашковский, Спитковский, Чеджемова

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, ориентации, структурой, сфалерита

...исв 15 5 е,типа У тямиы конкретного использования мого способа.м е р 1, Поверхность 1 П( мо НТе, выраженного из гаэоимпульсно индентируют алрамидой микротвердомера тс нагрузкой 5 г. На исс верхности системы полос с уют равносторонний треугольдая иэ сторон которого дает ческое направление типа н и- ледвико длческо лов, произ талла скость скола Нгье, выращениндентируют после чего на; е р 2. Пл кристалла м Бриджмен примеру 1,Прим 1110 ( мо ного метод аналогично преде- нтации Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению и можетбыть использовано в кристаллографии,в частности, для определения кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов,Известен способ определения кристаллографическойориентации непрозрачных...

Номер патента: 1175186

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Валеев, Глюк, Демина, Мироненко, Михайлов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: берилла, кристаллов, структурой

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА на основе бериллиевого индиалита, включающий нагрев шихты, содержащей оксиды Mg, Be, Al и Si в тигле, кристаллизацию и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, оксиды берут в соотношении, соответствующем формуле Mg2-x Be1+x Al2 Si6 O18 где x = 0,00 - 0,45, нагрев ведут до 1450 - 1500oС, а кристаллизацию проводят путем опускания тигля со скоростью 2 - 3 мм/ч через зону с температурой 1360 - 1380oС.