Устройство для контроля совершенства кристаллической структуры диэлектрических стержней с парамагнитными примесями
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51) М. К,Ь 01 М 27/78 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОВЕРШЕНСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТЕРЖНЕЙ С ПАРАМАГНИТНЫМИ ПРИМЕСЯМИ Изобретение относится к обла ти кванточено для, испольством для осевого перемещенияволновод заключен в экран, в киены окна соосно с полюснымими электромагнита. стержня, а тором выпол наконечника вои радиоэлектроники и предназнаанализа диэлектрических стержнейзуемых в лазерак и мазерах.Известны устройства для конттропии диэлектрических стержнейнитными примесями, основанные нвании спектрометра электронногоного резонанса 111 .Эти устройства не обеспечивно высокой точности контроля всл роля анизо с парамага использоарамагнитают достаточ О едствие помех, наводимых на выходе спектрометра.Известны также устройства, содержащие спектрометр ЭПР с помещенным в зазоре электромагнита объемным резонатором, сог- д ласованной нагрузкой которого является короткозамкнутый волновод с исследуемым стержнем и ферромагнитным экраном 21.Недостаток этих устройств заключается в том, что при анализе длинных стержней 20 требуются электромагниты с большим диаметром полюсных наконечников, что увеличивает габариты электромагнита,Для уменьшения габаритов электромагнита предлагаемое устройство снабжено сред На чертеже показано предлагаемое устроиство.Устройство содержит цилиндрический резснатор 1, электрически связанный через регулируемое диафрагмой 2 отверстие связи 3 с короткозамкнутым медным волноводом 4, в котором расположен исследуемый стержень 5. На волновод 4 спиралеобразно намотано по всей длине десять слоев листового пермаллояэкран 6, Волновод припаян к крышке 7 резонатора 1. У места крепления к резонатору в экране просверлено окно 8, которое закрывается медными пробками. Стержень перемешается с помощью винта 9, который одним концом прикреплен к держателю стержня. Поступательное перемещение стержня обеспечивается гайкой с накаткой, закрепленной неподвижно. Резонатор 1 прикреплен к СВЧ-тракту спектрометра ЭПР с помощью фланца 10,Дезонатор помещается в магнитное поле так, чтобы окно 8 находилось в центре зазоПодписное Совета Министров ССС открытий аб д,4/5осударстве по дела Москва, Ж 3035,Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ра между полюсчыми наконечниками электромагнита.С помощью окна в полости волновода, огна иченной величиной отверстия, создаетсямагнитное поле, отличающееся по величинеот поля, в котором находятся другие частиисследуемого стержня, Экран из пермаллояобеспечивает уменьшение напряженности магнитного поля в полости волновода н а 100 -150 Э по сравнению с его величиной в про а 8,странстве, ограниченном размерами окнЭто позволяет наблюдать сигнал ЭПР от отдельных частей стержня и по его виду судить"ове шенстве кристаллической структуры,Ор15Однородность магнитного поля требуется соблюдать только в месте расположения окон в ферромагнитном экране, что снижает требования х электромагнитам, позволяет контролировать стержни, длина которых боль ше диаметра полюсных наконечников электромагнита, Таким образом в предлагаемом устройстве могут быть использованы малогабаритные магниты,25 Формула изобретения Устройство для контроля совершенства кристаллической структуры диэлектрических стержней с парамагнитными примесями, содержащее спектрометр ЭПР с помещенным в зазоре электромагнита объемным резонатором, согласованной нагрузкой которого является короткозамкнутый волновод с исследуемым стержнем и ферромагнитным экраном, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения габаритов электромагнита, оно снабжено средством для осевого перемещения стержня, а волновод заключен в экран, в котором выполнены окна соосно с полюсными наконечниками электромагнита,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;1, ПТЭ1, 1973 г.,стр.291 Л,Н. Дранов и др. "Контроль анизотропии диэлектрических стержней с парамагнитными примесями на основе ЭПР"2. Авторское свидетельство3711498, класс 601 М 27/78, 1971 (прототип),
СмотретьЗаявка
2022344, 30.04.1974
ДРАНОВ ЛЕВ НИКОЛАЕВИЧ, КИЧИГИН ДМИТРИЙ АНДРЕЕВИЧ, ЧЕРНИНА ЭРЛЕНА АЛЕКСАНДРОВНА
МПК / Метки
МПК: G01N 27/78
Метки: диэлектрических, кристаллической, парамагнитными, примесями, совершенства, стержней, структуры
Опубликовано: 15.08.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-525016-ustrojjstvo-dlya-kontrolya-sovershenstva-kristallicheskojj-struktury-diehlektricheskikh-sterzhnejj-s-paramagnitnymi-primesyami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для контроля совершенства кристаллической структуры диэлектрических стержней с парамагнитными примесями</a>
Регулируемое устройство связи измерительного резонатора радиоспектрометра эпр с волноводом
Номер патента: 1716412
Опубликовано: 28.02.1992
МПК: G01N 24/10
Метки: волноводом, измерительного, радиоспектрометра, регулируемое, резонатора, связи, эпр
...связь с резонатором непосредственно при смене образцов в процессе эксперимента, т,е. оптимизировав связь для каждого образца.Известно устройство регулировки связи, обеспечивающее перемещение настроечного штыря с помощью кулачкового механизма.Недостатками данного устройства являются наличие люфтов в устройстве, приводящих к появлению микрофонного эффекта; наличие деталей сложной конфигурации, в частности для обеспечения прямолинейного движения настроечного штыря необходимо эллиптическое движение вала кулачка; перекосы настроечного штыря, обусловленные погрешностями изготовления, вызывают искажения возбуждаемого в резонаторе поля. Все указанные недостатки в итоге ухудшают точность измерения радиоспектрометром,Целью изобретения является...
Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах
Номер патента: 517863
Опубликовано: 15.06.1976
Авторы: Двинских, Маслов, Парусов, Сергеев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах
...смещения; 5 в селективный вольтметр первой гармоники; 6 - селективный вольтметр второй гармоники; 7 - фильтр, выделяющий первую гармонику.Устройство для измерения профиля представляет собой генератор 1 строго гармонических колебаний, соединенный с измерительной цепью, состоящий из последовательно соединенных испытуемого образца 2 и параллельного колебательного контура 3, настроенного на удвоенную частоту генератора. К выходу генератора 1 присоединен селективный вольтметр 5 первой гармоники. С колебательного контура 3 напряжение второй гармоники подается на селективный вольтметр 6 второй гармоники, а напряжение первой гармоники через фильтр 7 первой гармоники уппавляет выходным напряжением генератора 1,517863 3Параллельно...
Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах
Номер патента: 805781
Опубликовано: 15.01.1984
Автор: Сергеев
МПК: H01L 21/66
Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах
...управляемый источник второй гармоники, коммутатор и фильтр, выделяющий вторую. гармонику, прячем коммутатор соединен с регулируемым выходом управляемого. генератора гармонических колебаний, с выходом источника обратного смещения, селективным вольтметром второй гармоники и выходом управляемого источника второй гармоники, сигнальный вход которого соединен с нерегулируемым выходом генератора, а регулирующий вход через фильтр, выделяющий вторую гармонику, подключен к колебательному контуру.На чертеже приведена функциональ-ная схема предлагаемого устройства.805781 3Устройствосодержит управляемый генератор 1 гармонических колебаний частоты ш образец 2, параллельный колебательный контур 3, настроенный на частоту 2, источник 4 обратного...
Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах
Номер патента: 902600
Опубликовано: 30.05.1984
Автор: Сергеев
МПК: H01L 21/66
Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах
...работает следующим образом.С выхода управляемого генератора 1 гармонические колебания частоты й) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте, 2 И, Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники, Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при...
Устройство для измерения профиля легирующей примеси в полупроводниковых структурах
Номер патента: 1061591
Опубликовано: 07.01.1986
Автор: Сергеев
МПК: H01L 21/66
Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах
...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...
Предыдущий патент: Способ полярографического определения метилметионинсульфонийхлорида (витамин “и”)
Следующий патент: Устройство для регулируемого охлаждения пробы
Случайный патент: Способ получения синтетических жирных кислот