Способ получения полупроводниковой светоизлучающей структуры
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 511794
Авторы: Чармакадзе, Чиковани
Текст
Ой МГАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(11) 511794 М АВТОРСНОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ 61) Дополнительное к авт. сви явлено 28,05,73 21) 1922832/2 1, Кл,Н 05 В 33 с присоединением заявки207304 ударстее вета Мин о делам ии отн ыи номите строе СССР обретений ытий(71) 3 аявите 4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОИ СВЕТОИЗЛУЧА ЮШЕЙ СТРУКТУРЫнорного ипа, ае тс о первого раствора-распновременно донорныеОбразованный растворчение 1-7 сек при по ава, содержащего одакцепторные примеси,выдерживается в тетоянной температуСогласно опис способу,получетуры проводитсясии в графитовойаюшей техноло 5 ОМУ ние светоизлучаюшеи струкметодом жидкостной эпитакассете по способу сталкивгии на подложке р-типа арсориентацией (100). енида галли став шихты д о раствора- ра пла 0 (5,06 одложкой створом и рас плавом помещается в кварцевый реактор,находящийся в температурном поле с нео 25 большим положительным ( "- 3 /см) верт Изобретение Относится к области электронной техники и может быть использованов технологии светоизлучыоших приборов всистеме твердых растворов галлий-алюминий м ьтше якИзвестен спосОО получения структур методом жидкостной эпитаксии и изометрическом поопессе пои изменении объема исостава раствора,Недостатком известного способа получения Является невозможнОсть еГО ИЕПОСРедственного использования для получения светоизлучающих стоуктур с компенсированнойактивной Областью и однородным распределением алюминия в области рекомбинации,Ылью изобретет 5 ия еевлЯется разработкаконкретных технологических режимов получения компенсир онат-.,ного и О 1 нооодного ттосоставу сч ОЯ, Обес,.".ва 1 ошего выокуюэфф,к,ь изчельней рекомбинацииЭто достигается тем что процесс выращивания производится при последовательНОЙ смене тга подложке из арсенида галлиядвух растворов-расп:тавов, причем второйраствор-расплав., содержащий примесь доадвигается так, что на под слой толщиной 200-600 м1794 16+РЦД М. ПЕЕЫХМ КОРРИ:ТОР В, Е прияыы Редактор Н. Лвнипавнч Заказ 5361/163 Тираж 1029 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открь 1 тий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 51кальным градиентом, После достижения темопературы 960 + 5 С и выдержки при этойтемпературе в течение 30 мин первыйраствор - расплав подвигается на подложку и при снижении температуры со скоростью0,5 2 оС/мин производится вырашиваниепервого р-слоя, Через 50 мин производится надвнг второго раствора-расплава, причем,что предусмотрено конструкцией кассеты,слой первого раствора-расплава толшиной200-600 мкм остается на подложке.Образованный раствор выдерживается припостоянной температуре в течение 1-7 сек,при этом происходит рост компенсированной р-активной области толшиной 1-2 мкм.При последующем снижении температурырастут Гъ, ц и:,1 слои,В конце процесса раствор-расплав удаляется с подложки.Полученная структура имеет эффективность излучения на длине волны 650"690 нм до 5"Ь.Ф эрмула изобретенияСпособ получечия полупроводниковой светоизлучаюший структурь;, содержашей э"нтаксигльные слои на основе твердых растворов в системе С а Ав -А.,ьпутем изотермического смешивания двух растворов-расплавов, содержаших донорные и акцепторныепримеси, при резком изменении объема расплава, находящегося на подложке из арсенида галлия, о т л и ч а ю ш и й с ятем, что, с целью обеспечения увеличенияэффективности излучательной рекомбинацииза счет создания однородной по составукомпенсированной активной области, вырашивание активной области ведут при надвиге раствора-расплава, содержашего регулирующую примесь.ь-типа, например, теллур,на слой первэго раствэра-расплава толши 15, гноя 200-600 мкм, водержаший эдновре. енн о д онорн ые и ах цепторн ые прим еси,папоимер, теллер и шп и, .и последуюшей вь. -дерыкой на пэдлэме образованного рас-. -вара-расплава,29 2, Спэсэо пэ и, 1, э т л и ч а ю ш и йс я тем, чтэ время выдержки образования раств эра-расплава на и эдлэжке составдяе. 1-7 сок,
СмотретьЗаявка
1922832, 28.05.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1172
ЧАРМАКАДЗЕ Р. А, ЧИКОВАНИ Р. И
МПК / Метки
МПК: H05B 33/10
Метки: полупроводниковой, светоизлучающей, структуры
Опубликовано: 05.10.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-511794-sposob-polucheniya-poluprovodnikovojj-svetoizluchayushhejj-struktury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковой светоизлучающей структуры</a>
Предыдущий патент: Способ потоконтроля потока быстрых нейтронов
Следующий патент: Осциллографический феррометр
Случайный патент: Плотномер жидкости