Чармакадзе

Номер патента: 773795

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

...естественные, неконтролируемые примеси из источников окиси бора, цинка, азота,аргона, кобальта, меди и др.Первый контакт 4, например из алюминия, наносится на слой ЯЧИ, второйконтакт 5 образуется нанесением индияна слой бай.При подаче прямого смещения происходит инжекция носителей заряда вбай, имеющая односторонний характер,что обусловливается наличием инжектирующего гетероперехода б между эпитаксиальными слоями Сай 2 и Я РМ 3 ирекомбинацией.в слое Сай.Излучение выводится через сапфировую подложку, а также из слоя А 2 Й,являющегося оптическим окном,Полупроводниковое светоизлучающееустройство характеризуется эффективной инжекцией, малой напряженностьюполя Е1,5 10 В/см весьма высокойравномерностью излучения по всей поверхности...

Номер патента: 470244

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Алферов, Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/02

Метки: полупроводниковая, светоизлучающая, структура

...и малойэффективности излучательной рекомбинации.Бель изобретения - увеличение эффективности излучательной рекомбинации. о Для этого в структуре создаются эпитаксиальные монокристаллические слои твердого раствора Ца АРАв, содержащие компенсированный р-слой и И -слой с концентрациями свободных носителей в пределах ми. но о порядка, затем матф -слой и прилегающий к нему матф -слой на поверхности.На чертеже схематично показана предложенная структура,15 Структура имеет вид Р -тт -(о АР"4 нл 1) р-слой, компенсированный рацией свободных носителей тока кых с примесью Етт ) (0,4-2)толщиной 16-38 мкм;состав по А 2) тт -кекомпексированный сл 18 -3 ааккый Те с ие (1-5)10 см 5 12-26,мкм; состав иоА 1 А 832-4. Папп Орловская едак Подписное ета...

Номер патента: 511794

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/10

Метки: полупроводниковой, светоизлучающей, структуры

...1 ошего выокуюэфф,к,ь изчельней рекомбинацииЭто достигается тем что процесс выращивания производится при последовательНОЙ смене тга подложке из арсенида галлиядвух растворов-расп:тавов, причем второйраствор-расплав., содержащий примесь доадвигается так, что на под слой толщиной 200-600 м1794 16+РЦД М. ПЕЕЫХМ КОРРИ:ТОР В, Е прияыы Редактор Н. Лвнипавнч Заказ 5361/163 Тираж 1029 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открь 1 тий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 51кальным градиентом, После достижения темопературы 960 + 5 С и выдержки при этойтемпературе в течение 30 мин первыйраствор - расплав подвигается на подложку и при снижении...