Способ измерения температуры полупроводниковой структуры

Номер патента: 480925

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

ZIP архив

Текст

(1) 480925 Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 10,07.72 (21) 1808116/18-10 1) М.Кл. 6 011 с 11/00 трисоединением заявкиГосударственныи комитет Говета министров СССР по делам изобретейий и открытий(53) УДК 536.51(088,8) 8.75. Бюллетень М Дата опубликования описания 14,09,7 2) Авторы изобретения Г. Калашников, Б. В. Корнилов, Ю, И. Завадский и И. В. Карпов Институт радиотехники и электроники АН СССР(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫе кремния, м, показало, не во всех орых реалирок и элект - время длина дрейдиффуз ионПредмет пзобрстсп Изобретение относится к области электронной техники, автоматики и теплотехники, Оно может найти применение в различных электронных схемах, где требуется прецизионное измерение температуры или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у которого ЬЯр,2 Х, легированном цинком, при помещений его в 2электрическое поле. Исследованлегированного цинком и фосфорочто колебания тока наблюдаютсякристаллах, а в тех из них, в коб зуются условия;1) Ртд ) ттт 02) др) диф3) р)5 10 ом смздесь р, а - концентрации дь1 о тронов в полупроводнике, т,жизни электронов и дырок, 1.,р -фа неосновных носителей, 1.дпф -ная длина. Способ измерения температуры полупроводниковой структуры, заключающейся в определении температуры внешней среды с по мощью пластины, компенсированной донорными и акцепторными примесями, питаемой постоянным напряжением, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, прикладывает электрическое поле такой вели чины, что дрейфовая длина неосновных носителей становится больше диффузионной.

Смотреть

Заявка

1808116, 10.07.1972

ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИ КИ АН СССР

КАЛАШНИКОВ СЕРГЕЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, КОРНИЛОВ БОРИС ВАСИЛЬЕВИЧ, ЗАВАДСКИЙ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ, КАРПОВА ИРИНА ВЛАДИМИРОВНА

МПК / Метки

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

Опубликовано: 15.08.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-480925-sposob-izmereniya-temperatury-poluprovodnikovojj-struktury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения температуры полупроводниковой структуры</a>

Похожие патенты