Способ измерения температуры полупроводниковой структуры

Номер патента: 1327014

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Авдеев, Блистанов, Гераскин, Кошелев, Ледов, Сорокин

МПК: G01R 13/40

Метки: напряженности, оптоэлектронное, поля, электрического

...образом.Свет от источника 1 монохроматического излучения проходит через модулирующий элемент 2 с сформированной н нем регулярной доменной структурой и через диафрагму 4 поступаетна фотоприемник 5. Модулирующий элемент помещается в измеряемое электрическое поле, в результате чего наэлектродах 3 появляется наведенноеэлектрическое напряжение (измерительнапряженности электрического поля), 55или электроды 3 электрически соединяются с источником измеряемого напряжения (измеритель электрическогонапряжения), Под действием напряжения, приложенного к электродам или наведенного на них, происходит изменение показателя преломления Дп в электрооптическом материале модулирующего элемента, Так как оси соседних доменов направлены навстречу друг...

Номер патента: 1200218

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Зимин, Кочанов, Плаксин, Стрелков, Хорев

МПК: G01V 3/06

Метки: воде, морской, напряженности, носителя, подвижного, поля, электрического

...консоли 11. Синхрониэирующиесигналы, а также сигналы с измерительных электродов подаются по кабелям12 в герметичный контейнер 13, гдеразмещен блокэлектроники. 45 8 Вращающаяся база 4 представляет собой круговой цилиндр, выполненный из диэлектрика, длина образующей которого на порядок меньше радиуса его основания. Внутри цилиндра на его оси расположен внутренний измерительный электрод 1 (графитовый или хлорсеребряный) находящийся в проводящей среде, заполняющей объем цилиндра, с внешней средой электрод сообщается через контактное отверстие 5 круглой нли прямоугольной формы, проделанное в боковой поверхнос-, ти цилиндра. Потенциал, воспринимаемый контактным отверстием 5, передается в изолированный объем цилиндра к внутреннему...

Номер патента: 109290

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Котович

МПК: G01R 21/12

Метки: величины, компарирующее, электрического

...- интерферометр, действие которого не зависйт от частоты электромагнитного поля в коаксиальном кабеле.Поэтому для получения эталонного отклонения язычка может бытьприменено напряжение низкой частоты.Установка язычка в щели коаксиальной линии показана на фиг 1.Блок-схема устройства изображена на фиг. 2.К линии, в прорези которой установлен язычок, подводится попеременно с помощью переключателя П напряжение, модулированное сигналом прямоугольной формы со скважностью 1: 1 от генератора 2 сверхвысокой частоты, или напряжение от генератора прямоугольных сигналов 3. В результате действия механических сил электромагнитного поля на язычок с частотой, равной основной резонансной частоте язычка, последний приходит в колебание.Отклонение язычка...

Номер патента: 408243

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 33/02, G01R 33/12

Метки: магнитного, параметров, полей, электрического

...его остаточная поляризация или на магниченность. Кроме того, воздействие напроницаемость осуществляется,без переполяризации или перемагничивании сердечников по предельным гистерезисным петлям, что исключает наличие сплошного спектра шумов 10 из-за скачков Баркгаузена. На чертеже приведена функциональная схема измерительного устройства, реализующего способ.15 Устройство состоит из первичного преобразователя 1, содержащего сегнетоэлектрический или ферромагнитный сердечник и связанные с ним соответственно обкладки или катушку, нагревательного устройства 2,20 совмещенного с преобразователем или находящегося в непосредственной близости от него, инерционного регулятора температуры 3, малоинерционного теплового инжектора 4, имеющего...

Номер патента: 949852

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Гугняк, Сорокин

МПК: H05H 1/00

Метки: мощности, плазматроне, разряда, электрического

...в одной из нихВЧИ плазменного разряда; на фиг. 3 -схема с ВЧЕ плазменным разрядом; нафиг, 4 - схема с СВЧ плазменным раз" 20 рядбм; на фиг. 5 - схема с электродуговым разрядом; на фиг. б - чертежВЧ плазмотрона с датчиками статического давления; на фиг, 7 - графикизменения разности давлений й Р приизменении мощности разряда для двухразличных расходов газа.Способ осуществляется следующимобразом.Если через завихритель ввести газв камеру плазмотрона с расходом Я,то его расход установится одинаковым949852 Формула изобретения г по Я/2, если условия течения газа вних одинаковые (фиг. 1),Но если на одну из труб поместитьйндуктор и зажечь разряд, то условияистечения .газа изменяются (фиг. 2) ив свободную от разряда часть трубыувеличивается...