G01K 7/01 — с использованием полупроводниковых элементов с PN-переходом

Номер патента: 146534

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Удалов

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...улучшенной характеристикой и возможностью снижения расхода тока. Это достигается тем, что диод включен относительно 15 сточника тока в запирающ)м направлении.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства. иоднь 1 й датчик температуры выполнен в виде монокристалла 1 германия или кремния. Электронная и и дырочная р области снабжены невыпрямляющими контактами, к которым присоединены выводы необходимыс для включения датчика. Поверхность монокристалла покрывается заЩитным слоем лака или Он ге 1)метизи 1)уется В баллонеЛ 10510 к)исталлв запира 1 ощем направлении включен в электрическую цепь, состоящу 1 О из измерителя 2 тока и источника 3 питания. Температура среды определяется по результатам измерения тока в цепи, так как известно,...

Номер патента: 180379

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Архипова, Байко, Гришуков, Калашников

МПК: G01K 7/01

Метки: вентилей, запирающего, полупроводниковых, слоя, температуры

...Дата Оц оликоваг Авторыизоуретецих В, ф. Байко, Л. С. Гришуко А. Калашиик и И. В. Архипова Заявитсл СОБ ОП РЕДЕЛ ЕНИЯ ТЕМП ЕРАТУРЪ 1 ЗАП И РАГОЦЕГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ 1 Х ВЕНТИЛЕЙ Г 1 редмет изоо рстеция Г 1 ЗВССТИЫЕ СПОСОбЫ ОППЕдРЛаиця таПара Г; ры запирающего слоя цолупроводциковых вецтилей, осцоваццые, например, ца измерении величицы прямого измерительцого тока при постоянном цапряжеции, приводят к значитсльцым погрешцостям при измереции из-за целицейцой зависимости тока от температуры.Предложешцяй способ измерения температуры запирающего слоя полупроводицковых вентилей позволяет снизить погрешности при измерсшгях благодаря тому, что по вентилю в испроводящий полупериод пропускают измерительцый ток с импульсамц прямоугольной...

Номер патента: 180380

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Архипрва, Байко, Гришукоп, Калашников

МПК: G01K 7/01

Метки: вентилей, запирающего, полупроводниковых, сопоя, тел1пературы

...вептилей дают значительные погрешности при измерениях.Предложенное устройство позволяет снизить погрешности при измерениях благочар тому, что к питяощи 1 зджимах 1 исследуехого вентиля подключсц трансформатор, сфазированный по отношению к силовой цепи со сдвигом фаз ца 180, который управляет работой триода, открывая его в непроводящийполуцериод.11 я чертезке п 1 зедставлеия Гринцииитльия 51 схема устройства.Схема содержит исслед 5 емыЙ веитиль 1, вспомогательные вентили 2 и 3, поепятствуощие проникновению синусоцдальцого тока в цепь измереиий, источник постоянного токл 4, трио, , Поциждюциц изз 1 ерител иыи тр 1 нсформлтор 6 и сопротцвлецие 7.11 аботз схемы основана ца том, что в не- проводя;ций полупер иод измерцтельшл."....

Номер патента: 210020

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Дмитраш, Оболенский

МПК: G01K 7/01, G01R 31/27

Метки: отбойный, щит

...на влажных и липких грунтах не предотвращают налипания грунта на его аоверхность,Предложенный щит отличается тем, что его поверхность, отражающая струю грунта, облицована подвижными относительно одна другой пластинами, укрепленными на подпружиненных цепях.Благодаря такому выполнению щита предотвращается налипание на него грунта.На фиг, 1 схематически изображен описываемый щит и разрез по А - А; на фиг, 2 - то же, во время работы.На жесткой раме 1 в,шахматном порядке натянуты цепи 2, снабженные на концах прулсинными амортизаторами 3. К цепям прикреплены прямоугольные пластины 4, подвижные относительно одна другой.Струя грунта б, летящая с конвейера б ударяется о пластины 4, которые приходят в движение, В результате этого прилипающий к...

Номер патента: 254157

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Кривоносое

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...2, 8, и закрыты минусом напряжения источниКов 4 и б, 1 три повышении температуры среды ток транзистора 1 увеличивается, одновременно растет падение напряжения на резисторе б, плюсом приложенного к эмиттеру транзистора 2. Транзистор 2 закрыт до тех 5 пор, пока потенциал его эмиттера не превысит потенциал базы за счет падения напряжения на резисторе 6, что должно соответствовать температуре Т,. После открытия транзистора 2 начинает расти падение напряжения 10 на резисторе 7. При этом напряжение на коллекторе транзистора 1 остается постоянным и приблизительно равным напряжению на базе транзистора 2.Аналогично работают и остальные каскады.15 Таким образом, при изменении температурысреды происходит изменение тока на выходе одного из...

Номер патента: 364012

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01K 13/00, G01K 7/01

Метки: дистанционного, температуры

...включенных по схеме с общим эмиттером; блока питания 1 б, собранного на трансформаторе 17 напрякения, первичная обмотка которого включена вежду двумя фазами лнши питания электроустановки 5, а вторичная обмотка трансформатора 17, имеющая заземленную среднюю точку, подключена своими выводами через вентили 18 и 19 и стабилитроны 20 и 21 к усилителям 14, 15; измерителей 22 и 23 амплитуды напряжения (пиковый детектор с усилителем); стрелочного индикатора 24 со шкалой в градусах температуры,В каждые полпериода частоты питающей сети в кривой формы тока в коммутирующей фазе наблюдаются моменты отсутствия тока благодаря запаздыванию в открывании тпристоров обоих коммутирующих блоков 1 и 10, определяемому временем срабатывания тиристоров 3 и 12,...

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...

Номер патента: 556350

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Будянов, Глазов, Графский, Кривоносов, Кулиев, Маркович

МПК: G01K 7/01

Метки: освещенности, температуры

...9 - второй дополнительный диод; 10 - первый дополнительный диод; 11, 12 - дополнительные переменные резисторы; 13, 14 - постоянные резисторы; 15 - источник питания.Устройство работает следующим образом.Частота выходного импульсного сигнала является линейной функцией от контролируемой температуры, измеряемой термодиодами 3, 4, а скважность выходного импульсного сигнала - функцией освещенности, измеряемой фотодиодами 7, 8.Заряд конденсатора 5 осуществляется через б азово-эмиттерный переход открытого556350 Формула изобретения Составитель А, Терековдактор А. Осочннков Техред О, Тюрина Техред Л, Брахнин 995/18 Изд.400 Тираж 878 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министр по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская...

Номер патента: 567808

Опубликовано: 05.08.1977

Автор: Цветков

МПК: E21B 47/06, G01K 7/01

Метки: рудного, тела, температуры, термометр, электрический

...4 с выходными реле 5 и 6,Измерительная мостовая схема 1 состоитиз встречно включенных, объединенных длявзаимозаменяемости в батареи, рабочих 7 и8 и компенсационных 9 и 10 термисторов,линейных мостовых резисторов 11 и 12, балансного переменного резистора 13, шунтировочных, обеспечивающих линейность характеристики, резисторов 14 и 15, коммутирующих контактов 16, 17 и 18, 19 соответственно выходных реле 5 и 6 мультивибратора 4, демпфируюшего конденсатора 20, контрольных резисторов 21 и 22 и переменногорезистора 23 для периодической установкимаксимального отклонения выключателей 24питания мостовой схемы, 25 контроля мос5678 о. свидетельство СССР 01 К 7/24, 1965 г, свидетельство СССР 01 К 7/00, 1854 г. 2. АвторскоеМ 201724, кл. С 3,...

Номер патента: 600403

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Крецер, Стернзат, Фогельсон

МПК: G01K 7/01

Метки: термодатчик, транзисторный

...смещения. Измерительная схема 10 связана с базой последнего транзистора 5 и эмиттером первого транзистора 1.Возможно выполнение схемы транзисторного термодатчика, у которого эмпттерные резисторы второго, третьего и т. д. из первых Л транзисторов подключены к источнику 7 через резистор 8 транзистора 1, а коллекторы последних У транзисторов 4 и 5 подключены к базе последнего транзистора 5.В транзисторном датчике (см. фиг. 2) в начале цепочки у транзисторов 1, 2, 3, 4, 5 устанавливаются дополнительные транзисторь 1 11 и 12. Их коллекторы подсоединяются непосредственно к источнику 6 запирающего напряжения или базе последнего транзистора 5, эмиттеры через резисторы 13 и 14 - к источнику 7 прямого смещения, а один из выходов измерительной...

Номер патента: 655908

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Будянов, Будянова, Гребнев, Кривоносов, Сулицкий

МПК: G01J 1/00, G01K 7/01

Метки: освещенности, температуры

...в частоту генерируемых прямоугольных импульсов в соответствии с зависимостью1 оСБ фгде 1 о - термоток, обеспечиваемый Ютермодиодами 5,6;Е - напряжение источника питания 23;С - емкость разрядных конденсаторов 3,4. 15Уровень светового потока преобразуется в значение скважности генерируемых импульсов в соответствии сзависимостьюФ =1+ - -= 20иФа ББ -Й 1 фЪгде Ф =1 Ерй)С 1,251- длительности импульсов, снимаемых с коллекторов ключевых транзисторов 1,2;В - сопротивление переменных резисторов 11,12;1 цэ- значение Фототока, воспринимаемого фотодиодами 9,10.Конденсаторы 15,16 совместно странзисторами 17,18, включенные параллельно разрядным конденсаторам3,4, позволяют компенсировать влияние обратного тока базо-эмиттерногоперехода...

Номер патента: 711381

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Мачюлайтис, Мишкинис

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры, частоту

...причем, чем бодьше протекающий ток, тем сипьнее происходит инжекция. Возрастанию ведичины Гсд также способствует индуктивный характер реактивности эдемечта 7, так как в начапе быстрого Разряда конденсатора через сткрывающукхя структуру 1 токне может быстро возрасти, ЭтоС 5 О 5 20 25 30 35 40 45 50 81 4дополнительно уменьшает ДД Д и связанный с этим темп пакспдсния носит- пей в коппекторном псрсхсде с трукгуры 1,В случае, когда четырехсдойная структу.ра 1 вкдючена в схем ах преобразоватедей по анадогам и прототипу, ведичина С)3 Сц. явдяется постоянной и даже при очень мапой ее величине Ь оД обычно не превьшает 10 мкс, Согдасование величины О р Р- Н-Р- Н-струк-, туры 1 и О 1 р стабипитрона 2, как выше указано, равносильно подаче токовот о...

Номер патента: 773452

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Крылов, Кузьмин, Стребков

МПК: G01K 13/08, G01K 7/01

Метки: аппаратах, температуры, электрических

...образом конденсатор 7 периодически заряжается и разряжается, что вызывает периодическую генерацию импульсов светового потока, испускаемого светодиодом 9, При изменении температуры окружающей датчик среды величина напряжения на эмиттере транзистора 13, при котором происходит замыкание ключа 5, изменяется, что приводит к изменению частоты следования импульсов светового потока.Кроме этого,на частоту импульсов светового потока влияют температурные из"менення величины емкости конденсатора 7 и тока, протекающего через полевой транзистор 1 и резистор 3. Элементы в схеме датчика температуры выбраны таким. образом , что их суммарное воздействие на частоту следования импульсов светового потока при повышении Щ температуры приводит к...

Номер патента: 808876

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Крецер, Фогельсон

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...и источника питания.При отклонении напряжения питания от номинальной величины напряжение на выходе стабилизатора изменяется слабее входного, что, однако приводит к появлению приращений тока через резисторы 2 и 3 и приращений напряжения на.термодатчике и смежном плече моста - резисторе 1. Из-за нелинейности термодатчнка его динамическое сопротивление г не равно ста- тическому й. Практически г с й 1 50 С для всех германиевых к прнс 200 С для всех кремниевых термодатчиков. Вследствии этого, при отключенном от внешнего источника питания резисторе 10, приращение напряжения на резисторе 1 оказывается боЛьше, чем приращения напряжения на термодатчике, что приводит к появлению на нагрузке 5 диагонали сигнала. ошибки. При подключении...

Номер патента: 838409

Опубликовано: 15.06.1981

Авторы: Крылов, Кузьмин

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...вернулась в исходное состояние, т.е. транзистор 9 заперт, а транзистор 8 работает в режиме усилителя постоянного тока. После возвращения схемы в исходное состояние вновь начинается заряд конденса тора 10, и описанный процесс повторяется. Таким образом, схема генерирует короткие импульсы тока, протекающего через транзисторы 8 и 9, Ток, протекающий по реэисторУ 7 во время 45 заряда конденсатора 10, практически равен току коллектора 3транзистора 8, поскольку ток, протекающий по резисторам 11 и 12, выбран значительно меньше,3 . Ток заряда конденсатора 50 10 также выбран значительно меньшеПоэтому ток, потребляемый датчиком температуры от источника питания,во время заряда конденсатора 10 практически равен току 3 Х .Во время разряда...

Номер патента: 851117

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Кизема, Кочан, Кунаковский, Лиманюк, Мильченко, Саченко, Троценко

МПК: G01K 7/01

Метки: темпера-туры

...вход которогопоступает сигнал из счетчика 6 времени, соответствующий времени эксплуатации ППТ 1 при измеряемой тем- фф пературе, При этом на выходе функционального преобразователя 5 Формируется сигнал, представляющий собой некоторую функцию двух переменных,являющуюся реализацией математичес- Щкой модели дрейфа,представленной, например, в форме полного дифференциала. Этот сигнал интегрируется повремени и температуре в двойном интеграторе 11 и через четвертый ключ 19 и второй запоминающий блок 20 по-. ступает на вход сумматора 2 пронэФводя коррекцию дрейфа характеристики ППТ 1 согласно математической модели дрейфа ППТ, реализуемой функциональным преобразователем 5 и интегратором 11 . При изменении температуры по команде дифференциатора...

Номер патента: 853424

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Логвиненко

МПК: G01B 7/16, G01K 7/01, G01R 33/06 ...

Метки: магнитного, механи-ческих, напряжений, напряженности, поля, температуры

...образованный областями 2 и 4 пластины 1, контакт 10; контакт б, область 2 пластины 1, контакт 8, входное сопротивление измерителя напряжения, подключенного к контактам 8 и 10, контакт 10. Измеритель напряжения входит в состав измеритель. ной схемы. Соотношение между токами в указанных цепях будет определяться соотношением сопротивления р-и-перехода и входного сопротивления измерителя напряжения. Для эффективной совместной работы термодиода и измерителя напряженности магнитного поля это соотношение следует выбирать таким образом, чтобы ток первой цепи, т.е. ток термодиода, был в пределах (10-50)10А. Протекание тока от контакта б к контакту 8 через область 2 вйэывает инжекцию носителей тока в эту область, имеющую малую толщину (2-5 мкм)...

Номер патента: 855412

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Алексеев, Харитонов

МПК: G01K 7/01, H03M 1/52

Метки: аналого-цифровой, температуры

...коэффициент преобразования, (фйй)А - температурный коэффициент сопротивления Ю,Т- абсолютная температура, С (под разумевается, что при 0 С К= К 1.Таким образом, на точность преобразования не оказывают влияния нестабильности: частоты генератора импульсов 7, постоянной интегрирования интегратора 5, выходного тока 1. Источник тока 1, смещение нуля интегратора 5 и нуль-органа 6.Устройство обеспечигает прямой отсчет температуры в диапазоне температур (-232- -+232) С.Устройство может использоваться для прямого отсчета других параметров, приводимых к изменению сопротивления, а также для прямого отсчета отклонения сопротивления при соответствующем выборе коэффициента преобразования с помощью кода уставки.Формула изобретенияАналого-цифровой...

Номер патента: 870972

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Брандорф, Голембо, Котляров, Ольшевская

МПК: G01K 7/01

Метки: термометр, цифровой

...3 устанавливают в исходное состояние, а триггер 5 в состояниеЧастота датчика и время измерения(счета) термометра находится в такомсоотношении, что при измерении отрицательных температур счетчик 3 тер"мометра за время счета не будет переполняться, поэтому триггер 5 будетоставаться в положенииПри измерении положительных температур, частота датчика увеличивается.Поэтому эа время счета счетчик 3 будет переполняться и триггер 5 будетустанавливаться в положении "+".По истечении цикла измерения сиг-.25нал "ПЕРЕНОС", поступающий из схемыуправления 4, переносит состояниесчетчика 3 в сдвиговые регистры 7,8,9 и 1 О и устанавливает триггер 6и счетчик 20 в исходное состояние.Тактовые импульсы из схемы управления ЗО4 сдвигают информацию,...

Номер патента: 898266

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Берлев, Герасин, Лапенко

МПК: G01K 7/01

Метки: полей, температурных

...в цепи отрицательной обратнойсвязи которого установлен третиймасштабный резистор. 20Компенсатор 8 содержит четвертый,пятый и шестой масштабные резисторы 23 - 25, второй и третий усилители 26 и 27, первый и второй полевыетранзисторы 28 и 29 и конденсатор 30.25Устройство для измерения температурных полей работает следующимобразом,Опорное напряжение О пс источникаопопорного напряжения 17 поступает навход первого усилителя 21 через первый масштабный резистор 18,и, черезпоследовательно соединенные второймасштабный резистор 19 и ключ 20.На управляющий вход ключа 20 поступает с выхода генератора 16, модулирующий сигнал Ос с частотой 1, На выходе усилителя 21 образуется пульсирую"щее напряжение с частотой Гкотороепоступает на вход управляемого...

Номер патента: 901841

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Воробьев, Зиновьев, Панков

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...приемник включает в себя активный элемент, например транзистор 1, колебательный контур, состоящий иэ индуктивности 2 и конденсатора 3, цепь авто3 90 смещения 1,резистор 4 и конденсатор 5)и приемную антенну б.Постоянная времени цепи авто- смещения выбирается больше постояццой времени контура, В этом случае в отсутствие сигнала в сверхрегенеративном приемнике образуются вспышки высокочастотных колебаний, период следования которых пропорционален постоянной времени цепи автосмещения, т,е, имеет место режим автосуперизации.При исследовании стабильности работы сверхрегенеративного приемника на транзисторе в широком диапазоне температур обнаружена сильная. зависимость частоты автосуперизации от температуры. Это можно объяснить изменением...

Номер патента: 922532

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Берлев, Герасин, Лапенко

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...образом.Опорное напряжение О с источника фю 1 напряжения поступает на первый вход модулятора 2, на другой вход которого с выхода генератора 17 поступает модулирующий сигнал. С выхода модулятора переменное напряжение че- фз реэ преобразователь 8 напряжение-ток поступает на диод 11., На диоде 11 .возникает переменная составляющая напряжения, величина которой определяется выражением: ЯО, - - Ео К+О,РД(К,-К,) 5, (КТ К2 яК, К,- коэффициенты передачи модулятора;5 - крутизна преобразователянапряжение-ток.На входы блока 15 компенсации поступают сигналы с выхода источника 1 напряжения, модулятора 2, а также напряжение О с выхода интегратора 14.При использовании в блоке компенсации полевых транзисторов с одинаковыми параметрами, на его...

Номер патента: 930021

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Брандорф, Голембо, Котляров, Ольшевская

МПК: G01K 7/01

Метки: термометр, цифровой

...делителя 6 подключен к второму входу тактирующего блока 3. Пер- ЗОвый выход схемы 8 управления подключен к входам "Установка в 0" делителя 6 и сумматора 4, второй выход - к ,входуфключа 2. Выходы сумматора 4 подключены к входам стробьскопической системы 9 индикации.Устройство работает следующим образом,При измерении температуры схема 8 управления открывает ключ 2. Ближайший входной импульс, пройдя через ключ 2, устанавливает в "1" триггер 10, который разрешает импульсам генератора 7 поступать на вход делителя 6. Входные импульсы поступают также на вход тактирующего блока 3, который запрещает одновременно поступление импульсов с выхода ключа 2 на вход "Перенос" сумматора 4 и импульсов с выхода к-го разряда делителя 6 в к+1 разряд, На...

Номер патента: 970131

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Кирьяшкина, Кузнецов, Роках, Старчаева

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...пары, разделякщиеся на контакте, Возникает фото-ЭДС, коТорая уменьшается с ростом температуры. При определенной температурепроисходит ФПМП, подтверждением чемумогут служить изменение характера.температурной зависимости сопротив 45 55 баритных объектов путем исключения их перегрева.Укаэанная цель достигается тем, что в датчике температуры, выполненном в виде пленки из полупроводникового материала с температурным 5 фазовым переходом с двумя электродами, размещенной на диэлектрической подложке, между пленкой из полупро.водникового материала с температур:ным фазовым переходом и одним из 10 электродов расположен слой из фотопроводящего материала, причем подложка и прилегающий к слою из фотопроводящего материала электрод выполнены...

Номер патента: 972258

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Дрожжин, Ермаков

МПК: G01K 7/01, G01K 7/16

Метки: выходом, датчик, температуры, частотным

...(точечный конронно-дырочный переход может быть сфор.мирован одним из известных способов,Нитевидный кристалл 2 жестко укрепленна подложке 8 специальным клеем с больи 10, образованных материалами с различными температурными коэффициентами 5 О линейного расширения (ТКЛР). Граница 11 раздела материалов подложки 8 совпадает с местоположением среднего контакта 4, т. е. с областью эмиттера одно- переходного транзистора 1. ТКЛР части 9 материала подложки 8 на максимально воз 55 можную величину меньше ТКЛР кремния, В качестве материала части 9 можно использовать, например, кварц, ТКЛР кототакт 4) сформирован электронно-дырочный переход, образующий область эмиттера однопереходного транзистора 1, которая разделяет кристалл на два участка:...

Номер патента: 979895

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Герасин, Добровольский, Лапенко, Лисовец, Поспелов

МПК: G01K 13/00, G01K 7/01

Метки: полей, температурных

...включен в цепи отрицательной обратной связи первого усилителя 21,выход, которого подключен к четвергомуи пятому масштабным резисторам 26 и 27, вторые выводы которых связаны свходом второго усилителя 22 у резистора 27 непосредственно, а у резистора 26через второй ключ 20, Шестой масштабный резистор 28 включен в цепи отрицательной обратной связи второго усилителя 22.Блок формирования рабочих сигналовсодержит диод 29, управляемый ключ 30,первый, второй и третий усилители 31-33, первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой масштабные резисторы 34 - 39, Один вход блока через последовательно соединенные первый резистор 34, первый усилитель 31 и четвертый резистор 37 подключен к входу третьего усилителя 33, в цепи отрицательной обратной...

Номер патента: 987411

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Крылов, Кузьмин

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...включении обеспечиз,".ет экракировку расположенных каподложке элементов транзистора итем самым обеспечивает снижение влияния помех.=ащита датчика посредством диодногз моста обусловлена тем, что напрякение любой. полярности, возникающее вликии связи, прикладывается к датчику в той полярности, при которой про,исходит его срабатывание, при этоцка выводах датчика ке возникает капряжекия, способного вывести его изстроя.На Фиг.1 представлена схема устройства; ка фиг.2 - схема подключения датчика к линии связи через дйодкый мост,Устройство содержит двухпроводнуюлинию 1 связи, на одном конце которой параллельно ей подключены ис.точник 2 питания и регистратор 3,65 а на другом - датчик 4 температурсодержащий усилитель с резистивно .нагрузкой ка...

Номер патента: 993042

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Викулин, Викулина, Пашкуденко, Чирков, Шапошников

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...противоположные плечи моста, используются в качестве термочувствительных 25элементов и устанавливаются на объекте, температуру которого необходимоизмерить. Остальнь 1 е два ( 2 и 4 полевых транзистора термостатируются.В измерительную диагональ моста вклю-зОчен вольтметр 5.При одинаковой температуре полевыхтранзисторов, включенных в одну и туже половину моста например, полевыетранзисторы 1 и 2), напряжение насредней точке между ними равно Ч, = -О 2где Е - напряжение источника питаниям,оста,При нагреве полевого транзистораего ток насыщения уменьшается (кри Овая "+Т" на фиг.2), что приводит кувеличению напряжения от Ч до +Ч; апри охлаждении ( кривая Т"" куменьшению до величины -Ч. Сравнительно небольшие изменения тока полевых транзисторов 1...

Номер патента: 1064156

Опубликовано: 30.12.1983

Автор: Чурбаков

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры

...через первый резистор, а коллектор второго транзистора соединен с шиной источника питания через вто-. рой резистор, введены два дополнительных резистора, источник опорного напряжения, выполненный в виде резистивного делителя, и два диф ференциальных усилителя, неинвертирующий вход одного из которых соединен с коллектором первого транзистора и с одним выводом первого дополнительного резистора, второй 55 вывод которого соединен с шиной источника питания, выход соединен с базами транзисторов, а инвертирующий вход соединен с выходом источника опорного напряжения и с неинвертируЬщим входом другого дифференци. ального усилителя, инвертирующий вход которого соединен с коллектором второго транзистора, а выход "оединен с измерительным...

Номер патента: 1075085

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Вилисов, Вяткин, Калинин, Криворотов

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температур, экстремальных

...измеренного при температуре ТоТ, не зависит от параметров внутреннего цикла, а определяется, как и для цикла Та" Т;Тз, максимальной температурой Т;. Для практического измерения максимальной температуры предварительно прокалиброванный туннельный диод необходимо выдержать в течение нескольких секунд при температуре жидкого азота Та для стирания его памяти к предшествующей высокой температуре и затем разместить на контролируемом объекте или в среде. При этом предполагается, что измеряемая температура не выходит за пределы То - Т. После окончания испытаний туннельный диод извлекают и термостатируют при температуре Тр. По завершении процессов релаксации измеряют величину пикового тока 3 и, пользуясь калибровочным графиком (фиг. 2) для...