Патенты с меткой «поликристаллического»

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Номер патента: 1029555

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балашова, Кузин, Семерчан

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

1. Способ получения поликристаллического алмаза, включающий воздействие сверхвысокого давления при высокой температуре на полую заготовку из углеродсодержащего материала с размещенным в ней металлом-катализатором, отличающийся тем, что, с целью повышения абразивной стойкости и размеров поликристаллов, в полость заготовки дополнительно вводят 4 - 90% от объема углеродсодержащего материала тугоплавкого материала, выбранного из группы: титан, гафний, ванадий, цирконий, ниобий, молибден, тантал, вольфрам, рений, хром, их сплавы или соединения с углеродом, азотом или кремнием, графитоподобный нитрид бора, оксид алюминия.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что из металла-катализатора...

Номер патента: 1369182

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Аркадьев, Кох, Лозовацкий, Назаров, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, кубовых, остатков, переработки, поликристаллического, производства, тетрахлорид, трихлорсилана

Способ переработки кубовых остатков производства трихлорсилана и поликристаллического кремния на тетрахлорид кремния, включающий испарение кубовых остатков, содержащих полисиланхлориды, при нагревании с одновременным хлорированием и последующую конденсацию полученных продуктов, отличающийся тем, что, с целью одновременного получения гексахлордисилоксана, хлорирование ведут при массовом соотношении хлора и полисиланхлоридов 0,05 - 0,2:1 и времени контакта компонентов 2 - 5 с.

Номер патента: 1568449

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Данов, Епихин, Копытов, Назаров, Огурцов, Томашов, Халиков, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, кубовых, остатков, переработки, поликристаллического, производства

Способ переработки кубовых остатков производства поликристаллического кремния, включающий двустадийное хлорирование кубовых остатков в жидкой фазе с получением тетрахлорида кремния, отличающийся тем, что, с целью снижения взрывоопасности процесса и повышения чистоты получаемого тетрахлорида кремния, используют кубовые остатки с массовым соотношением содержания тетрахлорида кремния и сумма полисилан- и полисилоксанхлоридов, равном 1: 0,05 - 0,11, первую стадию хлорирования осуществляют при массовом соотношении хлора и суммы водородсодержащих полисилан- и полисилоксанхлоридов, равном 0,5 - 0,75:1, затем отгоняют тетрахлорид кремния до массового соотношения содержания тетрахлорида кремния и...

Номер патента: 1422571

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Аркадьев, Аронов, Кох, Лозовацкий, Миттельштейн, Назаров, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/107

Метки: кремния, кубовых, остатков, переработки, поликристаллического, производств, трихлорсилана

Способ переработки кубовых остатков производств трихлорсилана и поликристаллического кремния, включающий их концентрирование, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полноты переработки пожаровзрывоопасных веществ, повышения безопасности процесса, а также его упрощения, кубовые остатки после концентрирования до содержания полисилан- и полисилоксанхлоридов 10 - 40 мас. % подвергают взаимодействию с водным раствором карбоната натрия при массовом соотношении кубовых остатков в пересчете на хлор и карбоната натрия, равном 1 : 1,6-3,3.

Номер патента: 820066

Опубликовано: 10.09.1999

Автор: Худяков

МПК: B22F 3/14

Метки: поликристаллического, порошка

1. Способ получения поликристаллического материала из порошка, включающий формование заготовки из порошка, термическую обработку, дробление, предварительное прессование и горячее изостатическое прессование, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и радиационной стойкости при температуре 0,1 - 0,6 температуры плавления перед формованием порошок подвергают обработке путем облучения атомами гелия, а горячее изостатическое прессование проводит при температуре (0,5 - 0,7) Т.пл. в режиме многократного циклического изменения температуры и давления, причем при увеличении температуры осуществляют снижение давления и, наоборот, в соответствии с уравнением(P1+4

Номер патента: 1413874

Опубликовано: 27.09.1999

Автор: Леонидова

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, основе, поликристаллического

Способ получения поликристаллического материала на основе алмаза путем воздействия давления и температуры на шихту, включающую углеродный материал и металлы-катализаторы алюминий и ниобий, помещенную в оболочку из графита, отличающийся тем, что, с целью обеспечения сверхпроводящих свойств, углеродный материал берут в стехиометрическом отношении атомов углерода к атомам алюминия, а ниобий - в количестве Х атомов на 1 моль образующегося соединения Al4С3, где 1 < X 103, а процесс ведут под давлением Р = 7 - 8 ГПа при 1000-1200oC в течение 30-60 с.

Номер патента: 871685

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кислородом, кремния, легированного, поликристаллического, травитель

Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%:Плавиковая кислота - 0,75 - 10Дифторид ксенона - 0,05 - 1,0Вода - 89,0 - 99,2

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Ободников, Юрков

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, поликристаллического, слоя

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Номер патента: 788565

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Боровикова, Верещагин, Вобликов, Каличкина, Кулибаба, Преображенский, Степанов

МПК: B24D 3/06, C01B 35/00

Метки: бора, поликристаллического, твердого

Способ получения твердого материала из поликристаллического бора, включающий термообработку бора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трещиноватости и повышения однородности структуры материала, порошкообразный бор подвергают термообработке при 1000 - 1500oС под давлением 20 - 90 кбар в течение 15 - 60 с.

Номер патента: 930851

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Волков, Котин, Кравцов, Поселянин, Семенов, Сивец, Трусов, Фролова

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, поликристаллического

1. Устройство для получения поликристаллического кремния осаждением его из газовой фазы на нагретые электрическим током П-образные кремниевые стержни, включающее охлаждаемый металлический кожух с электроизолятором внутри него, установленный на опорной плите, снабженной штуцерами для подачи и отвода реакционного газа и имеющей отверстия, в которых установлены электроизолированные токоподводы для крепления концов кремниевых стержней, отличающееся тем, что, с целью сокращения подготовительно-заключительных операций, электроизолятор выполнен в форме защитного пояса, закрепленного на внутренней стенке в верхней части кожуха.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электроизолятор...

Номер патента: 322948

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Верещагин, Калашников, Сухушина, Фекличев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

1. Способ получения поликристаллического алмаза типа природного "баллас" путем высокотемпературного нагрева под давлением углеродного, например графитового материала, совместно с катализатором, отличающийся тем, что, с целью повышения качества алмаза и получения алмаза с заданными свойствами, катализатор берут с рабочей частью выпуклой формы, например конусной или полусферы, и нагрев материала производят в течение более 4 с преимущественно 30 с при температуре, близкой к температуре плавления катализатора, с соблюдением градиента температуры от середины камеры к ее периферии.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве катализатора применяют металлы или их сплавы, например...

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Номер патента: 1588202

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Лесникова, Семенов, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

Номер патента: 1597019

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.