Способ получения поликристаллического алмазного материала

ZIP архив

Текст

,70.580,ии 01240526,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ МУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Ордена Трудового Красногмени институт сверхтвердых маалов АН УССР и Ордена ТрудовоКрасного Знамени институт физкой химии АН СССР(54) Ь 7) 1, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛИАЗНОГО МАТЕРИ" АЛА путем спекания алмазных частиц со связующим при температуре выше 1000 фС и давлении выше 35 кбар, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения, прочности поликристаллического материала, в качестве связующего используют алмазно-графитовое покрытие, предварительно нанесенное на алмазные частицы.2, Способ по и, 1, о т л и ч а" ю щ и й с я тем что спекание про")о водят при температуре 1200-1900 С и давлении 40-77 кбар.3, Способ по г 1. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что спеканив подвергают алмазные частицы с размером 0,1" 5 мкм с нанесенным .алмазно"графитовым покрытием толщиной 3-30 А.Изобретение относится к области получения сверхтвердых материалов, в частности к методам изготовления компактных алмазных поликристаллических материалов, которые могут быть использованы для оснащения буровых инструментов, работающих в условиях динамических нагрузок, .леэвийного режущего иструмента и др.Известны способы получения поликристаллического алмазного материала, включающие спекание алмазных частиц при высоком давлении и температуре в области устойчивого состояния алмаза 1К недостаткам способов можно отнести повышенную хрупкость получаемых материалов.Известны также способы получения алмазных компактных материалов путем спекания при высоком давлении и температуре алмазных частиц с различными добавками, выполняющими роль связующего С 2 3.Известен также, способ 3 , по котороиу алмазный поликристаллический материал получают спекаиием алмазных частиц с добавками бора, титана, тантала, молибдена и других металлов или карбидов при температуре выше 1300 С и давлении 50 кбар, Однако отмечается низкая прочность получаемого материала, Это обусловлено тем, что алмаз снацала графити" зируют, потом в области стабильно" сти алмаза преобразуют пограничный слой графита между зернами в алмаз, что возможно только при наличии металла-катализатора (растворителя), так как на поверхности находится только графит. Рост .алмазного пере- шейка между зернами начинается со стороны алмазных зерен, алмазы слу жат подложкой.Взаимная несориентиРованиость подложек и присутствие металла приводят к появлению кристаллических дефектов, связка обладает пониженной прочностью.Цель изобретения - повышение прочности получаемого поликристалличес" кого материала. Это достигается тем, что спеканию подвергают отдельные алмазные частицы с эпитаксиально наращенным на их поверхности покры" тием, состоящим иэ алмазного и алмазно-графитового слоев.При проведении зпитаксиального наращивания Ълмаэов непосредствен-но на алмазную поверхность осажда" 59935 2ется углерод со структурой алмаза.Процесс протекает в метастабильныхусловиях, поэтому далее наряду спродолжающимся ростом алмаза будутвозникать и расти зародыши. графита.5мТаким образом создается переходныиалмазно-графитовый слой. Дальнейшее ведение процесса приведет к преимущественному росту графита, кото-рый термодинамически стабильнее, чем.алмаз. бсли графит в алмазно"графи"товом слое и в начале графитовогослоя имеет относительную ориентацию,то при последующем осаждении углеро"15 да ориентация теряется и начинаетобразовываться неалмазиый углеродсажа. Графитовый слой и сажа являются нежелательными для осуществле"ния спекаиия алмазных частиц, поэтомугопроцесс зпитаксиального наращиванияпрекращается после нанесения алмазно-графитового слоя Характерныйособенностью переходного алмаэнографитового слоя являетсято, что .25находящийся в немграфитлегче пере"ходит в,алмаз,ф чем просто графит,благодаря ориентирующему действиюповерхности эатравочных кристаллов,зо.Таким образом если взять алмазные,1частицы с нанесенным на них алмазно-графитовым покРытием и создатьусловия, соответствующие термодинамической устойчивости алмазовто графит перейдет в алмаз при параметрах процесса более низких чемэто следует из диаграммы состояния.углерода. Алмазно-графитовый слойсо структурой алмаза и графита привысоких давлениях и температурах40заполняет, пространство между алмаз"ными частицами (небольшие участкиграфита позволяют кристаллам, сколь"эить относительно друг друга) и,перейдя в структуру алмаза, позволяет создать материал-связку с равномерными по обьему свойствами. При этомдостигается меньшая дефектность ибольшая прочность связи и прочностьсамого материала Порошки алмаза5 О с зпитаксиально наращенным на ихповерхность покрытием могут спекаться в устройстве высокого давленияи температуры любого типа, способом обеспечить получение необходимыхдавления и температуры.П р и м е р. Исходный порошок ал"маза зернистостью 1/0 икм с зпитаксиальйо нанесенным алмазно графито"3 549935 4вым покрытием толщиной 1 О А: помещают элемент в виде цилиндра с диаметром внутрь трубчатого графитового. нагре- . 3,5 мм и высотой 4 мм, вес которователя с размерами: 7 мм - наружный го составляет около 0,5 карат. Пре, диаметр; 4 мм - внутренний диаметр; дел прочности получаемого материала 4 мм " высота; и закрывают с двух сто" на сжатие 590 кгс/мм, что превыаарон графитоаыми дисками. Реакцион- . ет прочность материала, полученного ,ный сосуд подвергают действию давле- известным способом, в 1,4 раза.ния 77 кбар и температуры 1600 С с вы" Кроме того, способ повыаает плас" держкой при этих. условиях в течение тичность материала, его термостой мин, после чего понижают темпера.- 1 о кость и позволяет использовать истуру и. давление. В результате полу- ходные алмазные частицы практенесчают поликристаллический алмазный. ки любых размеров, 1 Редактор О.Юркова Техред,Ф.нетелева Корректор;А.ПовхВ фа МЗаказ 6544/3 Тираж Щ . ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам. изобретений и открытий.113035, Иосква, Ж"35, Рауаская наб,; д. МФфе Ъв ееавееамчфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Смотреть

Заявка

2029403, 14.06.1974

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ СВЕРХТВЕРДЫХ МАТЕРИАЛОВ АН УССР, ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ АН СССР

ФЕДОСЕЕВ Д. В, ДЕРЯГИН Б. В, БАКУЛЬ В. Н, ПРИХНА А. И, ВАРНИН В. П, ВНУКОВ С. П, ГЕРАСИМЕНКО В. К, НИКИТИН Ю. И, ЦЫПИН Н. В, БОЧКО А. В

МПК / Метки

МПК: B24D 3/02

Метки: алмазного, поликристаллического

Опубликовано: 30.07.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-549935-sposob-polucheniya-polikristallicheskogo-almaznogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения поликристаллического алмазного материала</a>

Похожие патенты