Способ получения поликристаллического кремния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1765116
Автор: Харламова
Текст
(56) Реньян Вкового крем23. Бюл, Ф 36льский металлурги ии инсамова(с И1 ааааЬ 0 ь под ств сыр При индуктивнос нее 0,1 Тл качество ниже. При индуктивнос лее 0,8 Тл возникает резонанса молекул и При нарушении ной зависимости ско го материала и индукОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИ Изобретение относится к области получения поликристаллов и может применяться для получения поликристаллов кремния с улучшенными свойствами, используемого после переработки в полупроводниковых изделиях.Ближайшим техническим решением, принятым за прототип является способ получения поликристаллического кремния, включающий подачу исходного продукта, нагрев до температуры кристаллизации в водородной среде и съем поликристаллов. Однако, эффективность процесса мала и качество получаемого поликристаллического кремния низкое, т. е, продукт получается хрупким,Цель изобретения - повышение выхода и снижение хрупкости продукта,Поставленная цель достигается тем, что в способе получения поликристаллического кремния, включающем подачу исходного продукта, нагрев до температуры кристаллизации в водородной среде и съем поли- кристаллов, подачу исходного продукта(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ(57) Использование: в полупроводниковых приборах. Сущность изобретения: хлорсиланы подают в камеру кристаллизации со скоростью не менее 800 л/мин, воздействуя на них поперечным магнитным полем с индукцией 0,1-0,8 Тл, в камере осуществляют нагрев до температуры кристаллизации в водородной атмосфере и съем кристаллов. 1 табл,ведут со скоростью не менее 800 л/мин при воздействии поперечного магнитного поля с индукцией 0,1 - 0,8 Тл, причем индукцию магнитного поля изменяют прямопропорционально скорости подачи.При скорости подачи менее 800 л/мин процесс малоэффективен. Максимальное значение скорости в настоящее время ограничивается возможностями установки и может быть 19 СО л/мин. Однако, это не является предельным значением скоростиачи для данного способа, При совершене установки скорость подачи исходного ья может возрастать неограниченно,магнитного поля малучаемого продуктааае 3 ти магнитного поля боопасность магнитного сходного продукта, прямопропорциональрости подачи исходнотивности поперечного1765116 Составитель З,ХарламоваТехред М.Моргентал Корректор С,Юско Редактор Заказ 3350 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035; Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 магнитного поля снижается эффективностьпроцесса и качество получаемого продукта,Пример конкретного выполнения,В условиях лаборатории были проведены испытания, результаты которых приведены в таблице. Исходное вещество -трихлорсилан. Получение поликристалловкремния осуществляют в присутствии водорода при 1200 С.Продукт при подаче в камеру подвергают воздействию поперечного магнитногополя,Анализ результатов показывает, чтопроцесс более эффективен при пропорциональном увеличении скорости и индукции. 15Однако, при скоростях выше 1700 л/мин,как показали исследования, процесс становится неэкономичным, т. к, выход готового продукта не увеличивается.Следовательно, предложенная совокупность признаков позволяет повысить выход продукта и получить поликристаллы кремния с пониженной хрупкостью,Формула изобретения Способ получения поликристаллического кремния, включающий подачу хлорсиланов в камеру кристаллизации, нагрев до температуры кристаллизации в водородной атмосфере и съем кристаллов, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения выхода и снижения хрупкости продукта, подачу хлорсиланов ведут со скоростью не менее 800 л/мин при воздействии поперечного магнитного поля с индукцией 0,1 - 0,8 Тл.
СмотретьЗаявка
4848475, 09.07.1990
МАРИУПОЛЬСКИЙ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ХАРЛАМОВА ЗОЯ ВАСИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: C01B 33/02
Метки: кремния, поликристаллического
Опубликовано: 30.09.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1765116-sposob-polucheniya-polikristallicheskogo-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения поликристаллического кремния</a>
Предыдущий патент: Способ укладки углеродистых заготовок в печи графитации
Следующий патент: Способ сушки суспензии белой сажи
Случайный патент: 430428