Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 1241940

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Ковригин, Никифоров, Сапожников, Шелопут

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин

Способ изготовления пластин, включающий крепление пластин на планшайбе и поочередные шлифование и полирование сторон пластин, отличающийся тем, что, с целью улучшения геометрических параметров пластин, их крепление после полирования одной стороны осуществляют нанесением на полированную сторону прозрачной плоскопараллельной планшайбы слоя прозрачного клеящего вещества и притиранием пластин по этому слою к планшайбе, причем неплоскопараллельность слоя клеящего вещества между планшайбой и пластиной, которую измеряют через другую сторону планшайбы интерференционным методом, после притирания пластины не должна превышать величины, соответствующей одному интерференционному кольцу.

Номер патента: 1455940

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Автомеенко, Карпенко, Масалыкина

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, пластин, травления

Способ травления кремниевых пластин, включающий размещение пластин в травителе, травление пластин при подаче в травитель азота и принудительном охлаждении травителя, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества одновременно обрабатываемых пластин кремния за счет увеличения интенсивности объемного теплообмена между обрабатываемыми пластинами и травителем, в травитель подают жидкий азот.

Номер патента: 858491

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 23/00

Метки: 100, группового, защитная, маска, монокристаллических, ориентированных, пластин, плоскости, разделения, химического

Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех...

Номер патента: 1414233

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ламин, Пчеляков, Соколов

МПК: H01L 21/68

Метки: закрепления, пластин, полупроводниковых

Устройство для закрепления полупроводниковых пластин, содержащее основание с токоподводами и с элементами фиксации полупроводниковой пластины и хвостовик, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, оно снабжено элементами разъемного соединения хвостовика и основания в виде выполненных в основании фигурных пазов и фигурных штифтов, установленных на хвостовике с возможностью сочленения с фигурными пазами основания и с токоподводами, причем фигурные штифты электрически изолированы один от другого.

Номер патента: 1282757

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, пластин, тонких

1. Способ изготовления тонких пластин кремния, включающий их отделение от слитка путем формирования поверхности скола, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и воспроизводимости изготовления, поверхность скола формируют облучением слитка потоком легких ионов преимущественно водорода, дейтерия, гелия и нагревом слитка.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами...

Номер патента: 1424632

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремния, легирования, пластин, пленкообразующий, приготовления, раствор

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0Катализатор - 0,5 - 2,5Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый...

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1207339

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Селиванов, Федоров, Юдина

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат при сохранении скорости и качества удаления фоторезиста, в основании разрядной камеры выполнен конусный раструб, обращенный к подложкодержателю, с радиусом, составляющим 0,8-1R радиуса обрабатываемой пластины, на расстоянии h от подложкодержателя, определяемом неравенством 0,08R

Номер патента: 1222175

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Юдина

МПК: H01L 21/306, H05H 1/00

Метки: индивидуальной, плазмохимической, пластин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пружины, внешний конец которой жестко закреплен, а внутренний установлен с возможностью вращения вокруг оси, при этом ширина спиральной пружины выбрана из условиягде a - ширина спиральной пружины;D - диаметр пластины;n...

Номер патента: 1642901

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Будянский, Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/30

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых...

Номер патента: 1552474

Опубликовано: 20.04.2005

Автор: Краснов

МПК: B23C 3/00

Метки: боковых, пластин, скосов

Способ обработки боковых скосов пластин коническими вращающимися фрезами, угол конуса которых выбирают равным углу наклона скосов, при котором фрезам и пластине сообщают относительное перемещение в продольном направлении, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности при обработке пластин с непараллельными скосами, пластину устанавливают основанием на ребро большей ширины под углом основания к направлению относительного перемещения пластин и фрез, который определяют из соотношения где - угол расположения основания;

Номер патента: 1840203

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, галогенсодержащих, окисления, пластин, полупроводниковых, электролитах

1. Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах путем подачи положительного напряжениян на окисляемую пластину, отли-чающийся тем, что, с целью повышения качества окисления, перед подачей положительного напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый электрод.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в...

Номер патента: 1584219

Опубликовано: 10.10.2006

Авторы: Баймасов, Горбачев, Дубовский, Зайцев, Ушакова, Шашкин

МПК: B21D 13/00

Метки: гофрированных, ленты, мерных, пластин, теплообменников

1. Устройство для изготовления из ленты мерных гофрированных пластин теплообменников, содержащее установленные на станине последовательно механизмы гофрирования, отсчета гофров и отрезки пластины, накопитель пластин, а также привод механизмов, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет автоматизации, снижения себестоимости за счет уменьшения эксплуатационных расходов и расширения номенклатуры получаемых изделий, оно снабжено механизмом шаговой подачи, выполненным в виде подпружиненного вдоль направления подачи лотка, пары зажимов ленты с храповиками и барабаны размотки, а в станине выполнено окно с направляющими для установки и замены механизма гофрирования,...

Номер патента: 1720250

Опубликовано: 27.01.2010

Авторы: Аникин, Кабалдин, Ковалев, Мокрицкий

МПК: C04B 35/10

Метки: керамики, оксидной, пластин, режущих

Способ изготовления режущих пластин из оксидной керамики, включающий формование, обжиг, окончательное спекание, механическую обработку и получение мягкого, металлического слоя толщиной 1 мкм, методом ионной бомбардировки, отличающийся тем, что, с целью повышения работоспособности пластин, мягкий слой получают последовательным нанесением ниобия и циркония при следующем соотношении толщины, мкм: Ниобий0,2-0,5 Цирконий 0,8-0,5 при температуре разогрева пластин 700-900°С.

Номер патента: 1642692

Опубликовано: 10.04.2010

Авторы: Аникин, Верещака, Григорьев, Кабалдин, Ковалев, Мокрицкий

МПК: C04B 35/10

Метки: керамики, оксидной, пластин, режущих

Способ изготовления режущих пластин из оксидной керамики, включающий формирование полуфабриката, обжиг, обработку поверхности ионами, окончательное спекание и механическую обработку, отличающийся тем, что, с целью повышения работоспособности пластин, обработку ионами осуществляют насыщением ионов азота и алюминия.

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Гурский, Костенко, Румак, Сергеев, Снитовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления, пластин

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Номер патента: 1289308

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Готлиб, Гурский, Дударчик, Зеленин, Паничев, Рубцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: вакуумно-плазменного, немагнитных, пластин, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации областей травления и увеличения скорости их травления путем повышения концентрации ионов над заданными областями пластин, система формирования магнитного поля снабжена полюсными накладками, выполненными в виде свободных масок, и установлена между парой электродов на одном из них.