Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 1672308

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Войналович, Жаворонков, Маслов, Свирцов

МПК: G01N 21/01

Метки: дефектов, микроскопических, пластин, поверхности, полупроводниковых

...1 излучения, оптическую систему 2 для формирования и направления падающего пучка излучения, с помощью ко 1 орой повеохность полупроводниковой пластины освещается коллимированным пучком света, предметный столик 3, снабженный приводами вращения 4 и возвратно-поступательного перемещения 5 последний включает шаговый электродвигатель б и кинемэтическую передачу 7, обеспечивающую перемещение предметного столика 3 на шаг, равный диаметру пятна пучка излучения, оптическую систему 8 для сбора рассеянного излучения, фотоприемник 9, на который поступает рассеянное излучение с выхода оптической системы 8 для сбора рассеянного излучения, счетчик 10 электрических импульсое, соединенный с фотоприемником 9, систему регистрации углового положения...

Номер патента: 1672421

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Бабаян, Ованесян, Окропиридзе

МПК: G05D 23/19

Метки: интегральных, микросхем, пластин, полупроводниковых, термостатирования

...и отрицательного питающих напряжений. Коллектор и база регулирующего транзистора 4 соединены соответственнос шиной 12 положительного питающего напряжения и с выходом усилителя 2, а эмиттер регулирующего транзистора 4 подключен через стабилитрон 11 смещения к базе транзистора 3 подогрева, Между базой и эмиттером транзистора 3 подогрева включен резистор 6 смещения. Усилитель 2 подключен своим неинвертирующим входом через компенсирующий резистор 9 к базе транзистора 3 подогрева и через компенсирующий резистор 8 к шине нулевого потенциала. Резистор 5 смещения резистор обратной связи включены между инвертирующим входом дифференциального усилителя 2 и соответственно шиной 12 положительного питающего напряжения и эмиттером транзистора 3...

Номер патента: 1673598

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Анпилогова, Григорьев, Дубинина, Карбанович, Пряхина

МПК: C14B 15/00, D04H 5/04

Метки: меховых, пластин

...при скорости подающего устройства 0,028 - 0,030 м/с. Приклеивание срезанной части волосяного покрова на основу проводят составом, содержащим смесь водных дисперсий сополимера бутадиена со стиролом и сополимера бутадиена, стирола, метилметакрилата и метакриловой кислоты при соотношении сополимеров 1:0,01-0,03 (ПО С.О) при рН = - 10,0 - 10,5 с последующими сушкой 2- и 3 - й при 70 - 80 С в течение соответственно 30-40 мин и 18-20 ч и пролежкой 2-й в течение 24-48 ч. Конкретные примеры выполнения предлагаемого способа приведены в табл. 1 (примеры 1-3).Качественные характеристики меховых пластин, полученных по известному и предлагаемому способам, приведены в табл. 2.Использование предлагаемого способа обработки меховых шкур...

Номер патента: 1675806

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бобрович, Верхошенцев, Крутяков, Кулов, Морковин, Романов, Сидоренко

МПК: G11C 7/00, H04N 5/335

Метки: блока, двух, информации, микроканальных, пластин, регистрации, считывания

...д 3записи информации. Количество строк в 20 (5)считывающем растре определяется как размером МКП, так и диаметром электронного где Бмкп - площадь МКП;считывающего луча. При использовании, на- р - коэффициент полезной площадипример, МКП диаметром 34 мм может быть МКПприменен телевизионный полукадр с чисн - номинальная емкость.лом строк 250 - 300. Это значит, что диаметэлектронного луча должен быть 80-90 мкмд етр . Полагая, что компенсация этих зарядов0 90 мкм осуществляется только электронами счиа в качестве считывающего прожекто а мощ Р тора мо тывающего луча, требования к величине этожет использоваться выпускаемый и омышУ промыш го тока могут быть определены из равенстваленностью, например, видикон или 30суперортикон с размером экрана...

Номер патента: 1677049

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Андреев, Быстрова, Власов, Кабанов, Селин, Топчиев, Федорова, Хохлов

МПК: C09G 1/02

Метки: пластин, полирующего, полупроводниковых, состава

...полупроводниковых материалов от температуры кремнийсодержащего золя при соотношении кремнезол ь: ЭДТА: натрийдодецилсульфат: ПДМДААХ: гипохлорид натрия: вода = 1:0,0027:0,005:0,0106:5,2:23,7В табл, 2 представлена зависимость результатов получения полирующего состава для обработки полупроводниковых материалов от массового соотношения кремнийсодержащий золь; ЗДТА: натрийдодецилсульфат; ПДМДААХ: гипохлорид натрия: вода (пластины кремния, кремнезольаэросил) при температуре золя = ЗО С Из табл. 2 видно, что предлагаемый способ позволил прежде всего, улучшить качество, а именно повысить агрегативную устойчивость состава за счет его структурирования. Структурированный таким образом полирующий состав позволил повысить в 1,5 - 2,0 раза...

Номер патента: 1677581

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Линовицкий, Логинов, Тагиров, Шумовский

МПК: G01M 7/00

Метки: динамических, испытаний, пластин, стенд

...7 с атмосферой и управляемый пневмоклапан 13 для стравливания газа из камеры 3 или 4), и средства для создания импульсов давления в камерах 3 и 4 в виде двух электроразрядных гидравлических устройств, каждое из которых включает установленные в стенках камер электроды 14 и подключенный к ним формирователь 15 импульсов тока. Испытуемая пластина 2 отделена от жидкости 16, заполняющей камеры 3 и 4, эластичными мембранами 17, допускающими изгиб пластины 2 беэ нарушения изоляции камер 3 и 4 друг от друга,Стенд для динамических испытаний пластин работает следующим образом,Редуцирующие клапаны 11 настраиваются на заданное давление, Газ из ресиверои 10 поступает через клапаны 11 под заданным давлением в газовые полости аккумуляторов 7 давления,...

Номер патента: 1679184

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Козловский

МПК: G01B 13/22

Метки: неплоскостности, пластин, пневматическое, поверхностей, прямоугольных

...На плиту 2 устанавливают эталоннуюпластину, которая под действием истекающего их жиклера 5 сжатого воздуха удерживается от вертикального перемещения иобразует с рабочей поверхностью 3 плиты 2воздушную подушку с зазором, не превышающим 0,1 мм,Благодаря укаэанному зазору ме.кдуэталонной пластиной и рабочей поверхностью 3 плиты 2 вращающаяся плита 2 неоказывает силового воздействия на эталонную пластину, удерживаемую от горизонтальных перемещений и поворота прямымипружинами 7. Затем опорные платики 6 перемещают так, чтобы они выступали на рабочей плоской поверхностью 3 плиты 2 навеличину, равную величине воздушного за зора между эталонной пластиной и плитой 2, за вычетом величины допустимого предельного отклонения величины...

Номер патента: 1679979

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Йожеф, Ласло, Шандор, Эндре, Янош

МПК: G09F 11/04

Метки: более, возбуждением, воспроизведения, двух, информаций, информационный, пластин, поворотных, электромагнитным, элемент-табло

...свою полярность, Соответственно управляющая пластина 71 будет иметь южную полярность, одновременно другая поворотная пластина 31, находящаяся в магнитной связи с управляющей пластиной 71, будет притянута.Так как управляющие пластины 7 установленн ы с им метр ич но относител ь но оси поворота поворотных пластин 3, на другой стороне поворотные пластины 35 и З притягиваются.Центральная поворотная пластина Зз поворачивается при изменении полярности управля:ощей пластины 72, находящейся с ней в магнитной связи. На другой стороне теперь находятся три поворотных пластины 35, 34,3 зи все они будут в притянутом состоянии,Чтобы повернуть поворотную пластину 32 - предпоследнюю - нужно изменить полярность управляющей пластины 7 з, находящейся с ней...

Номер патента: 1680580

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Агафонова, Добашин, Полякова, Рыбальченко, Чипига

МПК: B41N 3/06, C08J 7/02

Метки: офсетных, пластин, поверхности, рабочей, резинотканевых, состав

...в таблице.Как следует из данных, приведенных в таблице, предлагаемые составы по изобретению по сравнению с известным обладают улучшенной регенерирующей способностью, что позволяет повысить тиражестойкость офсетных резинотканевых пластин на 35 - 50 ь, а разрешающую способность печатной продукции - на 20 - 400 ь,Формула изобретения Состав для обработки рабочей поверхности офсетных резинотканевых пластин, включающий агент набухания резины и спирт, отл ича ю щийся тем, что,с целью улучшения регенерирующей способности состава для повышения тиражестойкости и разрешающей способности пластин, он дополнительно содержит дибутилфталат, полиметилсилоксановую жидкость и смесь полиоксиэтиленгликолевых эфиров моноэтаноламидов синтетических...

Номер патента: 1464689

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Будович, Никуличева, Сапожников, Тихомирова, Трубников

МПК: G01N 30/48, G01N 30/90

Метки: пластин, тонкослойной, хроматографии

...нанесли на пластин (10 мкг) и хроматограф методом в системе 25:30;45 с добавление расчета 0,2 моль/л. хроматографирования1464689 стины и хроматографировали в системе метанол-вода (40:60) с добавлением 0,1 моль/л тетраэтиламмония бромида,Получили значения В 1, приведенные в 5 табл,3,Таблица 3 начен Зна 0,6 0,7 0 0 аргинин П р и м е р 2, Пластлны "силуфол" пропитанные ацетонитрилом, причем алюминиевая подложка каждой пластины2 использовалась в качестве положительного электрода, обработали в разрядной камеремин током разряда О мд Давление в амере 30 Торр, Обработанные указанным способом пластины использовали для ана 2 лиза фенЛтигидантиойовых производных аминоклслот триптофана, изолейцина, тироэина, Гуицина, арГЛнина, /казанные с 08-...

Номер патента: 1687325

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Марченко, Москаленко

МПК: B21D 1/00

Метки: пластин, правки

...Пластина 6 устанавливается на элемент 17 и фиксируется, Боек 1 перемещается до взаимодействия с упорами 19 и правит пластину 6, Усилие правки при этом регулируется пневмокамерой 18, 2 ил. При вращении приводного вала 8 с кулачками 9 и 10 пластина 6 укладывается в паз правильного элемента и подается до упора в фиксатор 16, При этом кулачок 10, взаимодействуя с роликом 12, передает движение корпусу 13, который перемещается поступательно в направляющих 14 совместно с фиксатором 16, и пластина 6 фиксируется в определенном положении. Кулачок 9, взаимодействуя с роликом 11, передает движение основанию 2, которое перемещается поступательно в направляющих 3 совместно с бойком 1. Боек 1 перемещается до соприкосновения с упорами 19 и прижимает...

Номер патента: 1690933

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Агафонов, Арефьев, Горохов, Пакало, Скащенков

МПК: B21J 5/00

Метки: пластин

...а 45 имеет место утолщение полок при разгибке профиля, что приводит к разнотолщинности выпрямленного профиля, а при окончательном формировании - также к получению волнистого контура пластины,При а75 имеет место незаполнение П-образного профиля из-за бокового сдвига верхнего бойка, Разнотолщинность профиля также приводит к получению волнистого контура пластины,При степени деформирования протяжки в продольном направленли (при окончательном формировании) менее 7 оь на окончательной поковке остаются следы от поперечной разгонки, которые могут п 1 эивести к окончательному браку деталей (черноты, трещины, заков окалины и т.д,).При степени деформации протяжки более 15 О значительная масса металла перемещается вдоль оси ковки, при этом...

Номер патента: 1692681

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Алексашин, Белоусов, Кавуненко, Левашов, Релин, Сова, Шевченко

МПК: B07C 5/30

Метки: дозирования, заготовок, пластин, резиновых

...второй схемы И 21 с инверсией по входу. Выход схемы 15 сравнения по минимальной массе соединен с первым входом второй схемы И 18, вторым входом схемы ИЛИ 19 с инверсией по выходу, входом индикатора 23 несоответствия массы по минимуму (Масса - Мало) и с входом счетчика 30 пластин с недостаточной массой. Выход схемы 16 сравнения по максимальной массе соединен с первым входом первой схемы И 16, первым входом схемы ИЛИ 19 с инверсией по выходу, входом индикатора 22 несоответствия массы по максимуму (Масса-Много) и с входом счетчика 31 пластин с превышением массы. Выход первой схемы И 17 соединен с входом индикатора 27 уменьшения плотности (Плотность-Много), выведен на систему управления по плотности (не показан) и соединен с инверсным...

Номер патента: 1693373

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Елисеев

МПК: G01B 11/26

Метки: клиновидности, оптических, пластин, прозрачных

...и 10 установлен с возможностью отсчетного перемещения по отношению к измеряемой пластине 12 вдоль линии, параллельной оси источника 1 излучения,Способ осуществляют следующим образом,С помощью источника излучения -лазера 1 и фокусирующей системы 2 формируют и направляют на пластину 12 расходящийся гомоцентрирующий пучок когерентного излучения, На делительной пластине 3 отраженное от пластины 12 излучение разделяется и частично направляется ею на зеркало 4, а от него - на делитель 6 Часть излучения отражается от делителя 6 снова к зеркалу 4 и направляется им через поляризатор 7 и скрещенные поляризаторы 9 и 10 на экран 11. Другая часть излучения проходит через делитель 6, попадает на зеркало5 и направляется им через поляризатор 8 и...

Номер патента: 1693421

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Данилов, Тарасенко

МПК: G01M 11/00

Метки: пластин, поверхностей, прозрачных, юстировки

...от всех поверхностей окон пучки выходили наружу из канала 4., 2. Выбирают внутреннюю поверхность одной иэ пластин 3 в качестве опорной, При 1693421чем из двух имеющихся выбирают ту, которая лучше совпадает с плоскостью стенкиканала 4,3. При использовании экрана устанэв"ливают экран 5 так, чтобы он пересекал все 5отраженные пучки 6,4, Выставляют экран (нож) 5 параллель.но опорной поверхности, контролируя равенство расстояний от противоположныхкраев экрана (от ножа при его продольном 10перемещении) до опорной поверхности (например, линейкой).5. Поворачивают юстируемую пластину(второе смотровое окно) вокруг первой оси,параллельной проекции падающего пучка 15на опорную пластину(первое смотровое окно), до минимального отклонения всех...

Номер патента: 1697200

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Оруджев, Франкфурт, Цветиков

МПК: H02K 15/02

Метки: магнитных, магнитопроводов, машин, пластин, статоров, характеристик, электрических

...трехфазной измерительной обмоткой 3, полюсной измерительной обмоткой 4. Измерение тока в намагничивающей обмотке 2 производит. ся тремя амперметрами 5, потери в сталиР АКАЯ . Аш 1,норм О30 РА 1 Р 21 Формула (1) выведена на основе формулы(3) В формуле (3) Е - полное магнитноенапряжение магнитной цепи машины на пару полюсов.Подставляя в формулу (3) вместо полного магнитного напряжения вычисленныедля ярма и зубцов магнитопровода статора:(АРАБ + А%23), получают расчетное значейие тока намагничивания листов статора,выражаемое формулой (1),Формула (2) выведена на основе формулы РА 1 = КРмгла; Р 21 = КягРму " п 1,В формулах (4) и (5):РА 1 - потери в ярме магнитспроводв; Кяа кОэффициент, учитывающий влияние технологических факторов на потери в...

Номер патента: 1699502

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Вопилова, Петренко

МПК: B01D 21/02, C02F 1/52

Метки: отстойника, пластин, регенерации, тонкослойного

...пространство между пластинами забивается осадком, возникает необходимость в регенерации пластин, Регенерация осуществляется периодически в зависимости от конкретных условий эксплуатации, Предлагаемый способ регенерации пластин предусматривает импульсную подачу, сжатого воздуха под пластины в средней по высоте части. Пластина под воздействием импульсной подачи сжатого воздуха начинает интенсивнопрогибаться вверх - вниз, залипший на поверхности пластины осадок начинает сползать вниз и выпадать на дно отстойника. При импульсной подаче воздуха его энергия передается на пластину в виде толчка, что позволяет более энергично встряхивать осадок. При возвращении пластины в первоначальное положение отраженная волна воздуха ударяется о слой...

Номер патента: 1702327

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Водеников

МПК: G01R 33/12

Метки: пакетов, пластин

...пропорциональную потоку г 111, ответвляющемуся в контролируемый пакет 6.Первый масштабирующий блок 17, имеющий одинаковые коэффициенты передачи Км 1 по обоим каналам, слУжит ДлЯ фоРмиРования сигналов, пропорциональных падению магнитодвижущих сил соответственно Ем 1 на магнитопроводе 1 и Емг на магнитопроводе 4, и коэффициент передачи Км 1 установлен для конкретных размеров магнитопроводов 1 и 2 в соответствии с от- ношением(9) 10 20 25 30 40 45 50 55 О 4 = К 1(Ф 1 + Ф 2)Вм (2)О 2 = К 1 Ф 1 Вм, (3)где О 2 - напряжение на выходе первого1канала блока 17, С учетом соотношений (2)и(3) для постоянного уровня напряжения О 5на выходе третьего вычитающего блока 15справедливо соотношениеО 5= К 1(Ен - Ф 1Вм), (4)а для постоянного уровня...

Номер патента: 1706761

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Линкевич, Репников, Рыбаков

МПК: B21D 3/02, B21D 43/00, B30B 15/30 ...

Метки: пластин, правки, станок

...технологические возможности станка по сравнению с известимв которых предусматривается дискрет 50ное и последовательное регулированиеэтих углов с помощью установочныхшаблонов.Б известных станках для каждогопрофиля пластины требуются свои шаблоны для установки углов 0. иНа предлагаемом станке можно обрабатнвать коллекторныс -.астины любого профиля в пределах его возможностей, беэ применения устаночочных шаблонов.Наличие узлов грубого и точного измерения осевого перемещения регулировочнсй втулки позвсляет оценить величину этих перемещений. Это делается с помощью тарированных измерителей линейки, подвижной вдоль визирной втулки (грубо), и лимба (точно).Углыи ( регулируются соответственно в пределах К - до нескольких градусов (05), а 9 -...

Номер патента: 1709430

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Золотарева, Лурье

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета-накопитель, пластин, полупроводниковых

...исключает линдр с фланцем для плотной стыковки с попадание на них пыли и влаги и делает технологическими модулями. Вкладыш 5 в возможным(при соответствующей герметивиде поворотного диска размещен в поло эации технологических модулей) реализасти 3 и прижат(подпружинен) кфторопласту цию технологического процесса в б футеровки и крышке 2. Ось вкладыша гер- помещениях обычного типа, Объединение метиэирована в осевом отверстии основа- функций разгерметизации кассеты в модуль и ния с помощью вильсоновского уплотнения подачи пластин на позицию загрузки упро. Верхняя поверхность вкладыша 5 имеет 25 щает задачу автоматизации процесса, сводя заглубленные круглые гнезда 8 для горизон- его к повороту вкладыша на заданный угол, тального...

Номер патента: 1709928

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Биргер, Курт

МПК: F28D 9/00, F28D 9/04, F28F 3/08 ...

Метки: пакет, пластин, теплопередающих

...гребней соседдих пластин сходятся к точке пересечения и представляют собой часть гребней, которая выступает внутрь промежуточного канала, Это означает, что пластина повернута невыгодным образом несмотря на то, что гребни смежных пластин пересекаются и что, следовательно, несколько точек пересечения на этой пластине имеют тенденцию к закупориванИю, Такие точки пересечения начинают блокирование, Иэ-за того, что оди действуют как воронкообразные сужения, в которых собираются частицы сажи, копоти и других плотных частиц, а также часто липкие частицы, что препятствует сквоздому потоку теплоносителя, Также места пересечения. замедляют струи, используемые для выдувадия сажи и других плотных частиц.В предлагаемом пакете все пересечения гребней...

Номер патента: 1710311

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Балаогланов, Искендеров, Мамедов, Тараненко, Холзунова

МПК: B24B 37/04

Метки: пластин, подвода, твердосплавных

...валом 20. Стойки 28 и плита 30 служат для закрепления вала 8 устройства, а также для повышения жесткости всей системы. Загрузочное устройство включает бункер 31 и механизм подачи пластин, Бункер 31 установлен вне полости вращения нижнего придира 10 и имеет поддон 32, на который падают режущие пластины 26, Механизм подачи пластин включает колесо 7, кинематически связанное с шестерней 33, жестко установленной совместно с кулачком 34 на валу 35. Кулачок 34 посредством рычага 36 кинематически связан с толкателем 37, по, дающим пластины 26 в рабочую зону. Пружина 38 служит для возврата толкателя 37 в исходное положение. Приемник 39, выполненный с направляющими планками 40, служит для разгрузки пластин 26 после обработки. Перед началом...

Номер патента: 1711034

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Минасевич, Овсяник, Олейников, Середа, Удовик

МПК: G01N 3/58

Метки: износостойкости, пластин, режущих

...выходы - с вторым и третьим входами устройства 15 деления.Способ осуществляется следующим образом.При резании образца, в частности шлифовгльного круга, режущей пластиной из кибора происходит износ режущей кромки пластины. При этом возникают волны напряжения, которые при помощи преобразователя 1 временные диаграммы, фиг.2), установленного на державке режущей пластины, преобразуются в электрическое напряжение, которое затем усиливается предварительным усилителем 2, проходит через полосовой фильтр 3, который вырезает информативную полосу сигнала АЭ, регулируемый усилитель 4, амплитудный детектор 5, фильтр 6 нижних частот, Сигнал с выхода фильтра 6 нижних частот поступает одновременно на входы первого электронного ключа 10 и компаратора 7,...

Номер патента: 1712163

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Метелев, Шепелев, Шуваев

МПК: B28D 7/00

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...между направляющими и подпятниками подается через отверстия малого диаметра, Аэростаические подпятники 14-17 имеют возможность регулировки.с помощью винтов 18, Конструкция всех подпятников одинаковая,Устройство работает следующим образом,Перед началом работы нэ устройстве производится выставление параллельности плоскости вакуумного стола 5 относительно плоскости поперечных чаправляющих шпинделя 7, что осуществляется следующим образом. С помощью зинтов 18, обеспечивается стопорение кар,ток продольной 3 и поперечной 4 подач на призматических направляющих 10 и 11, после чего, ослабляя давление подпятников 14 и 16, добиваются свободного скольжения кареток 3 и 4 при минимальных зазорах, обеспечивая при этом максимальную жесткость системы...

Номер патента: 1713135

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Крячек, Кузнецов, Шефер

МПК: H05K 13/02

Метки: пластин, плоских, подачи, полупроводниковых, преимущественно

...на пассиках 10 и 11 перемещается к рабочей позиции 24 до упоров 14 и 15, после чего происходит остановка привода устройства перегрузки,Штыри 37, выдвигаясь над рабочей позицией при включении пневмоцилиндра 38немного выше уровня пассиков 10 и 11, принимают пластину 34 на себяМуфта 35 расцепляет звездочки 25 и 30,а тормоз 36 фиксирует положение цилиндрических направляющих.Включается привод устройства, вращающего оси 6 и 7 так, что пары винт - гайка перемещают упоры 14 и 15, а затем и пассики 10 и 11 друг от друга, при этом пассики выходят из-под пластины 34, находящейся на штырях 37,Штыри 37 после раздвижения пассиков и остановки привода перегрузчика опускают пластину 34 на поверхность столика рабочей позиции 24 обработки.По окончании...

Номер патента: 1715448

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алексашин, Белоусов, Кавуненко, Коробочкин, Релин, Фролов, Чернявский

МПК: B07C 5/08

Метки: пластин, резиновых, сортировки

...второй вход, которого поступает информация с блока 17 определения максимума, При несовпадении этих сигналов на выходе блока 19 совпадения вырабатывается сигнал, который индицируется на индикаторе 24 "Дошпальтовка", при этом информация на индикаторе 25 "Группа толщины" указывает номер группы, в которую может быть дошпальтована пластина, При совпадении сигналов на входе блока 19 на его выходе вырабатывается сигнал низкого логического уровня, индикатор 24 "Дошпальтовка" не горит, т.е. в этом случае пластина 41 относится к группе толщины, которая указывается на индикаторе 25. Одновременно с выхода блока 19 совпадения сигнал поступает на инверсный вход блока 20 определения группы ширины, в которую записывается информация с многозонного...

Номер патента: 1725262

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Шевнин

МПК: G12B 5/00

Метки: зеркальных, опорных, отражателей, пластин, положения, углового, фиксации

...схема размещения опорных пластин; на фиг,2 - устройство для реализации предлагаемого способа; на фиг. 3 - вид А на фиг, 2 (последовательность выполнения операций способа).Устройство содержит базовые пластины 1 и 2, одна из которых подвешена на пружинах 3, Опорные пластины 4 и 5 устанавливают на промежуточных элементах 6 и 7, Для фиксации Опорных элементов имеется фиксирующая пластина 8.Способ реализуют следующим образом, На базовых пластинах 1 и 2 устанавливают промежуточные элементы 6 и 7 и фиксируют их фиксирующим веществом 9, например клеем или припоем, Затем базовую пластину 1 соединяют с пластиной 2 и фиксируют между собой, например, винтом 10. Затем опорные пластины 4 и 5 размещают на промежуточных элементах 6 и 7, наносят на...

Номер патента: 1725293

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Богданов, Вялый, Живов, Иванчик, Любак

МПК: H01L 21/302

Метки: клеящий, крепления, пластин, полировании, полупроводниковых, состав

...и клин пластинпосле полирования увелич,1 вается.При массовом содержании смеситрихлорэтилена с изопропаноломболее 500 мас,ч, например 530 мас.ч.,из-за малой вязкости толщина наносимого на столик состава не првышает 1-2 мкм. В этом случае снижается прочность крепления пластин настолике, что приводит к срыву пластин со столика при полировании.При массовом содер нании канифолименее 80 мас.ч например 75 мас.ч,и церезина более 18 мас.ч., например 20 мас.ч., клеящий состав характе.ризуется низкой прочностью крепления пластин на столике в начальныйпериод полирования, когда температура полировальника находится впределах 293-298 К в результатепроисходит самопроизвольный срывпластин со столика и их бой.При массовом содержании канифоли более...

Номер патента: 1726450

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Бербеницкая, Васильев, Головлев, Громова, Певзнер, Связкина

МПК: C04B 35/10, C04B 35/60

Метки: пластин, режущих

...- 180) при режимах точения: скорость300 м/мин, глубина 0,5 мм, подача 0,15мм/об,П р и м е р 2. Расплавлению в дуговой 25электропечи подвергают исходную шихтутого же состава. Температура подложкикристаллизатора в этом случае 300 С, Толщина слоя 10 мм. Полученный материал характеризуется твердостью НВА 93,0 и 30износостойкостью по задней грани 160 (0,4мм/мин),П р и м е р 3. Процесс кристаллизацииосуществляется при температуре подложкикристаллизатора 500 С, толщина слоя 0,5 35мм. Твердость НЯА 93,8, износостойкостьпо задней грани 165.П р и м е р 4. Осуществление процессакристаллизации расплава при 600 С почтине влияет на толщину слоя (0,4 мм по сравнению с 0,5 мм предыдущего примера), однако несколько снижает твердость (НВА93,2), и...

Номер патента: 1727178

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Богданов, Живов

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полировки, полупроводниковых, финишной

...химического травления кремния, что приводит к появлению на рабочей поверхности пластин дополнительного количества рисок и царапин. Поддержание давления на пластины меньшего, чем 0,05 10 Па, например 0,0410 Па, затрудняется по техническим причинам, связанным с конструктивными особенностями установок для химико-механической полировки. При продолжительности третьей стадии полировки меньшей, чем 2 мин, например 1,5 мин, съема кремния оказывается недостаточно для удаления матовости рабочей поверхности пластин, а при продолжительности третьей стадии большей, чем 5 мин,например 5;5 мин, появляются дефекты в виде рисок и царапин,Необходимость проведения второй и третьей стадий обработки на одном полировальнике имеет следующее...