Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 1567538

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Мухина, Попов, Смирнова

МПК: C03C 17/22

Метки: жидкокристаллических, индикаторов, пластин, совмещения, стеклянных

...стеклянные пла тини с электродами и реперными знаками из оксидаъиндия толщиной - 600 А фторопластовой палочкой наносят капли травителя в область реперных знаков таким образом, чтобы травитель не попал ца разводку электродов. Воздействие травителя продолжаицциатаров. Целью изобретения явля -ется повггшегие точцостц совмещения,1 ля этого в .пособе совмещения стеклянных гластин жидкокристаллических индикаторов путем Лормования на нцх одновременцо реперных знаков ц электродов ц совмещения под микроскопом реперных знаков перед последней проводят локальную обраб 1 тку реперцыхз:гаков в цлавиконс й кисоте с концентрацией 0,7-25,2 моль/л и течениевремени, определяемогс цз соотггоиеги2, (С с 12, б, г.це С - концентрацияНг (моль/л); , -...

Номер патента: 1572755

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Лавриненко, Лысенко, Филипченко

МПК: B23B 27/00

Метки: многогранных, пластин, сплавов, твердых

...случае при шлифованиисоздается дефектный слой. Окончательное шлифование производят со снятиемприпуска из диапазона (5-20)с 1, где 20д - величина зерна, При припуске менее 5 с 1 не снимается дефектный слой чзтермообработанных зерен карбида титана, а при припуске более 20 с не наблюдается повышение содержания никеля в поверхностном слое.При осуществлении способа используют пластины из сплава ХНТ 1 б размерами после спекания 13,5,ф 13,5 5,2 мм.Шпифование производят по стандартнымметодикам на станках мод. МШ 289 (боковые грани) и ЧВМЗОО/2, (опорныс.поверхности), Термообработку пластинпроводят в муфельной печи. Содержаниеникеля регистрируют микроанализатором 35"КЭМСКАНДВ" и на рентгеновской установке ДРОН-ЗМ.П р и м е р. Берут спеченные...

Номер патента: 1579698

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Анисимов, Казимиров, Мозжухин, Назаренко

МПК: B23K 37/04

Метки: пластин, сборки, сварки, стержней

...13 и 14 и благодаряпружине 15 прижимается к кулачку 11. Натолкателе 12 жестко закреплен кронштейн 7 стала б. который лмеет возможность вертикального перемещения вместе с толкателем 12,Стол б (фиг,б) может быть установлен непосредственно на штокс пневмоцилиндра 16, закрепленного на кронштейне 7.Кронштейн 7 жестка крепится к корпусу 1 без возможности вертикального псремещения. Кинематическая связь стола б с обаймай 2 (фиг,5) в виде кулачка 11 и талкателя12 в этом случае отсутствует, а устройство снабжено системой синхронизации перемещения стола и Обоймы,Устройство работает следующи образом,В исходном положении обоймы 2 (фиг.1 и 2 ) в губках 4 и 5 зажимаются стержни 8 свариваемога изделия,апиаающиеся своими нижними концами на сол...

Номер патента: 1579763

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Савельев

МПК: B25B 29/00

Метки: загибки, пластин

...пружиной 1.0растяжения, соединяющей концы рычагов 5, упорами 11, установленнымина рычагах 5 в местах крепления пружины 10, и опорой 12 с параллельнымигранями 13, жестко закрепленной накорпусе 2 между рычагами 5.Устройство работает следующимобразом,При движении штока 4 в сторону собираемого изделия 14 корпус 2 упирается в него опорой 12. При этом пружина 10 удерживает рычаги 5 в раскрытом положении, что необходимо для горизонтального обхвата губками б детали 15 собираемого изделия 4.Упоры 11 ограничивают отклонение рычагов 5 от номинального, обеспечивая свободное прохождение детали 15 между рычагами 5.При дальнейшем движении штока 4 рычаги 5, поворачиваясь в шарнирах 8, входят в, контакт с деталью 15 губками б, При этом одна губка 6...

Номер патента: 1581265

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Баранов, Беркович, Габелев, Лобов, Мазур, Радобольский, Рысь, Свекла, Шкодо

МПК: A47J 37/12

Метки: виде, картофеля, обжаренных, пищевых, пластин, продуктов, производства

...21 и сталкиватель 23 установлены с возможностью возвратно-поступательного перемещения один относительно другого, при этом пальцы 24сталкивателя 23 могут размещаться впрорезях 22 накопителя 21 и в прорезях 20 носителей 16,Конвейер 7 подачи тары установленпод механизмом 6 съема пластин и содержит цепь 25 с толкателями 26 инаправляющие планки 27.. Датчик 8 дозы пластин связан с механизмом 6 съема пластин и конвейером 7 подачи тары таким образом, чтопри отсчете заданного количества нлимассы пластин сталкиватель 23 отводится в заднее положение, а цепь 25конвейера 7 подачи тары совершаетперемещение толкателей 26 на одиншаг; после окончания перемещения отконвейера 7 подачи тары поступает сиг-.нал на возврат сталкивателя 23 в...

Номер патента: 1582069

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Майстренко, Малиновская, Овсяник, Удовик

МПК: G01N 3/58

Метки: диагностики, износостойкости, пластин, режущих

...участкаприработки инструмента, Значениеизносостойкости режущих пластин, определяемое с помощью прототипа,будет заниженным. При этом такжедля менее износостойких режущихпластин погрешность этой оценки будетвозрастать. По результатам измеренийс использованием прототипа второйрезец лучше первого резца, так какприданном пороге его иосостойкость(пройденный путЬ резания) больше.Однако реально, лучше первый резец,так как стабилизация роста уровнясигнала АЭ для второго резца вызва 20 на более быстрым износом резца и всвязи с этим, уменьшением глубинырезания. Благодаря введению дополнительных блоков предлагаемое устройство позволяет оценивать износпо параметру, являющемуся результатомотношения интегральных значенийэнергий сигнала АЭ, полученных...

Номер патента: 1585122

Опубликовано: 15.08.1990

Автор: Скворцов

МПК: B24B 3/36, B24B 3/40

Метки: заточки, пластин, режущих

...часть 27 копира 28, снабженнаясферической поверхностью радиусом К,. Перемещение осуществляется винтом,снабженным резьбой 31, буртиком 32 ихвостовиком 33, например, квадратногосечения.Буртик 32 установлен в пазу 34,выполненном на составной части 27копира 28.Устройство работает следующим образом.Ключом через хвостовик 33 поворачивают винт с резьбой 31 и буртиком32, который взаимодействуетс пазом34, перемещают в радиальном направлении составную часть 27 копира 28 впазу 29 вдоль оси 30,При входе составной части 27 за 20линию, ограниченную радиусом К, перемещения прекращают. Затем щуп 25 вводят в соприкосновение со сферическойповерхностью составной части 2 копира 28, 25Настроив копировальное устройство,необходимо диски 2 и 3...

Номер патента: 1585673

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Ангельский, Максимяк

МПК: G01B 11/30

Метки: пластин, плоскопараллельных, поверхностей, прозрачных, шероховатости

...поверхность пластины 7, Измеряют значения 1кеЧ мкс1 иини ц аналогично предыдущим:измеминрениям. Расчитывают среднеквадратичные отклонения профиля от базовой линии К и и Кповерхностей3пластины из соотношений: Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в оптическом приборостроении,машиностроении и других отраслях науки и техники для измерения шероховатости поверхности.Цель изобретения - повышение точности измерения и расширение диапа. зона измеряемых высот в сторону мень Оших знаений.На чертеже изображена принципиаль-,ная схема устройства, реализующегоописываемый способ,Устройство содержит одномодовый 15лазер 1, телескопическую систему 2,гениометр 3, объектив 4, диафрагмуи фотоэлектронный блок б...

Номер патента: 1587083

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Гилярова, Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Рогачев, Фомин

МПК: C30B 25/02, C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...газов, а также - в вытяжную вентиляцию, имеющую связь с чистой зоной 16, Г 1 о окончании загрузки производят стыковку реактора 2 с коышкой 8, при этом подключают подачу инертного газа через патрубок 15, Плотное прилегание плоского шлифа между реактором 2 и крышкой 8 обеспечивают при помощи сильфона 11 и прижимных пружин 14, После продувки реактора 2 с загрукенными пластинами 5.инертным газом нагреватель 1 выводят в зависимости от процесса на необходимую рабочую температуру, контролируемую термопарой 18. Включают подачу ПГС (в случае пирогенного окисления - пары, образованные сгоранием водорода в кислороде с добавлением хлористого водорода, в случае диффузии, например РРС 1 э - инертным носителем).На нагрузочном конце реактора 2...

Номер патента: 1589167

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Архипов, Макаров

МПК: G01N 23/20

Метки: инструмента, пластин, режущего, рентгенографического, сплава, твердого

...1, за тоже время. Далее вычисляют о ношение К = 1 100 -1 Ж/100 1 Р Подставляя значение в предварительно определенную функциональную зависимость Рс = Е(Ь), находят средний размер зерна карбидной фазы 0 с 0.П р и м е р. Осуществлен контрол пластин твердых сплавов ВК 6 и ВК 60 М1589167 формула изобретения Полученные результаты представлены в таблице. Марка сплава СреднийразмерзернаП , мкм Среднее значениеотношения К = 1 оо 11 оо 1 р 25 ВК 8ВК 6 МВК 60 М 2,03 1,72 1,10 0,95 1,45 2,40 30 1(оо) 1 срК по эталонным образцам строят тарировочную зависимость среднего размеразерна Р от К и определяют по нейи найденному К размер зерна Эс вконтролируемом образце. Составитель Е.Сидохин Редактор Е.Копча Техред Л,ОЛийиьпс Корректор Т,ПалийЗаказ 2536...

Номер патента: 1594006

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Михеев, Сидоров

МПК: B60L 3/12

Метки: износа, контактных, пластин, токоприемника

...при ГКНТ СССР1 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О Изобретение относится к электрическому рельсовому транспорту, а именно к устройствам диагностики токоприемников электроподвижного состава, и является усовершенствованием изобретения по авт. св.1172762. Цель изобретения - облегчение настройки, повышение точности и расширение диапазона измерений.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство измерения износа контактных пластин токоприемника содержит установленный между двуплечим рычагом 1 и виброприводом 2 упругий элемент 3, оснащенный узлом 4 регулирования жесткости,Устройство работает следующим образом, Так как между виброприводом 2...

Номер патента: 1594620

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Мазулин, Солдатов, Филиппов

МПК: H01F 41/02

Метки: комплектования, магнитопроводов, пакетов, пластин

...которойсмонтированы магазин 2, пуансон 3 2 Омеханизма продольного сжатия стопыпластин 4, пуансон 5 механизма поперечного сжатия стопы пластин 4, поступающих из магазина 2 в зону отсе кания прижим 6 для удержания стопы 25пластин от рассыпания при подачеее под выталкиватель 7 пакетов магнитопроводов.и подвижную заслонку 8.Стопа пластин размещается в кассете 9.ЗОУстройство работает следующим образом,Кассета 9 со стопой пластин устанавливается на. ловителе магазина2 и раскрывается, Под собственнымвесом стопа пластин 4 заполняет магазин 2 и стекает на верхнюю плоскость пуансона 3 до упора в торецприжима 6. При отводе пуансона 3вправо стопа пластин пуансоном 5подается под торец пуансона 3 в зонуотсекания, после чего пуансон 5 возвращается в...

Номер патента: 1597527

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Соловьев

МПК: G01B 9/02

Метки: интерферометр, клиновидности, оптических, пластин

...зрения изображенияполос интерференционной картины постоянной ширины независимо от расстояния между отражателями 8 и 9. Объек 2 О тив 4 с рефлектором в виде зеркал 6и 7 образуют телескопическую систему,Контролируемую пластину 13 устанавливают на столик 5 так, чтобы нор 25 мали к ее рабочим граням составлялинебольшой угол с оптической осьюобъектива 4, Пучки лучей источника 1излучения (например, лазера) проходятчерез конденсор 2, светоделитель 330 и объектив 4 и параллельным пучкомпадают на грани контролируемой пластины 13 и после отражения от них проходят через объектив 4, отражаютсяот светоделителя 3, и последовательно35 отразившись от зеркал 6 и 7 рефлектора, падают на отражатели 8 и 9 в виде волнового Фронта. Перед...

Номер патента: 1597536

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гузенко, Корниенко, Федчук, Шаповал, Шевченко

МПК: G01B 11/30

Метки: пластин, поверхностной, полупроводниковых, сверхрешетки, симметрии, типа

...пластину 11 полупроводника наносят слой анизотропного жидкого диэлектрика, Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя.Прозрачный электрод 7, жестко закрепленный на повторной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика,нанесенного на пластину 11, Обе части 2 и 3 держателя скрепляют с помощью накидных пружйнных стопоров 6,входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс.: электрического поля, поворачиваютмолекулы слоя анизотропнаго жидкогодиэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на угол 0 - 90",С помощью шариковых подпружиненныхфиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота Фиксируют, Осве,щают устройство от источника 1 света длина...

Номер патента: 1598129

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Безвесильный, Панасенко, Ушаков

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсный, отклоняющих, питания, пластин, ускорителя

...запирается коммутаторная лампа 4 путем закрывания коммутирующего элемента 8. При этом прекращается разряд конденсатора 6 смещения, т,е, прекращается формирование положительного импульса,и отсоединяется конец вторичной обмотки трансформатора 7 от общей шины, т.е, отрицательно заряженнаяобкладка конденсатора 6 прикладывается к сетке коммутаторной лампы 4 через вторичную обмотку импульсного трансформатора 7, Диод 11 служит для эакорачивания импульса обратной полярности появляющегося на первичной обмотке импульсного трансформатора 7. Отклоняющие пластины 3 заряжаются через резистор 2 от высоковольтного источника 1 напряжения, попавшие частицы вновь отклоняются от осевой .траектории, следовательно, не попадают в процесс ускорения (фиг. 2...

Номер патента: 1599449

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Фомин

МПК: C30B 29/06, C30B 31/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...со стороны загрузки подают предварительно закрученный инертный газ - азот с расходом до 300 л/ч,Рабочую зону реактора подогреваютдо 900-1100 С. В процессе пирогенного окисления в реактор со стороны,противоположной загрузке, подают пары воды, которые образуют сжиганиемводорода с расходом 600 л/ч в кислороде с расходом 400 л/ч с добавлением хлористого водорода в количестве15-20 л/ч,В процессе проведен япластин отработанную п1599449 формула изобретения Составитель В, Безбородова Техред И,Иоргентал Корректор А, Пбручар Редактор Л. Веселовская Заказ 3123 Тираж 346 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1600856

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Бабаянц, Ребров, Силин, Чистилин

МПК: B08B 3/02

Метки: пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно

...с полупроводниковыми пластинами.Устройство для осуществления способа очистки плоских деталей, преиму-щественно полупроводниковых пластин,содержит моечную камеру в виде цилиндрического промывочного резервуара 1, в стенке которого имеется выпускной патрубок 2, крышку 3, трубку4 с соплами 5, поворотный столик 6,закрепленный по оси 7, приемные узлы8 для кассет 9 с полупроводниковымипластинами 10, ось 11, первый 12 ивторой 13 регулируемые упоры, пружину 14.На фиг. 1-3 показаны углы: М -угол наклона пластин, В - угол разворота кассеты с пластинами, направление вращения поворотного столика 6 -стрелка А, направление разворотаприемных узл-в 8 с кассетами 9стрелка Б.На фиг. 1 пунктирными линиями выделено направление моющей идкостиили осушающего...

Номер патента: 1601701

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Васин, Набоких, Тараканов, Чернов

МПК: H02K 15/02

Метки: магнитопроводов, машин, пакетирования, пластин, электрических

...20, резиновых уплотнений 21, камер 22 и 23, Вход канала 24 соединен через вакуумные присосы 13 с атмосферой, выход с вакуумной сетью, канал 25 через дроссель 26 с атмосферой. Излучающий диод 19 и фототранзистор 20 установлены в корпусе 6 неподвижно. Шихтовочный знак на пластине обычно выполняют со смещением относительно оси ее паза на 1/4 углового шага 1 пазов. В этом случае присосы 13 на одном диске 5 смещены относительно присосов 13 на другом диске 5 на угол, равный 1/2 1. На такой же угол смещены штыри 11 одного накопителя 10 пластин относительно штырей 11 другого накопителя 1 О пластин. 5 10 5 20 25 30 35 40 45 Устройство для пакетирования пластин магнитопроводов электрических машин работает следующим образом.При перемещении...

Номер патента: 1606540

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Кицюк, Маткова

МПК: C30B 13/22

Метки: кремниевых, пластин, рекристаллизации

...нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях. Равномерность распределения температуры по пластине составляет 5 С. Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил. Устройство работаетследующим образом, В механизм 3 загрузки и выгрузки закладывают пластину 4 и вводят в камеру 1, Температуру отжига пластины 4 доводят до температуры, установленной технологией, например 1100 С. В момент ввода пластины 4 в кварцевую камеру 1 начинают вращать навстречу друг к другу блоки 5 со скоростью, например, 10 об/мин, выравниваятемпературу нагрева, что и обеспечивает равномерный нагрев пластины 4, Для того, чтобы не перегревались блоки 5 и кварцевая камера 1 и для поддержания в камере 1 нужной температуры,...

Номер патента: 1607030

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Кагановский, Кобрин, Погалов, Рыбченко

МПК: H01M 10/14

Метки: аккумуляторов, набора, пластин, стопы, электродных

...пресса. Приемный узел 2 расположен ниже магазина 1.Устройство работает следующим образом.Пластины 26 выталкиваются из пресса в магазин 1 в вертикальном положении, перемещая ца шаг предыдущие пластицьь После апопнеция магазина 1 начинается заполне 1 О 15 25 30 35 40 45 50 55 ние приемного узла 2. При переходе цз магазина в приемный узел пластина 26 соприкасается с подпружиненной планкой 5 всрхцего упора, шэлзуном 6 нижнего упора и внутренними роликами 14 траверсы 11. Затем пластина 26 под действием собственного веса опускается и, утапливая подпружиненный ползун 6, достигает горизонтального основания приемного узла 2. Внутренние ролики 14 траверсы 11, поддерживая пластину 26 от опрокидывания в направлении движения, перемещаются...

Номер патента: 1608770

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Дука

МПК: H01R 39/04

Метки: выводов, коллекторных, обмотки, петушками, пластин, секций, соединения, узел, якоря

...средней линии именьшему основанию шлица. Выводы 11и 12 должны быть такими, чтобы они укладывались с натягом 13, соответствующимнапряженной посадке. Зазоры между основанием 9 и выводами 11 и 12,соответствующие принятому натягу, ликвидируются приукладке путем механического воздействияна верхний вывод 11 с заданным усилием,При высоте шлица пш, равной высоте пазаЬп, и для изготовления петушков целесообразно использовать профильные полосыпрямоугольной формы 14, а при пш Ьп -продольно-симметричный шестигранник15, При этом пунктиром показаны профилизаготовок для известных петушков традиционной конструкции.Предложенные петушки 1 коллекторных пластин можно изготавливать следую 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Формула изобретения Узел соединения...

Номер патента: 1199151

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

...с преобразователя 1.(кри-: вая А на фиг.2) модулируется модуля-, тором 3 частотой 1 кГц и также подается на тракт усилителя,Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отличается, от 11 , то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя п 6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот). Например, если напряже 4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того, влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто,1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском".пенсировано...

Номер патента: 1611566

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Кабушка, Кучер, Мислюк

МПК: B22D 15/00, B22D 25/04

Метки: аккумуляторных, выталкивания, пластин

...20 с ее нижним рядом выталкивателей 19 коФ торые начинают выталкивать отлитую плас" тину с нижнего края, затем средний ряд и наконец верхний ряд регулирующих стержней 21 воздействует на планки 20 со средним и верхним рядами выталкивателей 19 и отлитая пластина окончательно выталкивается из неподвижной полуормц 1. Использование устройства позволяет повысить качество пластин за счет плавного отрыва отлитой аккумуляторной пластины от неподвижной полуйормы и регулировка момента начала срабатывания стержней, 3 ил. двнжная полуформа 1 с размещенными вней подпружиненными выталкивателями19, соединенными между собой в триряда тремя планками 20. Ппя созданиявозможности последовательного взаимодействия с выталкивателями 19 имеютсярегулирующие...

Номер патента: 1436775

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления

...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...

Номер патента: 1618375

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Долгов, Завгородний, Кузьмин, Панова

МПК: A43D 23/02

Метки: затяжных, механизм, пластин

...неподвижные плиты 1 и 2, соединенные между собой роликами 3, установленные между плитами обоймы, 4, кинематически связанные с приводом (не показано), и затяжные пластины 5, где верхняя 6 и нижняя 7 части затяжной пластины жестко соединены, а между ними в образованной ими полости расположен нагревательный элемент 8. Пластины 5 и обоймы 4 выполнены равными по толщине и соединены друг с другом встык с помощью фиксаторов 9 в виде винтов, входящих в вырезы 10 на пластинах 5 под углом заготовки верха обуви на коляет повысить качество формолеивания затяжной кромки к счет равномерного распредетуры нагрева, обусловленной ими требованиями, по всей раности формования пластины. ается за счет выполнения заик разъемными, где верхняя ы с рабочей...

Номер патента: 1618572

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Карташов, Ковалев, Колтунов, Кузьмичев

МПК: B23Q 7/02

Метки: пластин, подачи, роликовых, типа, цепей

...для осуществления предлагаемого способа содержит ротор 1 роторной 20машины, в частности, для сборки роликовыхцепей зерновых элеваторов 1 не показаны,снабженный штырями 2 для захвата спец -пластин 3 этих цепей из неподвижного закрытого лотка 4, расположенного 25радиально по отношению к ротору 1. Асимметричные спецпластины 3 имеют расширенную с одной стороны плоскую часть 5 сотверстиями 6 и скосом 7 и отогнутую полку8, соединенную радиусным участком 9 с 30плоской частью 5.Спецпластины 3 подают по лотку 4 вротор 1 в направлении, перпендикулярномплоскости, проходящей через оси отверстий6 каждой пластины. 35Подача пластин 3 осуществляется поддействием усилия подпора, создаваемоговесом самих пластин при наличии вертикального участка лотка или...

Номер патента: 1618711

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Ильин

МПК: B65H 3/16

Метки: комплектования, пакетов, пластин

...поднимается в крайнееверхнее исходное положение, послечего включается приводной зажим губок 8, которые зажимают часть стопы2 пластин 18, После этого полостьцилиндра 16 освобождается от давления рабочей среды и включается электропривод 19 вращения зубчатых колес 11 и 12, с помощью которых толкатель 10 входит в зев магнитопровода 5 между последней и нредпоследней пластинами 18, установившимися взеве магнитопровода 5 в предшествующем цикле. 45Толкатель 10, двигаясь впереди вниз, захватывает последнюю пластину 18 и перемещает ее до контактас дном 20 приемником 3, который приэтом толкателем 10 смещается на тол 50щину поданной пластины 18. Такоесмещение передается через каретку 6и губки 8 нижней части стопы 2, которая смещается на толщину...

Номер патента: 1618735

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Копылова, Савенко

МПК: C03B 20/00

Метки: остеклованных, пластин, стеклоцемента

...ч.стеклоцемента и 13-15 ч. дистиллированной воды, Формованне ведут замораживанием смеси в Форме, а передвыгрузкой выдерлжвают таблетку вформе при температуре не .иже комнатной до появления мягкой Фазы сме-.си на поверхности таблетки,лектро- и радиопр Цель изобретениизводительности цесса изготовл ния т еклованпосо плас изготовлени ак Ода С мента за дистиллироиготовленную ательно перенородной смеполняют Фори,заморажива- аполненную температуреучения мягности таблетзьз смеси на повер(56) Изготовление резистора на подложке из стеклоцемента. ИнструкцияПВ 25000,00195 ПО "КраснодарскийЗИП", 1984.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСТЕКЛОВАННЫХ ПЛАСТИН ИЗ СТЕКЛОЦЕМЕНТА(57) Изобретение относится к прощшных, тин из стеклоце. чается в следующем.Расчетное...

Номер патента: 1619356

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Веприк, Краснянский, Никифоров, Феклистов

МПК: H01J 37/26

Метки: исследования, микроскопе, пластин, полупроводниковых, электронном

...пластина помещается на столик 1 под зондовую карту 5, которая опускается до образования зазора примерно в 1 мм между ней и пластиной. Затем объем вокруг столика вакуумируется и произ" водятся исследования. Для осуществления контакта игл 7 с пластиной опускают подвижное. кольцо 6, пропуская электрический ток через терморегулирующий элемент 10. Поскольку элемент 10 контактирует с гофрированным наполненным кольцевым газом элементом 9, происходит либо расширение,либо сжатие газа, что воздействует на гофрированные стенки кольцевого элемента 9. Тем самым осуществляется подъем-опускание кольца 6 с иглами 7. Полупроводниковая пластина перемещается по осям горизонтальным, а также вращается при поднятом кольце 6 .зондовой карты 5 за счет...

Номер патента: 1620232

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Артюхов, Богатырева, Грузбарг, Михновская, Плотников

МПК: B23K 1/20

Метки: алмазнотвердосплавных, державок, пайке, пластин, подготовки, твердосплавных

...раствора для травления, равной 10 Я при времени химической обработки 15 - 20 мин, по. лучаем максимальную величину прочности на 4 О сдвиг о,=5350 кг/см, так как в поверхностном слое паяемой поверхности содержится максимальное количество Со-фазы (88,5 О) и минимальное количество %С- фазы (8,9 Я), обеспечивается хорошая смачиваемость припоем. Дальнейшее увеличение 45 времени химической обработки не приводит к дальнейшему увеличению с вследствие того, что полный расход реактива происходит именно в течение экспериментально установленного времени 15 - 20 мин.При дальнейшем увеличении концентра ции (15 Я) и времени обработки повышение прочности о не происходит, так как помимо %С-фазы подтравливается Со-фаза и соотношение Со и %С-фаз...