Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 1521135

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Миляева, Розанов, Спирин, Титова, Шадрин

МПК: C23F 1/02

Метки: времени, локального, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН, предусматривающий пробное травление нескольких пластин из данной партии в интервале времени от 1 до 2 последующее измерение ширины рабочей дорожки на пластинах, прошедших травление в течение одного и того же времени, сравнение измеренных величин с серединой поля допуска ширины рабочей дорожки и травление всей партии в течение отрезка времени в пределах от 1 до

Номер патента: 1428091

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Алексеенко, Бубнов, Горохов, Кузнецов, Мартяшев, Прагер, Трофимова

МПК: H01J 9/38

Метки: микроканальных, обезгаживания, пластин

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБЕЗГАЖИВАНИЯ МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН, содержащее герметичную камеру, в которой размещены источник электронов, анод, коллектор вторичных электронов, средство для крепления микроканальных пластин и электровводы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, источник электронов выполнен в виде цилиндрического прямонакального термокатода, расположенного на оси полого цилиндрического анода, на торцах которого установлены электрически соединенные с ним охранные электроды в виде усеченных конусов, а на боковой поверхности вдоль образующей выполнены ряды отверстий, диаметр которых выбран равным диаметру обезгаживаемых микроканальных пластин, средство крепления которых выполнено в виде многопозиционных кассет,...

Номер патента: 1594887

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Белоглазов, Вайсман, Кулов, Лебедев, Макаров, Платов, Скибина

МПК: C03B 37/00

Метки: блока, микроканальных, пластин

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЛОКА МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН путем сборки световодов в блок, обрамления его и спекания при одновременном всестороннем обжатии, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения качества микроканальных пластин, обрамление выполняют из многогранных штабиков, идентичных по форме и размерам со спекаемыми многожильными световодами и согласованных с ними по коэффициенту термического напряжения.

Номер патента: 1799196

Опубликовано: 20.12.1995

Автор: Переверзев

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...фоторезистомустанавливается на подложкодержатель 2,нагреваемый с помощью резистивного нагревателя 1 до верхней (конечной) температуры Тк и охлаждаемый с помощьюхолодильника 3 до базовой (начальной) температуры Тн, причем контроль за температурой осуществляется посредством блока 9 управления через термопару 10, являющуюся датчиком температуры. По завершении 5 обработки при температуре Тк полупроводниковая пластина 11 снимается с подложкодержателя 2. Цикл нагрева в процессе обработки завершен и начинается цикл охлаждения, который служит подготовкой к 10 приему следующего изделия, По сигналу иэблока 9 управления открываются клапаны 6, 7 для подачи воды и воздуха соответственно, в результате чего в холодильник 3 по спиралевидному...

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1795827

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Баранов, Грачев, Гройсман, Загрядский

МПК: H01L 21/316

Метки: окисления, пирогенного, пластин, полупроводниковых

...движения продуктов сгорания водорода в кислороде вдоль реакто ра.Сущность изобретения заключается втом, что реактор разделен на камеру окисления, расположенную в рабочей зоне нагревателя, и камеру сгорания, в которой З 0 происходит взаимодействие Н 2 с 02, Камерасгорания расположена относительно нагревателя таким образом, что та ее часть, которая снабжена трубками для подачи водорода и кислорода находится внутри наЭ 5 гревателя с температурой не менее температуры самовоспламенения водорода, а остальная - за пределами нагревателя и снабжена воздушной рубашкой охлаждения, Обе камеры, окисления и сгорания, соф 0 единены переходной трубкой, ось которойнаправлена под углом к продольной оси реактора, Наличие воздушной рубашки охлаждения...

Номер патента: 1828717

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Елисеев, Кузнецов, Старостин

МПК: H01L 21/265

Метки: группового, ионного, легирования, пластин, полупроводниковых

УСТАНОВКА ГРУППОВОГО ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая систему вертикального электростатического сканирования ионного пучка, барабан для размещения полупроводниковых пластин на его боковой поверхности, установленной с возможностью вращения вокруг своей оси и маску с окном, расположенную между системой вертикального сканирования и боковой поверхностью барабана, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения, окно в маске выполнено в виде щели, имеющей переменную в вертикальном направлении ширину.

Номер патента: 1829748

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Канчиев, Кулов, Кутасов, Петровский, Проскуряков

МПК: H01J 43/08

Метки: водородного, восстановления, микроканальных, основе, пластин, свинцовосиликатного, стекла

...проводится в дополнительном устройстве, то перед подьемом температуры необходимо создать в пространстве МКП заданное разрешение. Допускается создание вакуума при достижении температуры 200-250 С, но не выше этой температуры. Остаточное давление дополнительной термооб)работки 1-100 Па.В таблице приведены характерные значения номинального напряжения на МКП, при котором достигается усиление 10 . Данные относятся ко всем типам дополнительной термообработки; дополнительная термообработка в отдельной установке после восстановления и охлаждения МКП, либо же дополнительная термообработка непосредственно в установке восстановления.Кроме того, дополнительной термообработке подвергались МКП, охлажденные после восстановления в восстановительной...

Номер патента: 1827957

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Ерусалимчик, Рогов, Савушкин

МПК: B24B 37/04

Метки: 2al2o3, доводки, основе, пластин, твердых

...01=40 мм иэ фтоопласта(площадь инструмента 3=0,01 м ), На рабочей поверхности выполнена спиральная канавка тех же размеров, что и у медного инструмента.Готовят полирующий состав, для чего берут силиказоль с 307 ь-ным содержанием РО 2 (плотность силиказоля 1,18 г/смз) и смешивают с деионизованной водой в соотношении объемов 1:3 соответственно. При данном соотношении полирующий состав содержит 8; золя кремниевой соли.Инструмент прижимают к пластинам с усилием Р=100 Н, что соответствует р=Р/8=100/0,01=10000 Па=10 кПа, и приводят его во вращение с частотой 15 об/с.Планшайбу с пластинами вращают с частотой 5 об/с. На пластины каплями подают полирующий состав (расход 3-10 мл/с).Процесс ХМП проводят в течение 3 ч.Съем составил 10 - 15 мкм....

Номер патента: 1115503

Опубликовано: 27.03.1996

Автор: Игнашев

МПК: C25D 11/02, H01J 9/02

Метки: алюминиевых, анодирования, пластин

1. Способ анодирования алюминиевых пластин, включающий электрохимическое окисление алюминиевых пластин в электролите при проведении процесса в импульсном режиме, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, процесс проводят, сообщая пластинам непрерывное движение с выходом из электролита при частоте периодов 20 - 100 в минуту.2. Устройство для анодирования алюминиевых пластин, содержащее ванну с системой циркуляции электролита, катод, пластинодержатель и источник постоянного тока, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества оксидной пленки, оно снабжено приводом вращения пластинодержателя, выполненным в виде ступицы со спицами, по торцам которых выполнены прорези для крепления пластин, ось ступицы...

Номер патента: 1829770

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Заболотская, Рогов, Савушкин, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: доводки, пластин, полупроводниковых

...маслом, затем на нем устанавливают зубчатые колеса 2 и 4 (е=З мм, =22, гэ=105), между которыми размещают четыре колеса-сателлита 3 (хг=38), обеспечивая зацепление между ними. В отверстиях 5 ко лес 3 размещают четыре спутника с пластинами, Прижимной диск 8 с прокладкой 11 совмещают с колесом 2, добиваясь размещения шпильки 9 в отверстия 10 колеса, Ось вращения прижимного диска 8 помещают в 30 направляющую штангу корпуса на расстоянии - 150 мм от оси вращения доводочного диска. Посредством кронштейнов 12, сохраняя равномерность перемещения колес- сателлитов 3 между колесами 2 и 4, внешнее 35 колесо 4 жестко закрепляют на корпусе 13устройства.Создают давление на пластины из расчета Р=6,0 кПа. Доводочный диск приводят во вращение с...

Номер патента: 1193950

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Канчиев, Саттаров

МПК: C03B 37/025, C03B 37/14

Метки: микроканальных, пластин

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН путем вытягивания из комплекта штабик-трубка единичных волокон, состоящих из жилы и оболочки, сборки пакета из единичных волокон, его разогрев, вытяжку многожильного волокна, составление и термопрессование блока из многожильных волокон, разрезание блока и пластины и удаление жилы травлением в кислоте, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления технологического процесса изготовления, увеличения ассортимента применяемых стекол, комплект штабик-трубка изготавливают из одного стекла оболочки, сплавляют на одном конце, в зазор между штабиком и трубкой укладывают дополнительный слой из неизолированных волокон, изготовленных из растворимого в кислоте стекла.2. Способ по п.1,...

Номер патента: 1217185

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Чесноков

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10-10с.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

Номер патента: 1086997

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский

МПК: H01L 21/306

Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления

1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...

Номер патента: 1828330

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Белоглазов, Кулов, Кумахов, Лебедев, Недранец, Платов, Плужникова, Савин, Скибина, Шютте

МПК: H01J 43/24

Метки: микроканальных, пластин

...раствора. В этом случае пластины считывают протравленными, и их передают на следующие операции. Данная технология обеспечивает самопроизвольное отслаивание защитного покрытия, очистки от него в данном способе не требуется.Пример осуществления предлагаемого способа.Блок пластин покрывают предварительно размягченным парафином, причем не давая застыть, пластины из блока склеивают попарно (первая - со второй, третья - с четвертой и т.д.). Такие спаренные пластины укладывают вертикально в кассету для травления. Затем кассету помещают в травильный раствор - 2 Х раствор соляной кислоты. Температура раствора 24+2 С, Процесс удаления жилы из матрицы МКП (толщина 2-х пластин по 0,9 мм примерно 1,8 мм, диаметр канала 10 мкм) фиксируют по...

Номер патента: 1725704

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Башевская, Белов, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полирования, полупроводниковых

Способ полирования полупроводниковых пластин, включающий наклейку на каждый спутник трех пластин, размещение спутников в гнездах кассеты на полировальнике, воздействие на пластины вращающегося полировальника и абразивного состава при нагружении пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки, обработку пластин ведут при линейной скорости точки полировальника, совпадающей с положением центра кассеты, от 1,4 до 2,4 м/с и давлении от 5 до 7 кПа, причем используют абразивный состав динамической вязкостью 4 8 сП.

Номер патента: 1582921

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Колмакова, Пащенко, Сарманов

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, консервации, межоперационной, пластин

Способ межоперационной консервации пластин арсенида галлия, включающий очистку поверхности пластин от углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода, отмывку в деионизованной воде, сушку в потоке инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени консервации уровня углеродосодержащих загрязнений, обработку в концентрированной перекиси водорода проводят в течение не менее 5 мин, а после сушки в потоке инертного газа половину пластин дополнительно обрабатывают в концентрированном растворе водного аммиака в течение не менее 3 мин, сушат в потоке инертного газа и не более чем через 12 мин приводят в контакт попарно рабочие поверхности пластин, обработанных только в концентрированной перекиси...

Номер патента: 1586466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Абраров, Кондратьев, Лисин, Поздняков, Рассохин, Хохлов

МПК: H01L 21/58, H01L 21/68

Метки: закрепления, механической, обработке, пластин, поверхности, полупроводниковых, преимущественно

Способ закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности, включающий размещение полупроводниковых пластин на подложке с электродами, покрытой полимерной пленкой, осуществление прижима пластины к подложке путем подачи напряжения на электроды, расположенные попарно коаксиально один относительно другого, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности закрепления путем увеличения равномерности прижима пластины к подложке, при размещении полупроводниковых пластин на подложке каждую пластину устанавливают соосно с электродами таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода.

Номер патента: 1593513

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, пластин, предэпитаксиальной

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия, включающий обработку в травителе, содержащем перекись водорода и воду, промывку в деионизованной воде, промывку в концентрированном водном аммиаке, повторную промывку в деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности пластин за счет снижения уровня загрязнения углеродом, обработку проводят в травителе, дополнительно содержащем хлористый натрий и водный аммиак, при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.ч.Водный аммиак (25%) 1Перекись водорода (30%) 1,5 2,18Вода 1,09 5,45Соль щелочного металла 0,0218 0,0981при этом обработку проводят в течение 15 20 мин.

Номер патента: 1512397

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Годник, Двуреченский, Кашников, Кучерявый, Потемкин

МПК: H01J 3/04

Метки: импульсного, отжига, пластин, полупроводниковых

Устройство для импульсного отжига полупроводниковых пластин, содержащее установленные в вакуумной камере катод с размещенными на нем искровыми источниками плазмы, сетку и анод, генератор высоковольтных импульсов и конденсаторную батарею, отличающееся тем, что, с целью повышения качества при отжиге пластин большого диаметра, оно содержит высоковольтный переключатель с системой фотоконтроля, выполненный в виде одного или нескольких неподвижных дисков с установленными на них контактами и соосных с ними подвижных дисков с выполненными в них радиальными пазами и снабженных пружинными контактами, причем число контактов неподвижного диска равно числу радиальных пазов подвижного диска, а каждый источник плазмы подключен к высоковольтному...

Номер патента: 1566814

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Константинов, Новиков, Тюнькова, Шуляковский

МПК: C30B 29/40, C30B 33/04

Метки: пластин, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых пластин, включающий механическую обработку слитка, обработку лазерным излучением и резку, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных пластин из арсенида индия за счет снижения количества дефектов кроя пластин, обработке излучением подвергают всю внешнюю поверхность слитка при следующих параметрах излучения:Мощность излучения, Вт - 3,40 - 3,90Длительность импульса, с - 0,004 - 0,006Коэффициент перекрытия луча - 0,4 - 0,5д

Номер патента: 1628788

Опубликовано: 27.12.1998

Авторы: Барсукова, Белков, Демин, Коликова, Петрова, Русин

МПК: H01M 4/22

Метки: аккумулятора, пластин, свинцового, формирования, электродных

...аэрозоля, составпоглотителя приведен в таблице.Пример 6. В условиях примера 1 берут0,12 г/л поглотителя аэрозоля, составпоглотителя приведен в таблице.Пример 7, В условиях примера 1 берут0,11 г/л поглотителя аэрозоля, составпоглотителя приведен в таблице.Примеры 8 - 13. В условиях примера 1берут 0,07 г/л поглотителя аэрозоля дляразных составов поглотителя, указанных втаблице.Достигаемый эффект получен при введении в формировочный электролит 0,03 - 0,11г/л поглотит еля аэрозоля серной кислотыследующего состава, мас.%:Додецилбензолсульфокислота 90 - 97Серная кислота 1 - 6Алкилбензол 0,5 - 3Диоксид серы 0,5 - 1при содержании алкильных групп в додецилбензолсульфокислоте и в алкилбензоле,равном 10 - 14,Уменьшение количества...

Номер патента: 1190857

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.

Номер патента: 1289294

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Едренов, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.

Номер патента: 786712

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия:R d,где R - глубина проникновения ионов в пластину.d - толщина нарушенного механической обработкой приповерхностного слоя...

Номер патента: 1436376

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Гладких, Кучин, Сменов, Хохлов

МПК: B28D 7/04

Метки: пластин, съема

Устройство съема пластин на станке для резки слитков алмазным кругом с внутренней режущей кромкой, содержащее рычаг с вакуумной присоской, установленный на суппорте, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемых пластин, рычаг выполнен в виде плит, расположенных Г-образно одна к другой, при этом в горизонтальной плите выполнены по крайней мере два глухих отверстия, в которых установлены плунжеры, рабочие полости которых соединены с пневматической или гидравлической системой, причем плунжеры жестко соединены с вертикальной плитой рычага, на которой посредством сферической опоры установлена вакуумная присоска, а горизонтальная плита рычага имеет на свободном конце ось...

Номер патента: 1435109

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/00

Метки: крепления, металлическими, пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, слоями, соединении

Способ контроля крепления пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов при соединении их металлическими слоями, включающий совмещение их поверхностями, на которые нанесены металлические слои, поджим друг к другу и направление на плоскость контакта светового потока, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода изделий с однородными соединяющими слоями, поджим пьезоэлектрической пластины осуществляют через прозрачный элемент с меньшим, чем у пьезоэлектрической пластины, показателем преломления, размещенный на поверхности пьезоэлектрической пластины, противоположной той, на которую нанесен металлический слой, световой поток направляют под углом, большим угла полного...

Номер патента: 865057

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гудзь, Коновалов, Лисовенко, Марончук, Ходыко

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, пластин

Способ обработки пластин арсенида галлия, включающий их отжиг в градиенте температуры при постоянной средней температуре в течение 1 - 4 часов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пластин - подложек для эпитаксии и структур на их основе, устанавливают величину градиента температуры 473 - 1073 К/см при средней температуре 873 - 1073 К

Номер патента: 1342348

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Долгополов, Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/22

Метки: пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, соединения

Способ соединения пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов, включающий напыление металлических соединительных слоев на соединяемые поверхности, приведение их в соприкосновение и выдержку под давлением в вакууме, отличающийся тем, что, с целью расширения номенклатуры материалов соединительных слоев за счет легко окисляющихся металлов и сплавов, напыление соединительных слоев и приведение в соприкосновение соединяемых поверхностей проводят в потоке металлического пара, направленного параллельно соединяемым поверхностям, причем сечение потока превышает первоначальный зазор между соединяемыми поверхностями.