Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 1774249

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Куренбин, Литвинова

МПК: G01N 30/96

Метки: дисперсный, пластин, сорбента, состав, тонкослойных, хроматографических

...Франция).Для каждого состава определялид 1, б 10, б 20 б 25, б 40 д 50, б 75, б 90 д 99.Ширину распределения частиц сорбента по размерам рассчитывали как ог/р где о - стандартное отклонение распределенияи 1 - первый момент распределениячастиц по размерам.Константу скорости движения фронтаэлюента рассчитывали по формулехг хгК( - , где х - расстояние от линии погружения пластин в элюент до фронта (мм);хо - расстояние от линии погружения долинии старта (мм); 1 - время движения элюента от старта к фронту(с).Изобретение иллюстрируется следующими примерами,П р и м е р 1, К 40 г силикагеля КСКГ сраспределением частиц по размерам 1,6 -10,4 мкм и б 25 = 4,3 мкм добавляют 100 г4 о -ного водного раствора силиказоляс рН== 7. Гомогенизированную...

Номер патента: 1407012

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бобров, Ворожейкин, Кабанов, Коцага, Лиакумович, Прудников, Савельев, Сахапов, Сметанюк

МПК: C08F 255/06, C08F 4/02

Метки: гелеобразного, гранул, пластин, пленок, полимера-носителя, форме, цилиндров

...диаметром 2 мм. Получают184,3 г полимера-носителя, содержащего по анализу, мас.%: ПВП 19,7,ПМЛК 19,9, остальное - СКЭПТ, массовое отношение 1 И 1:1 МА: О, 99, степеньнабухания 4,8 г раствориселя на 1 гполимера-носителя,П р и м е р 2. В реактор иэ нержавеющей с.тали объемом 8,0 л снабженный якорной мешалкой, рубашкой дляобогрева, заливают 5,0 кг экстракци"онного бензина, продувают азотом втечение 2 ч, при перемешивании загружают 0,75 кг иромышленного СКЗПТ,включают обогрев и перемешивают подазотной подушкой при 50 С до полногорастворения каучука, вводят 7,5 гДИНИИЗ, перемешивают в течение 1 ч,затем добавляют еще 15,0 г ДИНИИЗ,перемешивают 30 мин, после чего вводят 37,5 г МАК и ведут прививочнуюсополимериэацию при 60 С в течение5 ч....

Номер патента: 1780871

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Удэм, Фридман

МПК: B08B 3/00

Метки: отмывки, пластин, полупроводниковых

...крупные чаетйцы, а при обработке струей высокого давления-микрочастицы,Йедостатком указанного способа является то, что струя высокого давления сообщает пластине статический заряд, чтовыводит из строя ряд приборов,При увеличении натяга щетки с цельюудаления с пластины микрочастиц качествоотмывки ухудшается. В этом случае, еслиматериал щетки жестче материала пластины, то 1на последней появляются царапины, если материал щетки мягче материала пластины, то ка изнашивается, и поверхность пласти1780871 Составитель Б,Удзм Гехред М,Моргентал Редактор Корректор Е.Папп Заказ 4235 Гираж . ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытияи при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рэушская наб., 4/5 Произвсюственно-иэдагельский комбинат...

Номер патента: 1781270

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Кравец, Сушко, Хома

МПК: C09G 1/02

Метки: кремниевых, пластин, полирования, состав, химико-механического

...мас,% пирогенной двуокиси кремния, 0,6 мас.% водного раствора аммиака, 0,6 мас,ф гидроокиси калия, 2,1 мас.% этиленгликоля и перемешивают в течение 10 мин, Затем добавляют 91,5 мас,% деионизированной воды и перемешивают в течение 15 мин. В приготовленную суспензию перед употреблением добавляют 0,2 мас,% кремнийорганической добавки, перемешивают в течение 5 мин и применяют для полировки кремниевых пластин,.П р и м е р 3. В реактор, снабженный высокооборотной мешалкой, подают 7,0 мас.% пирогенной двуокиси кремния, 0,5 мас.% водного раствора аммиака,.0,5 мас.% гидро- окиси калия, 1,2 мас,% этиленгликоля и перемешивают в течение 15 мин, Затем добавляют 90,2 мас,% деионизированной воды и перемешивают в течение 15 минут, В приготовленную...

Номер патента: 1781666

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Баран, Белицкий, Быков, Генгало, Горбань, Гридченко, Макаровский, Черная, Щерба

МПК: G03F 7/20

Метки: пластин, фотополимеризующихся, экспонирования

...экран 2, вакуумный пластинодержатель 3, а также отражательныйэкран 4, размещенный надлюминесцентны ми лампами облучателя 1, и установленный под пластинодержателем 3 вакуумный насос 5 с вакуумметром 6. Светокорректирующий экран 2 включает в себя затвор 7,светорассеиватель 8, светофильтр 9 и осно вание 10.Установка работает следующим образом,На вакуумном пластинодержателе 3размещают фотопленку, накладывают на Указанная цель достигается тем, что установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин, содержащая облучатель с люминесцентными лампами ультрафиолетового излучения, вакуумный 5 пластинодержатель и затвор, снабжена размещенным над вакуумным пластинодержателем перпендикуляррно. направлению светового потока...

Номер патента: 1782185

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Павлюченко

МПК: B23K 31/02

Метки: инструмента, корпусе, крепления, пластин, режущего, сборки, твердосплавных

...произведя незначительную переналадку станка; в шпиндель 1 станка на место фрезы устанавливают накатывающий инструмент 2 с воэможностью свободного вращения, уменьшают угол наклона головки шпинделя 1 на 5 О, этот угол установлен экспериментально и обеспечивает прохождение зубьев режущего инструмента по заусенцу, Затем, при выключенномдвигателе главного привода станка, устанавливают на максимум оборотов коробку скоростей, как известно, это обеспечивает минимальный момент вращения шпинделя. После наладки станка в канавку изготавливаемого режущего инструмента 3 вставляют твердосплавные пластины 4 и прижимают накатывающим инструментом 2 со стороны заусенца. Включают продольную подачу стола 5 с делительнсй головкой 6, в шпинделе...

Номер патента: 1782689

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Брун, Виледник, Задрановский, Мельник, Рощин, Седловский

МПК: B21D 28/22, H02K 15/02

Метки: магнитопроводов, пакетов, пластин

...пакета, отгибают язычки 8 с одновременным вводом их в пазы 6 до заклинивания, соединяя таким образом смежные пластины до пол учения пакета требуемой высоты.Формула изобретения Способ изготовления пакетов магнитопроводов из пластин при котором последовательно образуют пазы трапецеидальной 50 55 5 10 20 На фиг. 1 изображено соединение друг с другом с помощью соединительных элементов пластин; на фиг. 2 - вид по стрелке А на фиг. 1; на фиг, 3 - изображен раскрой ленточного материала с указанием позиций операций 1-Ч (количество позиций определяется количеством операций, необходимых для изготовления той или ной детали); на фиг. 4 - вид по стрелке Б на фиг. 2 (изготовление пакета из пластин толщиной до 0,5 мм); на фиг. 5 - вид по стрелке Б на...

Номер патента: 1782708

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Данилов, Мазин, Шульга

МПК: B24B 37/04

Метки: доводки, пластин

...полупроводниковыхприборов специального назначения стоитзадача односторонней обработки тонкихпластин кремния с припуском на обработкуоколо 110 мкм. Требования к геометриче-ским параметрам, а именно к отклонению отплоскостности и плоскопараллельности,предьявляются жесткие. Способы доводки сжестким закреплением пластин к планлайбе не позволяют достичь.требуемых параметров точности геометрии пластин. Крометого, желательно исключение операцииприклеивания, т.к. она всегда связана с дополнительными операциями очистки. Сво. бодное расположение пластин в сепараторе позволит обеспечить управление ее положением в гнезде, в результате чего может быть. достигнута повышенная точность геометрии пластин.Для достижения поставленной цели...

Номер патента: 1783594

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Василенко, Зеленин, Ковтун, Краснов, Малышев

МПК: H01L 21/208

Метки: пластин

...С, 1090 С) приводило к улету мышьяка с рабочей стороны и,Сначала на нерабочей стороне под- следовательно, к непригодности использо" л бжки; т.е; и ротиво полротивоположной стороне, 35 вания пластин для изготовления светодио,предназначенной для наращивания эпи- дов;таксиальных сло ве светодиодных структур, проведение термообработки при тем 1 950 С)из раствора-расплав- асплава наращивали эпитак- пературах более 900 С (9 0 С, )ч 1 чсиальные слои А 1 о,дбао,1 Аз (х " 0,9) мета- в течение большого времени (0,6 ч;,0 ч)дом принудительногоо о охлаждения 40 не приводило к существенному уменьшеограниченного о ъема р вбаст ора-расплава нию плотности дислокаций в пластинахсо скоростью 0,8 град, в диапазоне темпе- (И 9 8,5 10 -3,10 см ).ратур -...

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Дюков, Митюхляев, Петросян, Сагань, Файфер, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектности, пластин, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Номер патента: 1785501

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Ларионов, Орлов, Рафиков

МПК: B30B 9/04, C12G 1/02

Метки: отжима, пластин, пресс, фильтрующих

...вчетверо 1 е пэег) внутрь фипьтроастатом, унпадывают на подеииную плиту 3 гакцм образом чтобы ка ндый последую щцй сгиб бып повернут относительна пред ыдущега на 90 затем внпючают насос подеон ная плита .3 перемещается евер, прессуя фцпьтрующие ппастины отжатая жидость 1 еина сон) стеает по э рану 14 в чашу 5 а затем е емкость а чтобы не быпаповорота нижнчч часть 12 норпуса 8 скреп пена с ропиком 13 ногарый перемещаетсч по пазу П-образной снобы 10 до опредепенной вцсогц и прц дости+,енци ман силчанчьного усипич прессования Э 1 М автоматически отн пючает двигатель насоса Отнрыеают дроссепьный кран и подвиькнач ппцта 3 под действием сипы тчжести возвращается в крайнее нц н,нее 1 попонкеннче, и производят вцгрузлу отжаты; фцпьгрующи...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1499622

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, поверхностей, полирования, химико-механического

...способствует более быстрому цболее качественному выхаживан 11 юпорр ,1верхцос ти , подавляется ормир ова ни 8на 6 о в ерхнос ти твердого тела О кис ныхи гидр о О кис ных пленок з а счет пр еимущественноГО Образования р а с ТБ О )и45МЫХ КОМПХЕЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЙ С ЭЛЕ"ментамц обрабатываемого материала.Примеры 1-9 выполняют ИЕ)и следую"щих постоянных режимах полирования5 ОЧастота вращения,полнровальникаУдельное дантление на цлас 100-150 г/смтиныРасход полнрующего состЕРИ ПОЛИРОПКЕ(пластиныпредварцтельцообработаны сйободиьп 1 абразивом зернистостью 5 мкм) 10-15 мкм,П р и и е р 1, Для полированияпластин фосфида индия и-типа ориентации (100) используют полируюпфе 1состав, ца 1 л воцы в котором приходится 200 г Б)0)р 80 мл глицерина,60 мл...

Номер патента: 1787622

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Амелин

МПК: B21D 28/22

Метки: машин, пластин, последовательной, сердечников, штамповки, электрических

...нарушается достигнутая точность, т. е. достигнутый эффектот рассмотренного способа-прототипа,Вторым недостатком способа-прототипа является практическая неосуществимость воспроизвести в заготовкепеременные макрорастягивающие напряжения вдоль и поперек с помощью микрорастягивающих напряжений вдоль и поперекпрокатки с помощью микрорастягивающихнапряжений в отходе каждого фасонногопаза до его пробивки, это противоречит закону Сен-Венана,К третьему недостатку необходимо отнести возросшую трудоемкость переточкифасонных пуансонов, с которых предварительно снимают эксцентричные конусныеловители, а после заточки они вновь собираются и регулируются.,Цель изобретения - снижение трудоем-кости и стоимости электрических машин,повышейие их ресурса...

Номер патента: 1791408

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Гнедкова, Мустафин, Сачков

МПК: C03C 15/00

Метки: кварцевых, пластин, полировки

...способов химической окончательной полировки кварцевых пластин с применением растворов - травителейПримечание Пластины, не подвергави. иеся травлению Пластины, обработанные по способу - прототипу 2,1 - 3,4 20-35 240 4,8-5,4 Н 35 О/о Н 35% Н 35% Н 35%Н 35%) - 79,4 об, % СН 2 0 - 20,6 об. о 40 40 25 25 25 30 40 60 120 3,2-6,8 3 8-5,6 4,8-5,6 38 - 4,1 6,6-7,4 рабатывают раствором, содержащим 7580 об.% 35%-ной фтористоводородной кислоты, 20 - 25 об.о/о муравьиной кислоты втечение 35-45 с при температуре 50 - 80 С споследующей промывкой в дистиллированной воде, Процесс производят во фторопластовой емкости, Кварцевые пластиныустанавливают в кассету, устроенную такимобразом, чтобы пластины смачивались рас. твором с обеих сторон, и не...

Номер патента: 1794571

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Быков, Гасанов, Зиновьев, Литвак, Мишулин, Николаев

МПК: B21J 1/04

Метки: пластин, поковок, типа

...диаметральной плоскости до осевой эоны А, в которой обычно концентрируются литейные дефекты, Боковые стороны надрубленной части слитка разгибают, подвергая обжатию симметрично расположенный относительно оси продольной участок слитка шириной 0,40,5 его диаметра О. Это обжатие осуществляют верхним бойком 4 соответствующей ширины. Как надрубку, так и разгибку ведут до достижения высоты обжимаемого участка в пределах 0,40,6 диаметра слитка. После этого слиток обжимают в плоских бойках 5 и 3, получая промежуточную поковку ширинцй М. Затем проводят окончательное обжатие поковки в комбинированных бойках, верхний 6 из которых является вырезным с углом выреза 90.130 О. Ширина выреза составляет ше 0,25 ширины поковки после обжатия в плоских...

Номер патента: 1794685

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Анисин

МПК: B28D 1/02

Метки: пластин, разламывания, твердых

...испытывают сжатие, близкое к одноосному, Предельная нагрузка 9 для случая одноосного сжатия не может превышать предел текучести материала податливогоэлемента - в противном случае произойдетего выдавливание. Ориентировочно можноограничить величину 9 уровнями 5-10 МПа,5 В предлагэемом изобретении податливыйэлемент помещается в матричную полость истеснен в своем деформировании, Это позволяет достигать нагрузочных давлений до1000 МПа и выше, вплоть до потери прочно 10 сти жестких нагрузочных элементов, окружающих матричную полость.Сказанное выше не ограничивает область использования изобретения и дляпластин с низкой изгибной жесткостью, уве 15 личивая производительность за счет одновременного раэлэмывэния пластины повсем линиям надрезов,На...

Номер патента: 1796079

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты

...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...

Номер патента: 1797509

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Грунтов

МПК: B21D 28/02

Метки: заготовок, листовых, пластин, штамповки

...ориентирование заготовки пластины при надрезке-зачистке на штампе. Жирной линией обозначена половина периметра - надреэаемая; тонкой линией - зачищаемая, Наименьший припуск на зачистку обозначен буквой В; буквой Г обозначен припуск на рубку, равный погрешности рубки на гильотинных ножницах. Буквой Д обозначена базовая плоскость упора штампа, к которой прижимается полоса; буквой Е - шаговый упор штампа,На фиг.З изображены вид сверху, разрезы по А-А и Б - Б; т.е, элементы штампа. 1 - матрица, 2 - заготовка, 3 - пуансон, Две вертикальные стрелки указывают движение пуансона, горизонтальная стрелка указывает направление загрузки заготовки в штамп; В - припуски на зачистку, Г - припуск на надрезку. С - зазор между матрицей и пуансоном - на...

Номер патента: 1797573

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Есука, Кацуо, Масао, Масатоси, Осаму, Риодзи, Садао, Ситоми, Тикара

МПК: B29C 67/20

Метки: низкой, пенополиуретана, пластин, плотности

...образуемого углекислого газа поотношению к окружающему атмосферномудавлению. Таким образом, даже если все15 количество образуемого углекислого газабудеттем же, и парциальное давление будеттем же, то чем нижеокружающее атмосферное давление, тем больше становится скорость улетучивания. Далее, так как20 образуемый углекислый газ легко улетучивается, коэффициент вспенивания исходногораствора эффективно повышается, даже, если образуемое количество такое же.Даже если используются пенообразую 25 щие исходные растворы одинакового содержания; эффективность улетучиванияобразуемого углекислого газа повышается,увеличение вспенивания усиливается благодаря интенсификации операции пенообра 30 зования, тем самым образуя, например,пенополиуретан...

Номер патента: 1799314

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гаско, Пахольченко, Пухной, Свалявчик

МПК: B23D 25/12, H01M 4/04

Метки: аккумуляторов, пластин, пластины, полосы, резания, сдвоенные

...с помощью валки для уменьшения перегибов бесконечнаправляющих 15. Непосредственно перед ной ленты (с 180 до 90 О).местом резания в контакт с ушками 17 по 5 Заявляемое устройство обладает также поверхности Б входят позиционирующие более широкими функциональными возупоры 13. Так как их линейная скорость в можностями по сравнению с прототипом, точке соприкосновения с ушком выше, они . так как позволяет резать полосу; имеющую отделяют полосу от упоров 11 и перемеща- основу из неметаллического материала ютдальше к месту резания. Упоры 11 при 10 (стекловолокно, углеродное волокно и т;д.), этом несоприкасаются с ушками 17, В мо- получающую все более широкое распростмент резания зазор между ними равен с ранение, Это достигается применением (фиг....

Номер патента: 1799751

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Михеев, Себелев, Сидоров, Ступаков

МПК: B60L 3/12, B60M 1/12

Метки: износа, контактных, пластин, токоприемника

...799751 7 Устройство работает следующим образом, После установки устройства на полозе токоприемника посредством элементов фиксации 6подвижная каретка 4 перемещается по направляющей рейке 5 вдоль контактной пластины 3, взаимодействуя с ней через щуп 2,оснащенный узлом регулировки нажатия 8.При этом контактный провод 9, укрепленный на конце щупа 2, отрабатывает неровности на контактной пластине 3, арегистрирующий прибор 1 записываетпрофилограмму ее поверхности (фиг.2).Кроме того, при перемещении контактного провода 9 вдоль контактной пластины3 происходит деформация измерительной 15пластины 10 датчика 7 за счет появлениясуммарной силы Р (силы трения и сила, возникающая от зацепления кон гактного провода за неровности контактной пластины...

Номер патента: 1803781

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Башанов, Григорьев, Комаревцева, Романов

МПК: G01N 3/10

Метки: изгибе, испытания, пластин, прочность

...например, закрытием вентиля, соединяющего напорную магистраль 9 и полость Б, Затем из напорной магистрали 9 подается рабочая Р=Опр 1 пр-Рпл 4 пл,где г 1 пр, г 1 пл - давления внутри полостей Б и 10 А соответственно;1 пр И 1 пл - ПЛОЩаДИ тОРЦЕВОй ПОВЕРХНОсти поршня 2 и плиты 3, ограниченной опорным контуром, соответственно.В процессе нагружения соотношение 15 опрРпри помощи регулятора 8 поддерживаЦплется постоянным и прямо пропорциональным отношению рабочих площадей ЗОЛОТНИКОВ.20 Если11 пл- =К - ,т 2 тп рПвгде К=1+ --ил11 и 12 - рабочие площади золотниковыхпар 13 и 12;П - периметр опорного контура 4:в - ширина контакта уплотнительногоэлемента 5 с. испытываемой пластиной,то сила поджатия уплотняющего элементабудет достаточной для...

Номер патента: 1804952

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Нагайцев

МПК: B23B 27/16

Метки: замены, пластин, режущих

...11. Зубчатое колесо 17 установлено для поворота оси 13 при снятии пластины 8 с резьбовой поверхности 14. Для осуществле 1804952ния поворота ось 13 имеет цилиндрическийвыступ 18 и квадратный хвостовик 19.Устройство работает следующим образом,Пакет режущих пластин 8, опирающихся на упорный подшипник 11 и резьбовуюповерхность 14 зажимается опорным торцом Б штока 3. Вершина режущей пластины8 подводится к заготовке 20 для снятия определенного припуска черновой, получистовой и чистовой обработки,Устройству сообщается поперечная подача на врезание и перемещения относительно оси обрабатываемой заготовки,После затупления граней режущей пластины прОизводится поперечный отвод устройства, зубчатому блоку 17 сообщаетсявращение. Поворот оси 13...

Номер патента: 1806157

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Кононов, Лашицкий, Липинская, Мельников, Педан, Ревенко, Стрелкова, Чечера, Яцук

МПК: C09G 1/02

Метки: абразивная, дии-20, кремния, монокристаллов, пластин, суспензия, шлифования

...пластин в опытной партии, шлифованной с использованием абразивной суспенэии ДИ Инаблюдалосьдополнительное повышение выхода годныхизделий за счет уменьшения скрытого бракапосле шлифования,Предложенная абразивная суспензияДИИ - 20 бактерицидная, не вызывает раздражения кожи рук рабочего персонала, неимеет неприятного запаха, не корродируетоборудования, легко удаляется с обработанных пластин кремния,Порядок приготовления абразивнойсуспенэии ДИИ.Состав абразивной суспензии готовятследующим образом:1. Сначала в течение 1 - 2 ч выдерживаютв небольшом объеме питьевой воды (1 л)комнатной температуры желатин технический до набухания. Затем разбавляют и растворяют его горячей водой (70-80 С) вобъеме 2 - 3 л. Полученный раствор заливают в...

Номер патента: 1806354

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Карев, Тюрин, Шилов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, пластин, поверхности, полупроводниковых, фотошаблонов

...2, которое сканируется относительно лазерного пучка, причем плоскость поляризации света параллельна плоскости контролируемого образца, Свет, рассеянный поверхностью, проходит через анализатор 3 рассеянного света. Свет, прошедший анализатор, собирается линзой 4 и направЛяется на щелевую диафрагму 5. Прошедший через диафрагму свет поступает на фотоэлектрический преобразователь 6, где преобразуется в электрический сигнал, Далее сигналпоступает на блок 7 формирования амплитудно-частотной характеристики, Преобразованный сигнал поступает на один из входов компаратора 8 и на вход блока 9 формирования порогового напряжения, который формирует напряжение, пропорцио. нальное медленно флуктуирующему в течение времени контроля образца сигналу...

Номер патента: 1807532

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Нестеров, Павленко

МПК: H01L 21/302

Метки: одностороннего, пластин, травления

...уплотнигеля, один из которых имеет отверстие. Эластичный уплотнительный элемент имеет форму лоткообразного кольца с утолщенными кромками, держатель выполнен в виде кольца с торцевыми канавками и отверстиями, соединяющими торцевые канавки с внут. ренней поверхностью кольца, при этом утолщенные кромки эластичного уплотнительного элемента прижаты двумя уплотнителями к держателю, а держатель зафиксирован в уплотнителе с отверстием, 3 ил. После того, как пластина 10 уложена настолик уплотнителя 3 в горизонтальном положении, в отверстие 7 вставляется медицинская игла (не показана), прокалывается СА утолщенная часть уплотнителя и в камеру напускается сжатый воздух, который приводит устроистео е рабочее состояние 1 фиг. 2). Ф йоСле чего...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Номер патента: 1810287

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Юхновецкий

МПК: B29C 43/04

Метки: пластин, формования

...и в нижней части лотками 24для накопления и удаления просыпи порошка.Для перемещения ползуна 9 имеетсямеханизм, состоящий из гайки 25, винта 26и штурвала 27.Устройство 21 для поворота стола 4 состоит из штурвала 28 с зубчаткой 29, стержня 30, пружины 31 и педали 32.Валик 15 (см. фиг. 3) имеет мелкомодульные шестерни 33, закрепленные в торцах собственно валика 15, к которомупальцами 34 крепится скоба 35 с рукояткой36, На теле валика 15 имеются проточки 37и выступы 38, оформляющие у пластин 39элементы постоянйого профиля 40. Матрица 19 является отпечатком пластины 39 стойее стороны, на которой выполняются элементы переменного профиля 41.. Установка для формования пластин изпорошкообразного полимерного термопластичного материала работает...

Номер патента: 1810958

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Коняев, Проскуряков, Соболев, Удинцев, Юрченко

МПК: H01F 41/02, H02K 15/02

Метки: магнитопроводов, пластин, подачи, поштучной, стопы

...в направлении приемного устройства 15. При прохождении пластиной дополнительного стального ролика 10 механизма контроля сдвоенных пластин в измерительной обмотке 12 последнего наводится ЭДС, обусловленная изменением магнитного потока шунтирования, путь которого показан на фиг.1 пунктиром. Это изменение фиксируется анализирующим блоком 13, который при перемещении более; чем одной пластины вырабатывает команду, запрещающую, включение дополнительного индуктора 4, подаваемую на зажимы 14 коммутатора 9. При этом сдвоенные пластины не притягиваются к индуктору 4 и под действием силы тяжести опускаются на стол 16, не нарушая технологический процесс поштучной обработки пластин.В варианте, показанном.на фиг.2, устройство дополнительно...