Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 1346335

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Карюк, Паштала, Пещеров, Чубуков, Шмелев

МПК: B22F 3/18

Метки: армированных, контактных, пластин, фрикционных

...зазор между вращающимисявальцами осуществляют со скоростьюменьшей, чем скорость вращения вальцов, например, на 0,5-2,57 При линейной скорости вращения вальцов180 см/мин. скорость подачи арматуры составляет 179,1; 178,2;177,75 см/мин. При этом за счет защепления арматуры в шихте между вальцами с одной стороны и натяжениемарматуры за счет замедления ее скорости с другой стороны обусловливаетсярастяжение арматуры в нагретом состоянии и обеспечивается тем самым еепреднапряженное состояние в пластине,что повышает ее прочностные свойствас возможностью увеличения толщины.1346335 Температура нагрева арматуо, ры, С Касательная скоСвойства пластин Значения показателейпри скорости подачиарматуры, см/мин Состав материала пластин,...

Номер патента: 1347007

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Абаждев, Алиев, Амирханян, Бабаян, Карапетьян

МПК: G01N 30/48

Метки: пластин, приготовления, силикагеля, суспензии, тонкослойных, хроматографических

...пор 0,7 см /г с размером частиц 10+4 мкм засыпают в раствор,приготовленный из 70 мл дистиллированной воды и 10 мл силиказоля с концентрацией 273, рН 9,5 и диаметромчастиц 10 нм. После пропитки силикагеля раствором к нему добавляют100 мл этилового спирта и полученнуюсуспензию перемешивают в течение5 мин при скорости вращения мешалки2000 об/мин. После перемешивания определяют условную вязкость суспензиис помощью вискозиметра ВЗ. Суспензию наносят на стеклянные пластиныс помощью автоматического аппликатора КТХ. Толщина слоя составляет150+10 мкм. Пластины сушат на воздухе в течение 1 ч, а затем при температуре 110 С - в течение 30 мин,Разделительную способность пластин оценивают по разделению красителей: А - антрахинонового...

Номер патента: 1352675

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Березников, Лобиков, Масленников, Ращинский, Федорин

МПК: H05K 13/02

Метки: перемещения, пластин, полупроводниковых

...упор 10 на крышке 11 2корпуса 1, Губка 3 связана с мембраной 12, образующей с крышкой 11 корпуса 1 полость для подачи сжатоговоздуха через штуцер 13. Пластина 14опирается на Ч-образные канавки 4выполненные в нижней части поддержи.вающего элемента 15, закрепленногона корпусе 1.Устройство работает следующим образом,Устройство должно быть установлено на манипулятор. В устройствоподается сжатый воздух через штуцер13, подвижные губки 2 и 3 раздвигаются, преодолевая усилие пружины 9.40Устройство опускается, поддерживающий элемент 15 вводится в кассету таким образом, чтобы пластина 14 оказалась над Ч-образной канавкой поддерживающего элемента 15, Устройство4поднимается, пластика 14, опирающаяся на дно канавки 4 губки 15, выводится из...

Номер патента: 1353839

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Колтунов, Медведев, Наумов, Тупиков

МПК: C23F 1/08

Метки: пластин, формных

...ч а ю щ а я с я тем, что,сцелью интенсификации процесса изготовления, она снабжена катодом, закрепленным на устройстве для подачирабочего раствора, прокладками,жестко соединенными с пластинодержателем, и анодом, установленным напрокладках. Составитель В. КомраковТехред М. Ходанич Корректор М. Максимишинец Редактор В. Петра аказ 5673 2 тираж 937 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушПодписноекомитета СССРи открытийская наб., д. 4/5 изводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 13538Изобретение относится к полиграфии, в частности к устройствам для изготовления металлических формных пластин методом травления и вымыва 5 ния фотополимерных клише.Цель изобретения - интенсификация...

Номер патента: 1354229

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Кублашвили, Мачаладзе, Порчхидзе

МПК: G06K 17/00

Метки: информационных, пластин, поиска

...с кодом "2 из5. В днище вмонтированы поисковые элементы, направленные вдолькассет 3 и информационных пластин 4,в нижней части. закодированных П-образными пазами 8 с вмонтированнымиферромагнитными вставками 5, в верхних частях Т-образных соленоидовони совпадают с ферромагнитными вставками 5,а информационные пластины 4помещаются поперек и вертикально наТ-образных соленоидах.Устройство работает слецующимобразом.При поиске нужной информационнойпластины 4 на пульте управления (непоказано) набирают соответствующий 40код и включают устройство. При этомне включаются только соответствующие Т-образные соленоиды 2, т.е. ненамагничены только соответствующиеверхние поверхности (на которые опирается нужная информационная пластис ферромамагнитной...

Номер патента: 1359139

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Вилков, Кусакин, Метелев, Шуваев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, резки

...с аэростатическими подпятниками приводит к созданию системы коррекции угла наклона плоскости вакуумного стола, Отсутствие второй цилиндрической направляющей приводит к ликвидации перекосов корпусоц кареток. Устройство для резки пластин, содержащее корпус с двумя парами взаимИзобретение относится к обработкерезанием неметаллических материалов,а именно к разрезке полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности.Цель изобретения - повышение точности отрезаемых пластин.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для резки пластинодна из каждой пары направляющих выполнена цилиндрической, а другаяплоской, причем опоры вакуумного стола, взаимодействующие с плоской направляющей, выполнены в виде...

Номер патента: 1359662

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Баттиг, Диттрих, Оертел, Остерланд, Рюккнагел, Шелер, Шультц

МПК: G01B 9/00

Метки: пластин, полупроводниковых, приемный, стол

...пластину 3, установленную на определенном расстоянии от поверхности стола 1. Полупроводниковая пластина 3 ограниченакоординатами х и у с помощьюупоров 4. Стол 1 представляет собойединый стеклокерамический блок, имеющий на двух ортогональных гранях отражающие поверхности 5 и 6, служащиедля отражения падающих измерительных пучков 7 и 8 лазерных систем 9 и 0измерения пути, Нри помощи лазерныхсистем 9 и 10 измерения пути, которые испускают измерительные пучки7 и 8, центры которых точно находятся в плоскости полупроводниковойпластины 3, возможно позиционирование в двух координатах почти без ошибок. Подложки 2 для полупроводниковой пластины 3 представляют собой всасывающие сопла 11, которые предотвращают скольжение полупроводниковой пластины...

Номер патента: 1360997

Опубликовано: 23.12.1987

Авторы: Гольдин, Надутый, Червоненко

МПК: B29C 35/02, B29D 7/00

Метки: перфорированных, пластин, пресс-форма, резиновых

...7 на величину, обусловленную свойствами материала пластины 4.Пластина из упругого материала может быть выполнена в виде секций 8 (фиг. 4,б), уложенных в ячейках 9 полуформы 3, образованных ребрами, выполненными в виде перегородок 10, расположенных заподлицо с плоскостью разъема верхней полуформы 3.Для улучшения условий теплообмена между полуформой 3 и заготовкой пластины 6 перегородки между ячейками 9 дополнительно могут быть выполнены с выступами 11 (фиг. 6), расположенными между стержнями 2 с шагом Т, кратным шагу 1 установки стержней. Высота выступа принимается меньше высоты перегородки 10. Выступы могут быть выполнены заодно с полуформой 3 либо в виде съемных элементов 12 из материала, имеющего теплопроводность, отличную от...

Номер патента: 1370506

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Кривошапко, Кудрявцев

МПК: G01N 3/12

Метки: испытания, пластин

...отверстиям в раме 8, Элементы 7 прижима плас 35тин 3 прикреплены к вкладышу б посредством шпильки 11 и гаек 12. Устройство также содержит пластичныйуплотнительный элемент 13, размещаемый между торцами корпуса 1 и матрицами 4 и между торцами вкладыша 6 и, элементами 7 прижима, Матрицы 4 крепятся к корпусу 1 при помощи шпилек 14и гаек 15. В качестве измерителя давления среды в устройстве установлен манометр 1 б, а в качестве измерителя напряженно-деформированного состояния пластин 3 - индикатор 17 часового типа и тенэодатчик 18 омического сопротивления, Для регулирования давления в полости 2 устройство снабжено вентилем 19,Устройство работает следующим образом.Производят сборку устройства с испытываемыми пластинами 3, Полость 2 соединяют...

Номер патента: 1379129

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Белозеров, Битюрина, Рудзинская

МПК: B41C 1/10, B41N 1/14

Метки: алюминиевых, пластин, регенерации, формных

...5 мас.о/ч метасиликата калия в 95,0 мас.о/О воды при температуре 60 С. Время обработки 0,75 мин.Затем оксидируют в растворе серной и щавелевой кислот в течение 3 мин при посто.5 янном токе плотностью 1 А/дм. Светочувствительный слой наносят на пластину известным способом.Пример 4. Алюминиевую формную пластину, с которой проведена печать, подвергают регерационной очистке в растворе 30 мас./, метасиликата натрия в 70 мас./о воды при температуре 70 С в течение 2 мин и оксидируют в течение 8 мин в растворе серной и щавелевой кислот при постоянном токе плотностью 1 А/дм. Затем наносят 15 светочувствительный слой одним из известных способов.Пример 5. Алюминиевую формную пластину, с которой проведена печать, подвергают регенерационной очистке...

Номер патента: 1381328

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Гаврилюк, Ерошин, Купчик, Сацукевич

МПК: G01B 7/287

Метки: неплоскостности, пластин, толщины

...и толщины пластин за счет исключения по, ,решности деформации.На чертеже представлена схема устройст. а.Устройство для контроля неплоскостноститолщины пластин содержит основание 1, етыре датчика 2 и 3 перемещений, лектронный преобразователь 4, включаюий в себя блок 5 измерения толщины, 15 ходы которого соединены с выходами атчиков 2 и 3, блок 6 определения ба. овой плоскости, входы которого соедиены с выходами датчиков 3 и соответтвующими входами блока 5, блок 7 изерения неплоскостности, первый вход кото ого соединен с выходом блока 6, а второй -выходом датчика 2, щупы 8 трех ба. овых датчиков 3, расположенные равноерно по окружности, диаметр которой еньше контролируемой пластины 9, щуп 10 атчика 2 перемещений, расположенный в ентре...

Номер патента: 1381380

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Абольская, Рыжей

МПК: G01N 29/00

Метки: звукопрозрачности, пластин

...Величина параллельногосмещения волн выбирается конкретно,в зависимости от размеров образца игабаритов антЕнны,Сущность изобретения состоит в том, что антенны смещены параллельно одна другой. Это позволяет поворачивать расположенную между ними контролируемую пластину на большие углы,овплоть до 90 , и измерять звукопрозрачность пластины в широком диапазоне углов падения звуковой волны. Это смещение вызывает смещение характеристик направленности, оси которых совпадают с продольными осями антенн. Для того, чтобы характеристики направленности лежали на одной оси и были обращены друг к другу, как это требуется при измерении звукопрозрачности; их необходимо повернуть. Поворот характеристик направленности осуществляется введением в каждую...

Номер патента: 1088589

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гущин, Долгополов, Иванов, Медведев, Сологуб, Хоббихожин

МПК: H01L 21/3065

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых

...и путем изменения его расхода устанавливают рабоее давление в диапазоне 6,7-133 Па. После этого через время С так как происходит значительное разбавление (5 Х) рабочей смеси в реакторе. Это приводит к тому, что внекоторых технологических процессах,при использовании в качестве балластного газа - азота при его содержаниив плазмообразующей смеси )5 Х происходит дополнительная деструкция фоторезистивной маски энергией, выделяемой при дезактивации возбужденных мо Чф РС К фиещеЯ Ргде К - коэффициент (1 сКс 5)у Чобъем реактора, л; Я - расход газа,л/с; Р - рабочее давление, торр;Р, - нормальное атмосферное давление,возбуждают ВЧ разряд и проводятпроцесс плазмохимической обработки.Подача газа-разбавителя на выходеиз реактора позволяет...

Номер патента: 1386431

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Баранов, Бурцев, Дюжиков, Санков

МПК: B24B 37/04

Метки: двусторонней, пластин

...эксцентричного расположения кассеты 4 пластины 5 совершают сложное движнеие по рабочим поверхностям притиров со скоростью, пропорциональной величине эксцентриситетов е и частоте вращения шпинделя. При подаче абразивной или алмазной суспензии через центральное отверстие верхнего притира 3 на рабочую поверхность притиров происходит обработка пластин. Под действием касательных составляющих сил резания при обработке верхний притир 3, пластины в кассете 4 и дисковый эксцентрик поворачиваются в направлении вращения шпинделя на цапфе рычага 8, преодолевая сопротивление пружинящего элемента 10 до тех пор, пока оно не уравновесит действие касательных составляющих сил резания. При изменении сил резания пружинящий элемент поворачивает диск...

Номер патента: 1389997

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Винников, Гриценко, Карась, Эпштейн

МПК: B24B 3/34

Метки: задних, пластин, поверхностей, режущих, шлифования

...г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к инструментальному производству и касается изготовления режущих пластин.Цель изобретения - повышение производительности обработки и расширение технологических возможностей путем обеспечения шлифования режущих пластин различных размеров без переналадки устройства.На чертеже показано устройство, общий вид.Устройство выполнено в виде основания 1, которое крепится к столу заточного или шлифовального станка (не показаны). На основании 1 соосно установлены ведущий шпиндельный узел 2 с валом 3 и ведомый шпиндельный узел 4 с втулкой 5 и валом 6. На валу 3 установлен с возможностью перемещения вдоль его оси и соосно с ней загрузочный элемент, выполненный в виде втулки 7. Внутри втулки 7...

Номер патента: 1391777

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Колесников, Пигарев, Потатуркин, Титов

МПК: B21D 39/06, B21D 53/08, B23P 15/26 ...

Метки: автомат, пластин, радиаторов, сборки

...механизм 2 и вводят ее конец в механизм 3 эагибания кромок по бокамленты и далее в механизм 4 для пробивки отверстий в ленте под трубкирадиатора.В рабочем режиме все механизмыавтомата получают в определеннойпоследовательности согласованное движение от общего привода 29. При работе автомата лента 28 протягивается через механизм 3, который загибает по бокам ленты кромки на угол180", а роликовые пуансон 30 и матрица 31 механизма 4 пробивают в нейотверстия под трубки и подают ее вмеханизм 5 отрезания пластин 25. Отрезанная пластина ложится на стол32 (фиг. 5) механиэма 6 досыланияпластин в рабочую зону автомата. Через кинематические звенья автоматасообщается равномерное воэвратно 1391777цоступатс льцое двцжецие попзуцу 13 с...

Номер патента: 1392602

Опубликовано: 30.04.1988

Автор: Дргач

МПК: H01L 21/302

Метки: двухсторонней, других, кремниевых, круглых, механической, пластин, тонких

...самоочисткасегментов 8 путем взаимного трения,2 ил. конусным пазом, а третья - в видецилиндрического кольца с конусным пазом, установленного соосно с опорнымдиском, на котором также установленымоечные сегменты. Привод всего устройства обеспечивается одним двигателем.11 редлагаемое устройство позволяет производить одновременную очисткудвух сторон полупроводниковых пластинбез дополнительного проведения операции по перегрузке пластин, а такжеулучшить качество очистки преимущественно центральной поверхности пластин при низкой материалоемкости устройства и уменьшении расходов вспомогательных материалах.На фиг.1 изображен профиль устрой"ства; на фиг. 2 - устройство, плоскийразрез.Устройство содержит корпус 1,крышку 2, опорный диск 3,...

Номер патента: 1394029

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Анистратенко, Власов, Оксанич

МПК: G01B 7/28

Метки: отклонения, пластин, полупроводниковых, формы

...счет обеспечения динамического перераспределения напряпрений в устойчивую форму.На чертеже представлена схема устойства, реализующего предлагаемыйспособ.Устройство для осуществления спооба содержит базовый стол 1 с систеой 2 вакуумирования и плоской рабоей поверхностью 3. Базовый стол 1рикреплен к линейному поэиционеру 4.ппозитно базовому столу 1 установлен 20лок 5 измерительных преобразователейнаконечники которых установлены влоскости, эквидистантной рабочей поерхности 3 базового стола 1. Выходы"эмерительных преобразователей 6 соеинены с входом электронного блока 7обработки. По периметру базового стола 1 установлено подвижное ступенчатое кольцо 8.Способ осуществляется следующимЬбразом,Полупроводниковую пластину 9 устанавливают на...

Номер патента: 1395947

Опубликовано: 15.05.1988

Автор: Козловский

МПК: G01B 13/22

Метки: неплоскостности, пластин, пневматическое

...сжатого воздуха от сетив полости 15, 16 осуществляется через отверстия 17 и 18 соответственно,Шток 14 своим нижним концом шарнирносоединен с верхней плитой 7, 45В корпусе 1 смонтирован центр 19в виде заостренного стержня,подпружиненного пружиной 20 к нижней поверхности пластины 11. Сопла 4 и 9 в нижней и верхней плитах 2 и 7 расположе" 50ны концентрично центру симметрии плитнаклонно их поверхностям 3 и 8, обращенным друг к другу с таким расчетом,чтобы истекающие из отверстий-сопелструи воздуха были направлены в однуиз сторон возможного вращения контролируемой пластины 11 относительно осивращения ее контролируемых поверхностей,Устройство для контроля неплоскостности пластин работает следующим образом.В исходном положении контролируемая...

Номер патента: 1403122

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Евстратов, Лошаков, Филатов, Юрченков

МПК: H01F 41/02

Метки: магнитопроводов, пластин, подачи, трансформаторов

...Для регулировки рабочего зазора между основанием и одной из неподвижных стенок иитателя, Лля выхода пластины из иитателя 1 за счет выталки. вания ее шибером 7 предусмотрена подвижная заслонка 19.Шибер 7 представляет собой гребенку, выступы которой установлены с возможностью взаимодействия с пазами гребенки - основания 6, Шибер выступает над опорной иоверхностьк основания на величину, равную минимально допустимой толщине изделия. Для поджатия к опорной поверхности основания пластин 20, уложенных в стопу, предусмотрен груз 21.Устройство работает следуюгцим образом В зависимости от габаритов изделия устанавливаются в соответствующие пазы 8 подвижные стенки 4 и 5. От вращения рукоятки 16 поворачивается вал 14 с шестернями 15. Последние...

Номер патента: 1403255

Опубликовано: 15.06.1988

Автор: Уразаев

МПК: H02K 15/02

Метки: комплектования, магнитопровода, пакет, пластин

...поворотный вал 4, несущий на одном конце диск-отсекатель 5 и на другом элемент его поворота в виде ручки 6. Втулка 3 может перемещаться относительно подвижного корпуса 2 для получения требуемого размера 6 высоты пакета и закрепляться в этом положении винтом 7. Устройство устанавливается на подставке 8 под некоторым углом. Основание 1 имеет наклонные направляющие элементы. Устройство работает следующим образом.На призматическое основание 1 с подставкой 8 устанавливается произвольное число пластин 9. В подвижном корпусе 2 втулка 3 выдвигается на требуемый размер г и закрепляется винтом 7, 1(оргус 2 по направляющим элементам основания 1 подается вниз так, что втулка 3 входит в от 032552верстия пластин, а сам корпус 2 ложится на...

Номер патента: 1404278

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Балобанов, Балобанова, Тананин, Хватов

МПК: B24B 3/34

Метки: пластин, режущих

...также установленные в контакте с кареткой 1 О фрикционные ролики 11,На поверхности каретки 10 закреплена фрикционная планка 12. Копир 2 30 и каретка 1 О упруго. взаимодействуют с корпусом 1 посредством пружин 13 и 14, Яа корпусе 1 установлен также ограничитель 15. Пластины 4 устанавливаются иа штифты 16, связанные с Фрикцион.35 Ными роликами 11. Обработка пластин 4 производится шлифовальными кругами 17.Устройство работает следующим образом. 40Перед началом работы регулируемый упор 9 устанавливается на расстоянии 1 от торца каретки 10, определяемом по формуле= О/и, где О. - диаметр описанной окружности обрабатываемого 45 изделия - пластины 4, и - число граней пластины. Для первоначальной установки пластин 4 копир 2 перемещается вправо...

Номер патента: 1404916

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Громов, Ковалев, Колоскова, Сапсолев, Сухов, Толочко, Шишкин

МПК: G01N 27/26

Метки: вертикального, гелевых, градиентных, пластин, формирования, электрофореза

...приз" 15 му 3 нижней ступени устройства, щелевидные треугольные призмы 4 верхней ступени устройства, отверстия 5 между призмами верхней и нижней ступе- ней, кассеты 6 пластин и охладите" 20 ли 7 вУстройство работает следующим образом.Полимеризационная смесь с помощью одноканального перистальтического 25 насоса подается в нижнюю часть призмы 3, в которой формируются горизонтальные уровни смеси одинаковой концентрации и равномерно распределяются по принципу сообщающихся сосудов меж ду призмами 4 верхней ступени. В процессе загрузки полимеризационная смесь, идентичная по Форме градиента концентрации ПААГ во всех призмах, затем заполняет кассеты 6 блока 2 кассет, а также все зазоры между кассетами блока кассет и охладителями 7.После...

Номер патента: 1408209

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Виноградова, Иванов

МПК: G01B 11/06

Метки: двулучепреломляющих, кристаллических, пластин, толщины

...регистрация спектра при ццорос О,сц(о из поляризаторов ца 90" отцосГель(ю первоначального положения. Те и. хицхх хОВ, соторые це изменили своего с ектрдльцсго юложения, принадлежат функциям1/.) Х ;)с,Ь(,)Их не уцитывают в расчетах. Тдхим образом по оставшимся мицимумдч мож(о судить о истинном пропуска:(ии с)испи.Используемая в способе форчу,д пГу- ча опытным путем. В основе ес.сжит известная формула с(=К/., где К црядк интерференции. Приравняв К= - 1,2, хдя изменение толщины пластиць ( Нри изхСцснии порядка интерференции цд 0,5:- -. Это есть требуемое изменение толццНЫ ПЛаетниы ПРИ СМЕЩСЦИИ Мси(СИ(ХХД СПСКГ Р с 1/1 1 Н 0 й Х Д Р с К Т С Р И ( Т И К1( 1 ВС,1 И Ч И 1 У, Р 3 В цую/2 щрядка интерференции. Определяя положение мини ума...

Номер патента: 1409646

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Агафонова, Гусельщиков, Дембовская, Добашин, Кинк, Кирпичников, Рыбальченко, Суйц, Чумак, Яхнин

МПК: C11D 3/44

Метки: моющее, офсетных, пластин, резинотканевых, средство

...Стальные пластины,подготовленные таким же образом, каки для оценки моющей способности, обрабатывают водным раствором декстрина различной концентрации и затемвыдерживают в сосуде с перемешиваемым моющим средством 20 мин. Образецзатем промывают водой и накатываютна его поверхность офсетную краску.Если краска накатывается, это озна-,чает, что защита достаточна. Расходдекстрина при этом определяют какконцентрацию его водного раствора,обеспечивающего достаточную защитупробельных элементов при обработкемоющим средством,Моющую способность средства определяют следующим образом. Берутстальные пластины размером 50 100 мми выдерживают их в сушильном шкафуопри 80-100 С, после чего охлаждаютв эксикаторе и взвешивают на аналитических весах. На...

Номер патента: 1409863

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Гоман, Чухлиб, Шестаков, Юдицкий

МПК: G01B 11/24

Метки: геометрических, параметров, пластин, поверхности, полупроводниковых

...1 Формируется фокусирующей системой 2 в пучок, который направляется зеркалами 3 и 4 на сканаторы 5 и б. При вращении сканаторов 5 и б пучок смещается параллельно своей оптической оси. Такимобразом, на выходе сканатора б формируется развертка в плоскости, перпендикулярной оси распространенияпучка,Пройдя сканатор б,пучок попадаетна третье зеркало 7 и направляетсяим на отрицательную сферическую линзу 8 и далее на конденсорную линзу 9.На выходе линзы 9 пучок отклоняетсяот оптической оси, попадает либо наполупроводниковую пластину 11 либона калибровочное кольцо 12 и отражается от них, Отразившись от пластины, пучок проходит линзы 9 и 8,зеркало 7, сканаторы б и 5, отраженный пучок смещается к оси распространения падающего пучка, однако...

Номер патента: 1415336

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Степин, Терехов, Шихирев

МПК: H02K 15/02

Метки: магнитопроводов, машин, пластин, порошком, ферромагнитным, электрических

...30 кос)ьн цлдншзй Оы н н 1 хо,Я 5.Я нс рссцянии рдбцч)ГО 5; (ОРД 0 ЦЦ.БИЖНЦ 0 0 Н)НОГО ЗКОНСЧНИ- к 7, и 10 51(с и Г .и х ) И 13 т сопроГив,снис ннхц к.ин )снцно ц чд НитН-НОГЦКс(5 ьпО,и 113 л 3(цзибы 14 и( немдгнитП Ц М; РИД 0 ксП ЧИБ,Цт УХ(ЕЬЦЕНИЕ ЕИ.,ичины птцкцчд ингино рззянин и нов Бып(ених 11,1 хе) рц(с Г. 11 л )цИзйбд 14 имт ц 3 р;(,ц,(х н хь 6 р,ция и сн;6- жГН; (к.)13 Гк; 1)рв.01 1 Вцрц(;.Хройс 30 р;н :)Г г ,1. ниим обрззцч.1 р н).к,)н цнии к кхп .: 4 нтянНц Ц ЦКД Л;)(ИНой СИСМ " НДВДИя х 1 Н 1 нь)Й ИОГОк, 3) рыи нОхц.и( н. РГЗ ЦЦИН.,Ь, Ч; ОИН 30;,1, ,НСНЫГФГ.5. (П 1 Г ГН(.с( 50 Ус гройс30 я цбрдботки феррома гни гным ро)нкч п.детин мзгнитопрово:5 э,35 р(ЧЕСКИ Х Ч;ШИН, 0.ржаШЕЕ Стд 3) нд кцорцй уст)новлнз магнитная систсЧЕ(,...

Номер патента: 1419922

Опубликовано: 30.08.1988

Автор: Кудров

МПК: B41C 1/10

Метки: офсетных, пластин, формных

...Подогрев и поддержание температуры происходит в малой емкости 4 с помощью системы термостатирования.Устройство может выполнять три технологических процесса и работает следующим образом.Первый технологический процесс выпол-яется в нижнем ярусе: 1 секция - прояв,.ение, 11 секция - промывка, П 1 секция - идрофилизация, 1 Ч секция - промывка, Затем после корректуры на столе 11 выпол.няегся второй технологический процесс по нижнему ярусу с переводом пластины на 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 2верхний ярус: секция 1 Ч - промывка, секция П 1 - гидрофилизация, секция 11 - промывка - и после подъема формы по направляющим 3 на второй ярус: секция Ч 1 -- покрытие защитным коллоидом, секция ЧП - сушка.При входе в секцию 1 передний край пластины толкает...

Номер патента: 1423378

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Ерхов, Курносов

МПК: B26F 3/00

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...ачения на оси 5 относительно станиы 1 и поджатого к эластичному роли у 2 острой кромкой свободного конца снования, причем острая кромка рас" оложена под роликом 2 по линии, проодящей через центр эластичного роли- .а 2 перпендикулярно плоскости осно ания, Основание стола 4 поджато к ластичному ролику 2 при помощи пружины 6, регулируемой винтом 7, На толе 4 установлена проскрайбированая полупроводниковая пластина 8, за" 30 люченная в вакуумный пакет 9 из ластичного материала,Устройство работает следующим обазом.35Полупроводниковая пластина 8, заключенная в вакуумный пакет 9 из 1 ластичного материала, устанавливается а столе 4, качающемся на оси 5 ориентируется в нужном направле сии и подводится под эластичный ро 4 ик 2, установленный на...

Номер патента: 1425441

Опубликовано: 23.09.1988

Автор: Елисеев

МПК: G01B 11/26

Метки: клиновидности, оптических, пластин, прозрачных

...пути светового потока, от.раженного от первого светоделителя 3.Третье отклоняющее зеркало 10 установлено под прямым углом к второмуотклоняющему зеркалу 8. Второй снетоделитель 9 размещен между вторым 8й третьим 10 отклоняющими зеркаламиВ плоскости симметрии прямого угла,Образуемого этими зеркалами. ПлосКость симметрии прямого угла, нКоторой размещен светоделитель 9,перпендикулярна плоскости экрана 7.Ребро прямого угла, образованногозеркалами Я и 10, ориентировано под 40углом к плоскости экрана 7. В устройстне этот угол равен 45,Устройство работает следующимобразом,Пучок света источника 1 с помощью фокусирующей системы 2 концентрируется в точку. Далее в ниде расходящегося пучка свет лазера проходит через светоделитель 3 и падаетна...