Патенты с меткой «многослойных»

Номер патента: 680246

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Бологов, Гриншпун, Казакевич, Медведев, Разин, Скорупский, Фартушной, Хрулев

МПК: B21D 51/24

Метки: многослойных, труб

Способ изготовления многослойных труб, при котором на трубе-основе путем навивки полос получают ряд многослойных колец, а затем стыки смежных колец разделывают под сварку и заваривают их кольцевыми швами, отличающийся тем, что, с целью повышения качества труб, изготавливаемых из серповидной полосы, перед навивкой каждой полосы передний торец ее укрепляют на трубе-основе так, чтобы прямая, соединяющая точки, расположенные на боковой кромке полосы на расстоянии одна от другой, равном длине первого витка, была перпендикулярна оси трубы-основы.

Номер патента: 692178

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Гриншпун, Казакевич, Медведев, Скорупский, Фартушной

МПК: B21D 51/24

Метки: заготовок, мерных, многослойных, подготовки, труб

Способ подготовки мерных заготовок для изготовления многослойных труб, преимущественно обечаек, методом навивки полосы на полый сердечник, при котором полосу разматывают с рулона, правят, стыкуют конец предыдущего и начало последующего рулонов, обрезают продольные кромки и разрезают на мерные заготовки, равные длине полосы для одной обечайки, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности изготовления многослойных труб, перед обрезкой продольных кромок участок полосы, являющийся началом мерной заготовки, нагревают и раскатывают на "клин".

Номер патента: 1389598

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Данилин, Ерохин, Жолудев, Иванов, Калинин, Копецкий, Литовченко, Медвидь, Мордкович, Попов, Романюк, Рудской, Темпер, Устинов, Шаповалов

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0) 1022 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.

Номер патента: 713045

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ермолаев, Медведев

МПК: B21D 51/24

Метки: многослойных, труб

Установка для изготовления многослойных труб, содержащая задающую клеть, направляющие упоры, механизм для натяжения полосы, проводку и трубу-сердечник, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества труб и увеличения производительности за счет уменьшения концевых отходов, она снабжена устройством для контроля рабочего положения направляющих упоров, выполненным в виде гибкой связи, охватывающей трубу-сердечник, и механизма ее натяжения, размещенного перед направляющими упорами по ходу перемещения исходной полосы, а каждый направляющий упор снабжен шкалой, укрепленной на упоре с возможностью взаимодействия с гибкой связью.

Номер патента: 1619759

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Аитова, Бабанова, Гордеев, Еровенкова, Райков

МПК: D03D 11/00

Метки: многослойных, полых, станке, тканей, ткацком

1. Способ изготовления полых многослойных тканей на ткацком станке, включающий проборку нитей основы на ткацком станке с установкой заправочной линии формирования полой многослойной ткани, включающего перевязку верхнего и нижнего многослойных полотен нитями утка, переходящими из одного слоя верхнего полотна в тот же слой нижнего полотна и наоборот, отличающийся тем, что, с целью расширения ассортимента тканей путем получения тканых изделий повышенной плотности и толщины и улучшения качества ткани за счет получения равной прочности и структуры фона "условного шва" при проборке в бердо производят уменьшение числа нитей основы в раппорте в краевых участках полотен, заправочную линию станка...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/24

Метки: многослойных, покрытий, проводящих, создания

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1552933

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10

Номер патента: 1499609

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.

Номер патента: 1452395

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 1597027

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1568799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения...

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Номер патента: 1567111

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Барабохина, Власов, Кулешов, Томилов, Трофимов

МПК: H05K 3/46

Метки: вжигания, диэлектрических, многослойных, паст, плат, проводниковых, толстопленочных

Способ вжигания диэлектрических и проводниковых паст для изготовления многослойных толстопленочных плат, включающий операции плавного подъема температуры до максимального значения, выдержки при этой температуре и плавного снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения дефектов в слоях толстопленочных плат, на операции плавного подъема температуры до максимального значения осуществляют первую изотермическую выдержку при температуре максимальной скорости выгорания органической связки используемой пасты в течение времени, равного времени полного выгорания этой органической связки, а на операции плавного снижения температуры осуществляют...

Номер патента: 1600191

Опубликовано: 10.10.2006

Авторы: Ефремов, Малозёмова, Мочалов, Осипов

МПК: B29C 43/20, B29L 9/00

Метки: многослойных, пленок, полиимидофторопластовых

Способ изготовления многослойных деталей из полиимидофторопластовых пленок, включающий сборку пленок в пакет, последующее прессование пакета в оснастке при нагреве с выдержкой и охлаждением под давлением, отличающийся тем, что, с целью изготовления деталей профильной формы и увеличения из межслоевой прочности, сборку пакета проводят таким образом, чтобы толщина его составляла 1,03-1,13 от величины толщины изготавливаемой профильной детали, прессование осуществляют при 350-360°С и давлении 3-7 МПа в течение 20-25 мин и охлаждение детали производят до 120-150°С.