Патенты с меткой «легирования»

Номер патента: 1593507

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, донорный, кремния, легирования, раствор

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомышьяковая кислота, причем соотношение ортофосфорной и ортомышьяковой кислот составляет от 8:1 до 1:1 по объему при следующем соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 45 - 62Тетраэтоксисилан - 19,4 - 28,5Азотная кислота - 0,2 - 1,5Ортофосфорная и ортомышьяковая кислота - 18 - 31

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бахшецян, Варданян, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, кремния, легирования, раствор, фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Номер патента: 1424632

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремния, легирования, пластин, пленкообразующий, приготовления, раствор

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0Катализатор - 0,5 - 2,5Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый...

Номер патента: 615785

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, он дополнительно содержит азотнокислый эрбий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 10-4 - 5,0Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,4Азотнокислый эрбий (пятиводный) - 0,25 - 1,0Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 616893

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/228

Метки: бором, кремния, легирования, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных свойств электролита, в его состав дополнительно введен гольмий азотнокислый при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,15 - 0,35Гольмий азотнокислый (пятиводный) - 0,3 - 0,6Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 682055

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Ломакина, Милешко, Чистяков

МПК: H01L 21/469

Метки: кремния, легирования, мышьяком, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния мышьяком, содержащий азотную кислоту и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости результатов легирования и увеличения срока годности электролита, дополнительно он содержит ортомышьяковую кислоту, а компоненты взяты в следующем соотношении, об.%:Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 4 - 5Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,5 - 10Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 527989

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной пленки, в его состав введен этиленгликоль в качестве основного растворителя при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 1 10-4 - 10Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 1 10-2 - 5 10-1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 545210

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: бором, кремния, легирования, окисной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль и борную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств пленки, в его состав дополнительно введена азотная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 0,10 - 10,00Азотная кислота - 0,05 - 0,50Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 826810

Опубликовано: 27.03.2006

Авторы: Газин, Милько, Промыслов, Скворчевский

МПК: C30B 31/06, C30B 31/20, F28F 13/18 ...

Метки: легирования, теплообменника

1. Способ легирования теплообменника путем нанесения на его поверхность легирующего материала и обработки ее лазерным лучом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества легирования, легирующий материал предварительно переводят в газообразное состояние и наносят его одновременно с обработкой поверхности лазерным лучом путем бомбардирования поверхности образованными газами, при этом дополнительно накладывают на них ускоряющее магнитное поле.2. Устройство для легирования теплообменника, содержащее лазер с блоком питания и фокусирующую систему, отличающееся тем, что, с целью повышения качества легирования, оно дополнительно содержит конусообразный тубус, установленный между...

Номер патента: 1443466

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Бушик, Гордиенко, Ивашко

МПК: C23C 12/00, C23C 26/00

Метки: лазерного, легирования, поверхностного, состав, сплавов, титановых

Состав для поверхностного лазерного легирования титановых сплавов, включающий бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности за счет снижения шероховатости при сохранении твердости поверхностного слоя, он дополнительно содержит кремний при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кремний5-50 Бор Остальное

Номер патента: 1292601

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Симонов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и...

Номер патента: 1144560

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Круковский

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со...